KR960702697A - 제어회로를 구비한 가변 저항 장치(Audjustable resistance device with control circuit) - Google Patents

제어회로를 구비한 가변 저항 장치(Audjustable resistance device with control circuit)

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KR960702697A
KR960702697A KR1019950704923A KR19950704923A KR960702697A KR 960702697 A KR960702697 A KR 960702697A KR 1019950704923 A KR1019950704923 A KR 1019950704923A KR 19950704923 A KR19950704923 A KR 19950704923A KR 960702697 A KR960702697 A KR 960702697A
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게오르그 카스페르코비츠 볼프디트리히
클레멘스 데루이테르 헨드리쿠스
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프레데릭 얀 스미트
필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
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Abstract

제1저항기 및 제1정궤환 트랜스콘덕터로 구성된 제1병렬 배열(1)을 포함하는 가변 저항 장치에 제1병렬 배열(1)의 제어가능 저항 섹션을 제어하기 위한 제어 회로(20)가 제공되고, 상기 제어 회로(20)는 상기 제1병렬배열(1)과 똑같은 제2병렬 배열(2)로 이루어진 제어 루프를 포함한다. 제어 회로(20)는 제2트랜스콘덕터로 형성된 부저항의 저항기가 제2저항기의 저항치와 그 크기면에서 거의 같아지도록 제2병렬 배열(2)의 제어가능섹션을 제어하고, 그 결과 제2병렬 배열(2)은 천이 범위내에서 쌍안정이다. 제1병렬 배열(1)의 정저항치는 부저항치와 비교해 집적 회로에서 정확히 실현될 수 있는 더 작은 계수가 되도록 선택함으로써, 작은 확산을 갖는 더 높은 유효 저항을 얻을 수 있다.

Description

제어회로를 구비한 가변 저항 장치(Audjustable resistance device with control circuit)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (10)

