KR960704325A - 고온수 내의 낮은 부식 전위를 유지하기 위한 산화막 전기 전도도의 조절(modification of oxide film electrical conductivity to maintain low corrosion potential in high-temperature water) - Google Patents

고온수 내의 낮은 부식 전위를 유지하기 위한 산화막 전기 전도도의 조절(modification of oxide film electrical conductivity to maintain low corrosion potential in high-temperature water)

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KR960704325A
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삼손 헤티아라치치
영. 진 김.
피터 루이스 안드레센
토마스 팜필리오 디아즈
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제이 엘. 차스킨
제너럴 일렉트릭 캄파니
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Abstract

수냉식 원자로의 금속 부품들의 표면 상의 일반적인 부식 및 균열 개시 및 성장을 완화시키는 방법이 개시된다. 지르코늄 또는 티타늄과 같은 비귀금속을 함유하는 화합물이 용액 또는 현탁액의 형태로 원자로의 물 속으로 주입된다. 이러한 화합물은 금속 부품 내에 형성된 어떤 균열들의 내부면들을 포함하여 금속부품들의 표면에 합체되거나 표면 상에 도포되는 비귀금속의 이온/원자들을 방출하도록 원자로 열조건하에서 분해된다. 양호한 화합물들은 지르코늄 아세틸아세톤염, 지르코늄 질화물 및 지르코닐 질화물과 같은 지르코늄 화합물들이다. 금속부품들의 산화된 표면에 도포된 지르코늄은 표면에서의 금속화학적 전위를 입자간응력 부식 균열을 방지하기 위해 임계 전위보다 낮은 레벨로 감소시킨다.

Description

우라늄 함유 핵연료로된 소결체(SINTERED COMPACT MADE OF URANIUM-CONTAINING NUCLEAR FUEL)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 BWR을 개략적으로 도시하는 부분절개 사시도이다.
제2도는 수소 첨가가 없는 상태하의 8ppm NaNO3에서 -800mV(SHE)의 낮은 부식 전위를 도시하는 지르칼로이 -2 및 지르칼로이 -4에 대한 분극 곡선의 플롯도이다.
제3도는 지르코늄이 산화막 속으로 합체된 것을 보여주는, 60℃에서 1mMZrO(N03)2용액에 10동안 노출시킨 후의 타잎 304 스테인레스 강의 표면의 오우거 전자 분광 분석 깊이 프로필이다.

Claims (20)

  1. 수냉식 원자로 또는 이와 관련된 설비 내의 사용 중의 금속 부품의 표면에서의 균열을 완화시키도록 금속 부품을 처리하는 방법에 있어서, 상기 금속 부품의 상기 표면 상에 산화막을 형성하는 단계와, 지르코늄, 니오브, 이트륨, 텅스텐, 바나듐, 티타늄, 몰리브덴, 크롬 및 니켈로 이루어진 그룹으로부터 선택된 비귀금속의 이온/원자들로 상기 산화막을 도핑시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 도핑 단계는 지르코늄 함유 화합물의 용액 내에 상기 산화막을 침지시킴으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 지르코늄 함유 화합물은 지르코늄 아세틸아세톤염인 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 지르코늄 함유 화합물은 지르코늄 질산염인 것을 징으로 하는 방법.
  5. 제2항에 잇어서, 상기 지르코늄 함유 화합물은 지르코닐 질산염인 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 도핑 단계는 원자로의 조업 중지 중에 원자로의 물이 재순환되고 있는 동안 원자로의 물 속으로 상기 비귀금속을 함유하는 열적으로 분해가능한 화합물 용액을 주입함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 도핑 단계는 상기 원자로의 정상 가동 중에 상기 원자로의 물 속으로 상기 비귀금속을 함유하는 열적으로 분해가능한 화합물 용액을 주입함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 금속 부품은 스테인레스 강으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 금속 부품은 스테인레스 강, 니켈계 합금, 탄소 강 및 저합금 강으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 합금으로 만들어진 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 산화막은 상기 금속 부품 표면 상에 또는 상기 금속부품 표면에 형성된 균열 내부의 전기화학적 전위를 입자간 응력 부식 균열을 방지하는 데 필요한 임계 전위 보다 낮은 레벨로 감소시키기에 충분한 도핑 레벨로 상기 비귀금속으로 도핑되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 산화된 표면을 갖고 있는 금속 부품 내의 일반적인 부식 및 균열의 개시 또는 전파를 완화시키는 방법에 있어서, 비귀금속을 함유하는 화합물의 용액 또는 현탁액에 상기 금속 부품을 침지시키는 단계를 구비하고, 상기 비귀금속 화합물은 상기 산화된 표면에 합체되거나 상기 산화된 표면상에 도포된 비귀금속 이온/원자들을 방출하도록 열적으로 분해되는 성질을 갖고 있고, 상기 비귀금속은 지르코늄, 니오브, 이트륨, 텅스텐, 바나듀므 티타늄, 몰리브덴, 크롬 및 니켈로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 비귀금속은 지르코늄인 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 비귀금속 함유 화합물은 지르코늄 아세틸아세톤염인 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제1항에 있어서, 상기 비귀금속 함유 화합물은 지르코늄 질산염인 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제11항에 있어서, 상기 비귀금속 함유 화합물은 지르코닐 질산염인 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제11항에 있어서, 상기 침지 단계는 원자로의 조업 중지 중에 원자로의 물이 재순환되고 있는동안 원자로의 물 속으로 상기 비귀금속을 함유하는 열적으로 분해가능한 화합물 용액을 주입함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제11항에 있어서, 상기 침지 단계는 상기 원자로의 정상 가동 중에 상기 원자로의 물 속으로 상기 비귀금속을 함유하는 열적으로 분해가능한 화합물 용액을 주입함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제11항에 있어서, 상기 금속 부품은 스테인레스 강으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제11항에 있어서, 상기 금속 부품은 스테인레스 강, 니켈게 합금, 탄소 강 및 저합금 강으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 합금으로 만들어진 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제11항에 있어서, 상기 산화된 표면은 상기 금속 부품 표면 상에 또는 상기 금속 부품 표면에 형성된 균열 내부의 전기화학적 전위를 상기 금속 부품이 수냉식 원자로 내에 설치될 때 입자간 응력 부식 균열을 방지하는 데 필요한 임계 전위 보다 낮은 레벨로 감소시키기에 충분한 도핑 레벨로 상기 비귀금속으로 도핑되는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960700891A 1994-06-24 1995-06-23 고온수내의낮은부식전위를유지하기위한산화막전기전도도의조절 KR100380127B1 (ko)

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