KR960702148A - 자성재료의 몸체에서 자화방향의 국부적 변화를 위한 장치 및 방법 (A method and a device for locally altering the magnetization) - Google Patents

자성재료의 몸체에서 자화방향의 국부적 변화를 위한 장치 및 방법 (A method and a device for locally altering the magnetization) Download PDF

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Abstract

발명은 자성 재료의 몸체에서 자화 방향을 국부적으로 제어가능하게 변화시키는 장치 및 방법에 관한것으로서, 비금속 재료의 층은 몸체의 표면상에 침착되고, 상기 층은 고정된 자화 방향을 갖는 자성 재료의 몸체에 제공되므로써, 자성 재료의 양몸체는 중첩된 비금속 재료층을 횡단하여 자성적으로 결합되며, 상기 자성 결합의 특성인 비금속 재료의 층을 제어가능한 전기장에 국부적으로 노출시키므로써 국부적으로 변화시킬수 있다.

Description

자성재료의 몸체에서 자화방향의 극부적 변화를 위한 장치 및 방법 (A method and a device for locally aUering the magnetization)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 장치의 부분 단면도.
제2도는 자화방향을 제어가능하게 변화시키는 본 발명의 방법의 실시후 제1도의 장치를 도시한 도면.
제3도는 제1도의 상태를 포함하는 전기 밴드 구조의 개략도.

Claims (15)

  1. 자성 재료의 몸체에서 자화 방향을 국부적으로 제어 가능하게 변화시키는 방법에 있어서, 비금속 재료의 층이 몸체의 표면상에 침착되고, 상기 층은 고정된 자화 방향을 갖는 자성 재료의 몸체상에 제공되므로써 자성재료의 양 몸체는 중첩된 비금속층을 횡단하여 자성적으로 결합되며, 상기 자성 결합의 특성은 비금속 재료의 층을 제어 가능한 전기장에 국부적으로 제어가능하게 노출시키므로써 국부적으로 변화될 수 있는 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화 방향 국부적 변화 방법.
  2. 제1항에 있어서, 설정된 비금속 재료는 반도체 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화방향 국부적 변화 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 반도체 재료는 Si로 설정되는 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화 방향 국부적변화 방법.
  4. 제1항에 있어서, 설징된 비금속 재료는 반금속성 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화방향 국부적 변화 방법.
  5. 제4항에 있어서, 반금속성 재료는 FeSi 성분으로 설정되는 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화 방향국부적 변화 방법.
  6. 제1항에 있어서, 설정된 비금속 재료는 절연체 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화방향 국부적 변화 방법.
  7. 제6항에 있어서, 절연체 재료는 Si의 산화물로 설징되는 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화 방향 국부적 변화 방법.
  8. 제1항 내지 재7항 중 어느 한 항에 있어서, 비금속 재료의 층 두께는 10nm을 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화 방향 국부적 변화 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 방법에 사용하기 적합한 장치에 있어서, 비금속 재료의 중첩된 층을 힁단하여 자성적으로 결합된 적어도 2개의 자성 재료의 몸체와, 상기 자성 결합의 특성을 국부적으로 제어가능하게 변화시키기 위하여 비금속 재료를 제어가능한 전기장에 노출시키는 수단을 포함하며, 상기 자성몸체중의 하나는 고정된 자화 방향을 갖는 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화 방향 국부적 변화 장치.
  10. 제9항에 있어서, 자성 재료의 몸체중 적어도 하나는 비산화성 금속 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화 방향 국부적 변화 장치.
  11. 제10항에 있어서, 비산화성 금속 재료는 Fe인 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화 방향 국부적 변화장치.
  12. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 자성 재료의 몸체중 적어도 하나는 자성 다층 구조인 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화 방향 국부적 변화 장치.
  13. 제12항에 있어서, 자성 다층 구조는 스괸 밸브 자기 저항 효과(spin-valve magneto-resistive effect)를 나타내는 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화 방향 국부적 변화 장치.
  14. 제9항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기헤드.
  15. 제9항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 장치에 국부적인 2중 정보를 제어가능하게 제공하는 방법에 있어서, 첫번째 2중 심볼은 2개의 자성 몸체에서 서로 거의 평행한 자화 배열을 제어가능하게 도출하기 위하여비 금속 재료의 중간층을 힁단하는 강자성 결함을 국부적으로 실행하므로써 제공되며, 두번째 2중 심볼은 2개의 자성 몸체에서 서로 거의 평행한 자화 배열을 국부적으로 추출하기 위하여 비금슥 재료의 중간층을 힁단하는 반 강자성 결합올 국부적으로 실행하므로써 제공되는 것을 특징으로 하는 2중 정보 제공 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950704646A 1994-02-21 1995-02-03 자성재료의 몸체에서 자화방향의 국부적 변화를 위한 장치 및 방법 (A method and a device for locally altering the magnetization) KR960702148A (ko)