  1. 제어 회로(20)의 출력(10)에 접속된 제어 입력을 구비하는, 제1저항기(R1) 및 제1정궤환 트랜스콘덕터(TC1)의 제1병렬 배열(1)을 포함하는 가변 저항 장치에 있어서, 상기 제어 회로(20)는 제2병렬 배열(2) 및 비교 회로(CO1)를 포함하는 제어 루프로 이루어지되, 상기 제2병렬 배열(2)은 제1노드(11)와 제2노드(12) 사이에 배열된 제2저항기(R2) 및 제2정궤환 트랜스콘덕터(TC2)로 형성되어 제어 입력을 구비하고, 상기 비교회로(CO1)는 상기 제1노드(11) 및 상기 제2노드(12)에 각각 접속된 제1 및 제2입력과, 상기 제어 회로(20)의 출력(10)을 형성하는 동시에 상기 제2병렬 배열(2)의 상기 제어 입력에 접속되어 있는 출력을 구비하며, 상기 제2병렬 배열(2)은, 상기 제1저항기(R1)의 저항치가 상기 제2저항기(R2)의 저항치보다 더 작거나 상기 제1트랜스콘덕터(TC2)의 트랜스콘덕턴스보다 더 작다는 점에서, 또는 상기 두가지 사실을 모두 만족한다는 점에서 제1병렬 배열(1)과는 상이한 것을 특징으로 하는 가변 저항 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 각각의 정궤환 트랜스콘덕터는 제어가능한 트랜스콘덕턴스를 제어하기 위한 제어입력을 구비하고, 이 제어 입력들은 각 저항의 제어 입력을 구성하는 것을 특징으로 하는 가변 저항 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제어 회로(20)는 상기 제1 및 제2노드(11,12)간 전압차를 특정 극성으로 유지하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 특성 극성 유지 수단은 비반전 및 반전 입출력들을 구비하는 제1자동 증폭기(A1) 및, 그들 공통 에미터 라인에 전류원을 갖는 제1(T1) 및 제2(T2) 에미터 결합 트랜지스터로 이루어진 제1차동 쌍을 포함하되, 상기 제1차동 증폭기(A1)의 상기 비반전 입력 및 상기 반전 입력은 각기 상기 제1 및 제2노드(11,12)에 접속되는 반면, 상기 제1차동 증폭기(A1)의 상기 비반전 출력 및 상기 반전 출력은 각각 상기 제1차동쌍의 상기 제1트랜지스터(T1)의 베이스 및 상기 제2트랜지스터(T2)의 베이스에 접속되며, 상기 제2트랜지스더(T2)의 클렉터는 상기 제2노드(12)에 접속되는 것을 특징으로 하는 가변 저항 장치.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 비교 회로(CO1)는 비반전 및 반전 입출력들을 갖는 제2차동 증폭기(A2) 및, 그들 공통 에미터 라인에 또 다른 전류원(I2)을 갖는 제3(T3) 및 제4(T4) 에미터 결합 트랜지스터로 이루어진 제2차동쌍을 포함하되, 상기 제2차동 증폭기(A2)의 상기 비반전 입력은 기준 전압원(E1)을 통해 상기 제1노드(11)에 접속되고, 상기 반전 입력은 제2노드(12)에 접속되며, 반면에 상기 제2차동 증폭(A2)의 상기 비반전 출력 및 상기 반전 출력은 각각 상기 제2차동쌍의 상기 제3트랜지스(T3)의 베이스 및 상기 제5트랜지스터(T4)의 베이스에 접속되며, 상기 제3트랜지스(T3)의 콜렉터는 제1전류원 트랜지스터(CTl)의 클렉터 및 베이스에 접속되는 한편, 이 제1전류원 트랜지스터(CTl)의 베이스는 상기 비교 회로(CO1)의 출력을 형성하고 있는 것을 특징으로 하는 가변 저항 장치.
  6. 제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2트랜스콘덕터(TC1,TC2) 각각은 비반전 및 반전 신호 단자를 갖는 입력 및 출력을 구비하고, 상기 트랜스콘덕터를 각각은 제5 및 제6에미터 결합 트랜지스터로 구성되되, 이들 트랜지스터들의 공통 에미터 라인에는 그 베이스가 트랜스콘덕터의 제어 입력을 형성하고 있는 제2전류원 트랜지스터(CT2)의 콜렉터가 접속되어 있고, 이때 상기 제5 및 상기 제6트랜지스터(T5, T6)의 베이스들은 각각 비반전 및 반전 입력단자를 형성하는 반면, 상기 제6 및 상기 제5트랜지스터(T6,T7)의 콜렉터들은 각각 비반전 및 반전 출력 단자를 형성하는 것을 특징으로 하는 가변 저항 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 각각의 저항기들(R1, R2)은 제어가능한 저항치를 지어하기 위한 제어 입력을 구비하고, 상기 제어 입력은 각 저항 장치의 제어 입력을 형성하는 것을 특징으로 하는 가변 저항 장치.
  8. 제1저항기(R1) 및 제1정궤환 트랜스콘덕터(TC1)로 구성되며 제어 입력을 갖는 제1병렬 배열(1)로 이루어진 제1 가변 저항 장치와; 제3저항기(R3) 및 제3정궤환 트랜스콘덕터(TC3)로 구성되며 제어 입력을 갖는 제3병렬 배열(3)로 이루어진 제2 가변 저항 장치와; 상기 제1 및 상기 제3병렬 배열(1,3)과 다시 병렬로 배열된 제1 및 제2캐패시터(C1,C2)와; 상기 제3병렬 배열(3)에 접속된 출력 및, 상기 제1병렬 배열(1)에 접속된 입력을 구비하는 제4트랜스콘덕터(TC4) 및; 상기 제4트랜스콘덕티(TC4)의 입력에 접속된 출력 및, 신호 반전기를 통해 상기 제4트랜스콘덕터(TC4)의 출력에 접속된 입력을 구비하는 제5트랜스콘덕터(TC5)를 포함하고, 상기 제1 및 제3병렬 배열(1,3)의 제어 입력들은 공통 제어 회로(20)의 출력에 접속되고, 상기 제어 회로(20)는 제2병렬 배열(2)과 재6트랜스콘덕티(TC6) 및 비교 회로(CO1)를 포함하는 제어 루프로 이루어지되, 상기 제2병렬 배열(2)은 제1노드(11) 및 제2노드(12) 사이에 배열된 제2저항기(R2) 및 제2정궤환 트랜스콘덕터(TC2)로 구성되며 제어 입력을 구비하고, 상기 제6트랜스콘덕터(TC6)의 출력은 공급선에 접속되는 한편 그 입력은 상기 트랜스콘덕터(TC2)와 병렬 배열되어 있으며, 상기 비교 회로(CO1)는 상기 제1 및 제2노드(11,12)에 각각 접속된 제1 및 제2입력을 구비하는 한편 그 출력은 이 제어 회로(20)의 출력(10)을 형성하는 동시에 상기 제2병렬 배열(2)의 제어 입력을 접속되어 있으며, 상기 제2병렬 배열(2)은, 상기 제1 및 상기 제3저항기(R1,R3)의 저항치가 상기 제2저항기(R2)의 저항치보다 더 작거나 상기 제1 및 상기 제3트랜스콘덕터(TC1,TC3)의 트랜스콘덕턴스가 상기 제2트랜스콘덕티(TC2)의 트랜스콘덕턴스보다 더 작다는 점에서, 또는 상기 두가지 조건을 모두 만족한다는 점에서 상기 제1 및 상기 제3배열(1,3)과는 상이한 것을 특징으로 하는 공진 증폭기.
  9. 선택단(30)과, 복조 장치(31) 및 LF 섹선(32)을 포함하고, 상기 선택단(30)은 제8항에서 청구된 공진증폭기를 구비하는 것을 특징으로 하는 수신기.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제4, 제5 및 제6트랜스콘덕터(TC4∼TC6) 각각은 제어가능한 트랜스콘덕턴스를 제어하기 위한 제어 입력을 구비하고, 이 제어 입력들은 공통 동조 제어 신호 발생회로(21)에 접속되는 것을 특징으로 하는 수신기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950704923A 1994-03-07 1995-02-24 제어회로를구비한조정가능한저항장치 KR100399166B1 (ko)

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