CN101814294B - 电写磁性存储器件及其装置、信息记录再现及制造方法 - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 291
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 18
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 8
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 4
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- UDRRLPGVCZOTQW-UHFFFAOYSA-N bismuth lead Chemical compound [Pb].[Bi] UDRRLPGVCZOTQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- RPEUFVJJAJYJSS-UHFFFAOYSA-N zinc;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [Zn+2].[O-][Nb](=O)=O.[O-][Nb](=O)=O RPEUFVJJAJYJSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract description 7
- 238000013500 data storage Methods 0.000 abstract description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 17
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000005690 magnetoelectric effect Effects 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- BEIGFKLRGRRJJA-JLHYYAGUSA-O 2-(2f-benzothiazolyl)-5-styryl-3-(4f-phthalhydrazidyl)tetrazolium chloride Chemical compound C=1C=C2C(=O)NNC(=O)C2=CC=1[N+](N(N=1)C=2SC3=CC=CC=C3N=2)=NC=1\C=C\C1=CC=CC=C1 BEIGFKLRGRRJJA-JLHYYAGUSA-O 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- GDXUDZHLHOBFJH-UHFFFAOYSA-N germanium iron Chemical compound [Fe].[Ge] GDXUDZHLHOBFJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
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Abstract
本发明提供一种电写磁性存储器件，包括：底电极层；铁电氧化物层，所述铁电氧化物层形成在所述底电极层上；磁性记录层，所述磁性记录层设置在所述铁电氧化物层上；保护层，所述保护层设置在所述磁性记录层上，其中通过所述底电极层和磁性记录层向所述铁电氧化物层施加写入电场，且所述磁性记录层的磁矫顽场Hc具有对应于所述写入电场信息的不同磁矫顽场值。本发明还提供一种存储装置、一种信息记录再现方法以及一种电写磁性存储器件的制造方法。采用本发明所述的设备和方法，能够利用电场信号直接作用于存储器件上进行信息写入，降低能耗，同时利用不易受外界干扰的磁性记录层磁矫顽场Hc大小进行信息记录，提高了数据存储的安全性。
Description
技术领域
本发明涉及信息存储技术领域，尤其是涉及一种电写磁性存储器件、具有该器件的存储装置、基于该器件的信息记录再现方法以及该器件的制造方法。