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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0843827A2 (en) * 1996-06-12 1998-05-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. A magneto-resistive magnetic field sensor
US5889641A (en) * 1997-05-05 1999-03-30 Seagate Technology, Inc. Magneto-resistive magneto-optical head
US5898547A (en) * 1997-10-24 1999-04-27 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junction magnetoresistive read head with sensing layer as flux guide
US5953248A (en) * 1998-07-20 1999-09-14 Motorola, Inc. Low switching field magnetic tunneling junction for high density arrays
US20040017721A1 (en) 1998-10-30 2004-01-29 Schwabe Nikolai Franz Gregoe Magnetic storage device
GB2343308B (en) * 1998-10-30 2000-10-11 Nikolai Franz Gregor Schwabe Magnetic storage device
JP2001196661A (ja) * 1999-10-27 2001-07-19 Sony Corp 磁化制御方法、情報記憶方法、磁気機能素子および情報記憶素子
US6272036B1 (en) * 1999-12-20 2001-08-07 The University Of Chicago Control of magnetic direction in multi-layer ferromagnetic devices by bias voltage
JP3604617B2 (ja) * 2000-06-12 2004-12-22 富士通株式会社 磁気検出素子
AU2001287985A1 (en) * 2000-10-17 2002-04-29 International Business Machines Corporation Magnetic element, memory device and write head
CN100520915C (zh) * 2001-07-24 2009-07-29 希捷科技有限公司 用于高各向异性介质的写入磁头
EP1423861A1 (en) * 2001-08-30 2004-06-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Magnetoresistive device and electronic device
US20030231437A1 (en) * 2002-06-17 2003-12-18 Childress Jeffrey R. Current-perpendicular-to-plane magnetoresistive device with oxidized free layer side regions and method for its fabrication
US6881993B2 (en) * 2002-08-28 2005-04-19 Micron Technology, Inc. Device having reduced diffusion through ferromagnetic materials
US6831312B2 (en) * 2002-08-30 2004-12-14 Freescale Semiconductor, Inc. Amorphous alloys for magnetic devices
US7352541B2 (en) * 2004-04-30 2008-04-01 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. CPP GMR using Fe based synthetic free layer
US7349185B2 (en) 2004-07-30 2008-03-25 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. Three terminal magnetic sensor for magnetic heads with a semiconductor junction
CN101814294B (zh) * 2010-01-11 2012-05-30 清华大学 电写磁性存储器件及其装置、信息记录再现及制造方法
WO2011122078A1 (ja) * 2010-03-31 2011-10-06 株式会社日立製作所 磁気抵抗素子、磁気ディスク装置及び磁気抵抗記憶装置
US8724434B2 (en) 2012-03-23 2014-05-13 Tdk Corporation Magnetic recording system and magnetic recording device
US9520175B2 (en) 2013-11-05 2016-12-13 Tdk Corporation Magnetization controlling element using magnetoelectric effect

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3604938A (en) * 1969-04-29 1971-09-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method for operating electroluminescence display device
US4035060A (en) * 1973-09-21 1977-07-12 Dainippon Printing Co., Ltd Electro-optic device
JPS57113402A (en) * 1981-01-05 1982-07-14 Ricoh Co Ltd Method and device for vertical thermomagnetic recording
US5390061A (en) * 1990-06-08 1995-02-14 Hitachi, Ltd. Multilayer magnetoresistance effect-type magnetic head
US5341261A (en) * 1991-08-26 1994-08-23 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor having multilayer thin film structure
US5432373A (en) * 1992-12-15 1995-07-11 Bell Communications Research, Inc. Magnetic spin transistor
US5343422A (en) * 1993-02-23 1994-08-30 International Business Machines Corporation Nonvolatile magnetoresistive storage device using spin valve effect
FR2702919B1 (fr) * 1993-03-19 1995-05-12 Thomson Csf Transducteur magnétorésistif et procédé de réalisation.
US5440233A (en) * 1993-04-30 1995-08-08 International Business Machines Corporation Atomic layered materials and temperature control for giant magnetoresistive sensor
US5408377A (en) * 1993-10-15 1995-04-18 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor with improved ferromagnetic sensing layer and magnetic recording system using the sensor
US5585986A (en) * 1995-05-15 1996-12-17 International Business Machines Corporation Digital magnetoresistive sensor based on the giant magnetoresistance effect

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Publication number Publication date
SG52781A1 (en) 1998-09-28
JPH08510095A (ja) 1996-10-22
TW256921B (ko) 1995-09-11
WO1995022820A1 (en) 1995-08-24
MY130152A (en) 2007-06-29
DE69511017D1 (de) 1999-09-02
DE69511017T2 (de) 2000-02-24
EP0700564A1 (en) 1996-03-13
US5691865A (en) 1997-11-25
EP0700564B1 (en) 1999-07-28

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