背景技术
信息存储技术是当代信息工业发展中的重要一环，如何进一步提高存储信息的读写速度和提高信息的安全性都是迫在眉睫的要求。目前世界上所有的数字信息存储器件，无论采用什么介质和技术，均是以存储“0”和“1”两种不同的信息讯号作为记录手段的，作为数字本身“0”和“1”并没有意义，但是经过信息的排列组合，就可以形成代表文字、声音、图片等等信息的代码。目前世界上通用的信息存储器件主要包括：运用磁读写的磁介质存储器件(软盘、硬盘)；运用光读写的光存储器件(CD、DVD)；运用磁写光读技术的磁光存储器件(MO磁光盘)；以及运用电写电读技术的电存储器件(DRAM、FeRAM、FlashMemory)等。
在上述信息存储技术中，应用最为广泛和最为成熟的是基于磁写磁读技术的计算机硬盘磁存储器件。目前计算机硬盘技术发展迅速，特别是在巨磁阻效应作为硬盘读取磁头的关键技术得到广泛应用后，硬盘的存储密度和读取精度都得到了进一步提升。但是作为硬盘信息记录的过程，其写入操作则需要强磁场完成，一方面写入速度较慢，这限制了硬盘的方便性，也增大了其能耗。而利用电信号直接作用在存储单元上的“电写”过程则可以大大减少信息写入过程中的能耗，同时可以大幅提高信息写入的速度。
作为信息存储的介质材料，磁性介质是利用其磁畴排列方向记录信息的，容易受到外磁场的干扰而丢失信息；电存储介质是利用电荷多少或电极化方向记录信息，较易因为器件内部漏电流等因素的干扰而丢失信息；光存储介质是利用其表面形貌起伏记录信息，较易因外界划痕等因素而丢失信息。为了达到保护信息安全的目的，技术人员一直在寻找更为安全的信息存储方式来存储信息，为了保持磁存储器件中的数据状态，目前一般选择含有铂等贵金属元素的磁性合金，成本较高。而磁存储介质除了磁畴排列信息以外，还有磁矫顽场Hc的大小信息，磁矫顽场Hc不易受到外界干扰而改变，是磁性介质的一个较为稳定的物理参数。
目前，磁性存储器件为了保持其数据存储的非易失性，就需要选择磁矫顽场比较大的磁性材料，以保持存储器件中的数据状态，因此在工作过程中就需要由磁头提供一个更大的磁场该改变器件中的数据状态，在此过程中造成了较高的能耗。在另一方面，受到磁头提供写入磁场大小的限制，磁性存储器件无法选择磁矫顽场更大的磁性材料来提供更为安全的数据保持性能。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中的上述技术问题之一。
为此，本发明的目的在于降低信息写入的能耗，提高信息写入的速度，并且有效提高信息存储的完整性和安全性。
为了达到上述目的，根据本发明的第一个方面，提供一种电写磁性存储器件，包括：底电极层；铁电氧化物层，所述铁电氧化物层形成在所述底电极层上；磁性记录层，所述磁性记录层设置在所述铁电氧化物层上，用于进行磁性记录；保护层，所述保护层设置在所述磁性记录层上，以保护所述磁性记录层，其中通过所述底电极层和磁性记录层向所述铁电氧化物层施加写入电场，且具有对应于所述写入电场信息的不同磁矫顽场值。
根据本发明的第二个方面，提供一种存储装置，包括：根据本发明第一个方面所述的电写磁性存储器件，所述电写磁性存储器件上存储有记录信息；以及磁头装置，所述磁头装置设置在所述电写磁性存储器件的上方，用于从所述电写磁性存储器件上读写所述磁性记录信息。
根据本发明的第三个方面，提供一种基于所述电写磁性存储器件的信息记录再现方法，包括：根据信息形成对应的电场信息；以及在所述底电极层和所述磁性记录层之间施加具有所述电场信息的写入电场。
根据本发明的第四个方面，所述信息记录再现方法还包括：施加平行于所述磁性记录层的表面的检验磁场；停止施加检验磁场后，读取所述电写磁性存储器件上方的第一磁场信息；施加平行于所述磁性记录层的表面的反向检验磁场；停止施加所述检验磁场后，读取所述电写磁性存储器件上方的第二磁场信息，其中在第一磁场信息与所述第二磁场信息不同时，则所述电写磁性存储器件上存储的磁矫顽场小于所述检验磁场；在第一磁场信息与所述第二磁场信息相同时，则所述电写磁性存储器件上存储的磁矫顽场大于所述检验磁场，以判定存储在所述磁性存储器件上的数字信息。
根据本发明的第五个方面，提供一种电写磁性存储器件的制造方法，包括下述步骤：形成铁电氧化物层；在所述铁电氧化物层上沉积磁性记录层；在所述磁性记录层上形成保护层；在所述铁电氧化物层的下表面形成底电极层。
与现有技术相比，本发明利用磁电效应原理，通过铁电氧化物层与磁性记录层之间在电场作用下产生的磁电耦合效应对磁性记录层的磁性进行调制，即利用电场信号直接作用于存储器件上进行信息写入，降低了信息写入的能耗，提高了信息写入的速度，而且由于利用不易受外界干扰的磁性记录层的磁矫顽场Hc大小进行信息记录，提高了数据存储的完整性和安全性。
本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为根据本发明一个实施例的电写磁性存储器件的结构示意图；
图2为根据本发明一个实施例的包含基片层的电写磁性存储器件的结构示意图；
图3为根据本发明一个实施例的存储装置的磁头装置的示意图；
图4为根据本发明一个实施例的存储装置的结构及其工作示意图，其中示出了信息写入的工作过程；
图5为根据本发明一个实施例的存储装置的结构及其工作示意图，其中示出信息读取的过程1；
图6为根据本发明一个实施例的存储装置的结构及其工作示意图，其中示出信息读取的过程2；
图7为根据本发明一个实施例的存储装置的结构及其工作示意图，其中示出信息读取的过程3；
图8为根据本发明一个实施例的存储装置的结构及其工作示意图，其中示出信息读取的过程4；
图9示出实例样品磁光克尔回线随写入电场E变化的变化规律；
图10示出实例样品磁矫顽场Hc随写入电场E变化的变化规律；
图11示出实例样品模拟写入电信号作用下磁矫顽场Hc变化的变化规律。
附图标记说明：
1-电写磁性存储器件 2-磁头装置
3-底电极层 4-铁电氧化物层
5-磁性记录层 6-保护层
7-润滑层 8-信息写入装置
9-读取磁头 10-检验磁场发生装置
11-屏蔽层 12-磁隙
13-线圈 14-基片层
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。
磁电效应是在施加外电场作用下引起材料磁极化发生变化的多场耦合效应。多铁性磁电复合材料是一类将具有铁电性的材料和铁磁性的材料按照一定的复合结构组合在一起的新材料，这类新材料具有磁电效应。这类材料可以采用诸如脉冲激光沉积、磁控溅射等多种物理制备方法以及溶胶-凝胶法等化学制备方法进行制备。2007年，希腊德谟克利特国家研究中心的N·Moutis等人用脉冲激光沉积的方法在压电的锆钛酸铅(PZT)陶瓷表面制备了呈插指电极状的Co50Fe50合金薄膜，并研究了在该电极上施加电场对于合金薄膜磁矫顽场Hc的影响。
发明人经过研究表明，基于磁电效应的多铁性复合薄膜可以利用电场对磁性层的矫顽场产生调制，通过电场利用铁电氧化物层与磁性记录层之间的耦合效应对磁性进行调制，可以在两个不同方向电场的作用后分别保持磁矫顽场大小的两个不同状态，以此可以实现信息的电写磁性存储。基于该磁性存储器保持磁性矫顽场大小的信息存储特征，特点在于不受外界磁场干扰，使磁性存储器件数据存储整体性能和安全性能提高，利用电场进行信息写入可以降低能耗，同时也提高了信息写入的速度。
下面将参照附图详细描述根据本发明实施例的电写磁性存储器件、具有该器件的存储装置、基于该器件的信息记录方法以及该器件的制造方法。
图1为根据本发明一个实施例的电写磁性存储器件1的结构示意图。该电写磁性存储器件1基于磁电效应的原理，采用多层结构，包括：底电极层3；铁电氧化物层4，所述铁电氧化物层4形成在所述底电极层3上；磁性记录层5，所述磁性记录层5设置在所述铁电氧化物层4上，用于进行磁性记录；保护层6，所述保护层6设置在所述磁性记录层5上，以保护所述磁性记录层5。其中铁电氧化物层4与磁性记录层5之间能够产生磁电耦合作用，通过底电极层3和磁性记录层5能够向所述铁电氧化物层4施加写入电场E(参见图4)，且所述磁性记录层5的磁矫顽场Hc能够在写入电场的作用下从第一磁矫顽场值改变至第二磁矫顽场值。
由此，与现有技术相比，本发明由于能够通过施加写入电场E，利用铁电氧化物层4与磁性记录层5之间的磁电耦合效应对磁性记录层5的磁性进行调制，可以利用写入电场的两个不同方向代表所需写入信息的“0”和“1”，所对应的在磁性记录层中磁矫顽场大小的两个状态用于存储信息的“0”和“1”；在读取时通过设计的磁头装置按照特定的读取方法，可以将磁矫顽场大小的状态信息获取，从而实现信息“0”和“1”的存储。与现有技术利用磁性记录层磁畴排列方向进行“0”、“1”信息存储的方法相比，本技术具有所记录信息不受外界干扰磁场影响，也不需要高矫顽场的材料，使磁性存储器件数据存储整体性能和安全性能提高。利用电场进行信息写入具有降低能耗、提高了信息写入的速度的有益效果。
上述实施例中，可使用但不仅限于诸如Ag、Pt、Fe、Cu或含有这些元素的合金材料或者钌酸锶(SRO)、镍酸镧(LNO)等氧化物材料中的任何一种作为底电极层3。
铁电氧化物层4优选但不仅限于采用钛酸钡(BTO)、钛酸铅(PTO)、锆钛酸铅(PZT)、钪酸铋-钛酸铅(BSPT)、铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)、锌铌酸铅-钛酸铅(PZN-PT)材料。
磁性记录层5优选地由Fe、Co、Ni及其合金材料中的任何一种来形成。磁性记录层5的材料磁矫顽场Hc可以在写入电场E的作用下实现从Hc1到Hc2的变化。
保护层6是用于保护磁性记录层3的一个结构。例如，可使用类金刚石非晶碳或者氧化镁等氧化物为主要成分的薄膜。此外，保护层6可以使用本技术领域中公知的用于磁性记录介质保护的任何一种薄膜材料来形成。
当然，铁电氧化物层4和磁性记录层5也可选用能够满足上述磁电耦合效应所需要的其他材料，保护层6也可选用其他适于保护磁性记录层5的材料，本发明对此并不做任何限制。
根据本实施例的一个示例，铁电氧化物层4的厚度(tFE)远大于磁性记录层5厚度(tFM)。优选地，铁电氧化物层4的厚度(tFE)与磁性记录层5的厚度(tFM)的关系满足：tFM/tFE＜0.01。经过发明者实验研究表明，当铁电氧化物层4与磁性记录层5的厚度关系满足上述关系时，通过在铁电氧化物层上施加的电场不仅可以调控磁性记录层的矫顽场变化，而在撤销铁电氧化物层上的电场后，磁性记录层的矫顽场大小状态可以保持，不会随施加电场的减小而变化，只有当施加反向电场时，该矫顽场大小才发生状态转变，这一特性保证了电写磁性存储的非易失性。
根据本发明的一个实施例，电写磁性存储器件1还包括一个信息写入装置8，信息写入装置8与底电极层3和磁性记录层5电学相连，更具体地，分别与信息写入装置8的正负极两极连通，用于将所需写入的信息转化为正向或负向的写入电场E，并将写入电场E施加到铁电氧化物层4。
如图2所示，在电写磁性存储器件1采用的多层结构中，还可增加基片层14，用于对电写磁性存储器件1的多层结构提供力学支撑。基片层14与多层结构的底电极层3相贴接并可使用本技术领域内公知的、具有平滑表面的各种非磁性衬底作为基片。
如图1-2、4-8所示，电写磁性存储器件1还包括设置在保护层6上的润滑层7。润滑层7是为了减小磁头和存储介质之间的摩擦而设置的一个结构，可使用本技术领域中公知的各种高分子润滑剂形成。
如图3所示，根据本发明的一个实施例，提供一种存储装置，其包括：如前所述的电写磁性存储器件1，电写磁性存储器件1上存储有记录信息；以及磁头装置，所述磁头装置设置在电写磁性存储器件1的上方。
所述磁头装置进一步包括读取磁头9、检验磁场发生装置10和屏蔽层11。其中：
读取磁头9用于探测存储器表面磁场状态的改变，以从电写磁性存储器件1的表面读取磁畴信息，可采用公知的本领域技术中采用的磁性记录读取磁头形成。检验磁场发生装置10为利用软磁材料磁隙12和线圈13构成的复合结构，可在磁性记录层5所在空间施加平行于磁性记录层5薄膜表面方向的大小介于第一磁矫顽场值Hc1和第二磁矫顽场值Hc2之间的检验磁场Hex。屏蔽层11设置在读取磁头9和检验磁场发生装置10的两侧，用于屏蔽读取磁头9工作时对电写磁性存储器件1上相邻的信息存储单元上存储的信息造成的干扰影响。
屏蔽层11可由本技术领域中实现磁屏蔽的任何一种薄膜材料来形成，优选含有Ni、Fe元素的合金材料。
根据本发明的一个实施例，还提供一种基于电写磁性存储器件1的信息记录方法，其包括以下步骤：根据信息形成对应的电场信息；以及在底电极层3和磁性记录层5之间施加具有所述电场信息的写入电场E。其中所述电场信息为对应于0或者1的正向或者负向电场。
根据本发明的一个实施例，还提供一种电写磁性存储器件1的制造方法，其包括下述步骤：形成铁电氧化物层4；在铁电氧化物层4上沉积磁性记录层5；在磁性记录层5上形成保护层6；在铁电氧化物层4的下表面形成底电极层3。优选地，所述电极材料为银电极材料。需要说明的是，上述的形成步骤中也可以先形成所述底电极层3并在所述底电极层3上形成所述铁电氧化物层4。由此上述的方法步骤可以根据工艺来进行调节，其也落入本发明的保护范围之内。
在电写磁性存储器件1的复合结构制备工作中通过基片清洗、靶材基片安装、基片预处理、靶材清洗、薄膜生长、退火处理等的简单步骤，选择诸如脉冲激光沉积方法、磁控溅射或化学溶液旋涂法等合适方法和合适的工艺参数即可分别制备出高质量的复合结构中的各层材料。比如，可以通过物理气相沉积法、化学溶液旋涂法、固相烧结法、固相反应烧结法中的一种来形成所述铁电氧化物层4，在铁电氧化物层4上通过磁控溅射法、射频溅射法、真空蒸镀法中的一种沉积磁性记录层5，以及在磁性记录层5上通过物理气相沉积法或者化学气相沉积法形成保护层6。本发明所提及的基于磁电效应的电写磁性存储器件1也可以通过其他的物理或者化学的方法进行沉积制备。
下面较为详细地描述根据本发明实施例的存储装置的信息写入和读取的工作过程。
图4示出了根据本发明的存储装置执行信息写入的工作过程。
本装置在工作时，其信息记录再现过程为：由信息写入装置8产生正向(或负向)的电场信息，该电场信息对应于写入信息的“0”(或“1”)，并通过底电极层3和磁性记录层5向铁电氧化物层4施加写入电场E。
由于磁电耦合效应的作用，使磁性记录层5的磁矫顽场Hc对应地变化为Hc1(或Hc2)，在写入电场E撤消后，磁性记录层5的磁矫顽场依然保持变化后的大小Hc1(或Hc2)，从而实现在电写磁性存储器件1上执行信息记录的过程。
如图4至8所示，为根据本发明的存储装置执行信息再现或者读取的工作过程。本装置在工作时，读取磁头9位于存储有所需信息的电写磁性存储器件1上方，并与所润滑层7接触，其信息读取过程为：
过程1：检验磁场发生装置10产生平行于磁性记录层5薄膜表面方向的检验磁场Hex(参见图5)；
过程2：检验磁场发生装置停止工作后读取磁头9读取电写磁性存储器件1上方表面的磁场信息H1(参见图6)；
过程3：检验磁场发生装置10产生平行于磁性记录层5薄膜表面方向的与前一环节方向相反的检验磁场Hex(参见图7)；
过程4：检验磁场发生装置10停止工作后读取磁头9读取电写磁性存储器件1上方表面的磁场信息H2(参见图8)。
其中，通过比较读取磁场信息H1与H2之间的差别，通过去除误差、噪音的处理后，若读取磁场信息H1与H2之间有明显差别，则电写磁性存储器1保存的磁矫顽场Hc小于检验磁场Hex；若读取磁场信息H1与H2之间无明显差别，则电写磁性存储器1保存的磁矫顽场Hc大于检验磁场Hex；通过数据处理过程，可以直接反馈对应存储信息“0”或“1”。
下面进一步通过实例对本发明做进一步的说明。
实例
使用磁控溅射方法在厚度为600μm的钪酸铋-钛酸铅(BSPT)铁电氧化物层上沉积厚度为420nm的铁-锗合金(Fe-Ge)非晶薄膜作为磁性记录层，在该层上面有很薄的氧化物层作为保护层。在BSPT基片下表面涂覆银电极作为底电极层。在银底电极层和磁性记录层之间施加从-19kV/cm到+19kV/cm的写入电场，形成对铁电氧化物层施加的电场。利用磁光克尔效应测试系统研究了磁性记录层的磁矫顽场随施加在铁电层上的电压的增加而变化的特性。图9给出了实例样品磁光克尔回线随写入电场E变化的变化规律，分别在不同的电场下，磁性记录层的磁性有很大的不同。图10给出了实例样品磁矫顽场Hc随写入电场E变化的变化规律，随着如图描述的施加写入电场的循环过程，可以观察到样品的矫顽场可以在去掉写入电场后进行信息保持。图11是实例样品模拟写入电信号作用下磁矫顽场Hc变化的变化规律。该结果有效地说明在磁电耦合效应作用下，可以有效地完成该器件的电写磁性存储功能。
综上所述，本发明的上述设备和方法采用多铁性磁电复合材料作为电写磁性存储器件的主要部分，利用磁电耦合作用实现了基于该电写磁性存储器件保持磁性矫顽场大小的信息存储特性，特点在于不受外界磁场干扰，有利于数据安全、完整地保存，同时利用其电写的特点，降低了能耗，提高了信息写入速度。
尽管参照本发明的多个示意性实施例对本发明的具体实施方式进行了详细的描述，但是必须理解，本领域技术人员可以设计出多种其他的改进和实施例，这些改进和实施例将落在本发明原理的精神和范围之内。具体而言，在前述公开、附图以及权利要求的范围之内，可以在零部件和/或者从属组合布局的布置方面作出合理的变型和改进，而不会脱离本发明的精神。除了零部件和/或布局方面的变型和改进，其范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (12)
1.一种电写磁性存储器件，包括：
底电极层；
铁电氧化物层，所述铁电氧化物层形成在所述底电极层上；
磁性记录层，所述磁性记录层设置在所述铁电氧化物层上，用于进行磁性记录；
保护层，所述保护层设置在所述磁性记录层上，以保护所述磁性记录层，其中
通过所述底电极层和磁性记录层向所述铁电氧化物层施加写入电场，且所述磁性记录层的磁矫顽场Hc具有对应于写入电场信息的不同磁矫顽场值；其中铁电氧化物层厚度tFE与所述磁性记录层厚度tFM的关系满足：
tFM/tFE＜0.01。
2.根据权利要求1所述的电写磁性存储器件，其中在所述电场信息中，正向电场对应于0或者1，负向电场对应于0和1中的剩余一个。
3.根据权利要求1所述的电写磁性存储器件，其中所述铁电氧化物层由下述材料中的一个来形成：钛酸钡、钛酸铅、锆钛酸铅、钪酸铋-钛酸铅材料、铌镁酸铅-钛酸铅、锌铌酸铅-钛酸铅。
4.根据权利要求1所述的电写磁性存储器件，其中所述磁性记录层由Fe、Co、Ni及其合金材料中的一种材料形成。
5.根据权利要求1所述的电写磁性存储器件，其中所述保护层由类金刚石非晶碳或氧化镁形成。
6.根据权利要求1所述的电写磁性存储器件，进一步包括：
信息写入装置，所述信息写入装置与所述底电极层和所述磁性记录层电学相连，以将写入电场施加到所述铁电氧化物层。
7.根据权利要求1所述的电写磁性存储器件，进一步包括：设置在所述保护层上的润滑层。
8.根据权利要求1所述的电写磁性存储器件，进一步包括：
基片层，所述基片层与所述底电极层相接。
9.一种存储装置，包括：
如权利要求1-8中任一项所述的电写磁性存储器件，所述电写磁性存储器件上存储有记录信息；以及
磁头装置，所述磁头装置设置在所述电写磁性存储器件的上方，用于从所述电写磁性存储器件上读写磁性记录信息；
所述磁头装置包括：
读取磁头，用于从所述电写磁性存储器件的表面读取磁畴信息；
检验磁场发生装置，所述检验磁场发生装置可在所述磁性记录层所在空间施加介于所述不同的磁矫顽场值之间的检验磁场；以及
屏蔽件，所述屏蔽件设置在所述读取磁头和所述检验磁场发生装置的两侧，以屏蔽其电磁干扰；
所述屏蔽件由含有Ni、Fe元素的合金材料形成。
10.一种基于权利要求1所述的电写磁性存储器件的信息记录再现方法，包括：
根据信息形成对应的电场信息；以及
在所述底电极层和所述磁性记录层之间施加具有所述电场信息的写入电场；
还包括：
施加平行于所述磁性记录层的表面的检验磁场；
停止施加检验磁场后，读取所述电写磁性存储器件上方的第一磁场信息；
施加平行于所述磁性记录层的表面的反向检验磁场；
停止施加所述检验磁场后，读取所述电写磁性存储器件上方的第二磁场信息，其中在第一磁场信息与所述第二磁场信息不同时，则所述电写磁性存储器件上存储的磁矫顽场小于所述检验磁场；在第一磁场信息与所述第二磁场信息相同时，则所述电写磁性存储器件上存储的磁矫顽场大于所述检验磁场，以判定存储在所述磁性存储器件上的数字信息。
11.根据权利要求10所述的信息记录再现方法，其中在所述电场信息中，正向电场对应于0或者1，负向电场对应于0和1中的剩余一个。
12.一种电写磁性存储器件的制造方法，包括下述步骤：
形成底电极层；
形成铁电氧化物层；
在所述铁电氧化物层上沉积磁性记录层；
在所述磁性记录层上形成保护层，其中所述铁电氧化物层位于所述底电极层之上；
其中通过物理气相沉积法、化学溶液旋涂法、固相烧结法、固相反应烧结法中的一种来形成所述铁电氧化物层；
其中通过磁控溅射法、射频溅射法、真空蒸镀法中的一种在所述铁电氧化物层上沉积磁性记录层；
其中通过物理气相沉积法或者化学气相沉积法在所述磁性记录层上形成保护层；
其中铁电氧化物层厚度tFE与所述磁性记录层厚度tFM的关系满足：
tFM/tFE＜0.01。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010100338768A CN101814294B (zh) | 2010-01-11 | 2010-01-11 | 电写磁性存储器件及其装置、信息记录再现及制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010100338768A CN101814294B (zh) | 2010-01-11 | 2010-01-11 | 电写磁性存储器件及其装置、信息记录再现及制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101814294A CN101814294A (zh) | 2010-08-25 |
| CN101814294B true CN101814294B (zh) | 2012-05-30 |
Family
ID=42621531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010100338768A Active CN101814294B (zh) | 2010-01-11 | 2010-01-11 | 电写磁性存储器件及其装置、信息记录再现及制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101814294B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102299256B (zh) * | 2011-07-18 | 2014-01-08 | 清华大学 | 磁电随机存储单元及具有其的磁电随机存储器 |
| CN102593348B (zh) * | 2012-03-13 | 2013-10-23 | 清华大学 | 一种非易失性电场调控磁化强度的信息存储器件 |
| US10978121B2 (en) | 2016-12-23 | 2021-04-13 | Institute Of Semiconductors, Chinese Academy Of Sciences | Voltage control magnetic random storage unit, memory and logic device composed thereby |
| CN108269594B (zh) * | 2016-12-30 | 2021-12-17 | 北京纳米能源与系统研究所 | 信息存储介质、装置和存储方法 |
| CN109873075B (zh) * | 2017-12-05 | 2021-01-01 | 清华大学 | 磁电耦合器件 |
| CN108445058B (zh) * | 2018-03-07 | 2023-06-06 | 重庆科技学院 | 多铁性液体物理特性测试装置 |
| CN110723970B (zh) * | 2019-11-13 | 2022-05-20 | 西安工业大学 | 一种温度稳定性强的高温电子陶瓷材料及制备方法 |
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| CN101609689A (zh) * | 2009-07-02 | 2009-12-23 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种基于多铁性薄膜的磁记录介质及其写入方法 |
-
2010
- 2010-01-11 CN CN2010100338768A patent/CN101814294B/zh active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101814294A (zh) | 2010-08-25 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |