KR960701508A - 레일과 레일사이의 성능이 개선된 cmos 연산 증폭기(cmos operational amplifier with improved rail to rail performance) - Google Patents

레일과 레일사이의 성능이 개선된 cmos 연산 증폭기(cmos operational amplifier with improved rail to rail performance) Download PDF

Info

Publication number
KR960701508A
KR960701508A KR1019950703349A KR19950703349A KR960701508A KR 960701508 A KR960701508 A KR 960701508A KR 1019950703349 A KR1019950703349 A KR 1019950703349A KR 19950703349 A KR19950703349 A KR 19950703349A KR 960701508 A KR960701508 A KR 960701508A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
circuit
current source
tracking
transistor
Prior art date
Application number
KR1019950703349A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100295318B1 (ko
Inventor
에디슨 퐁
니엠 뉴엔.
Original Assignee
존 엠. 클락 3세
내쇼날 세미컨덕터 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 존 엠. 클락 3세, 내쇼날 세미컨덕터 코포레이션 filed Critical 존 엠. 클락 3세
Publication of KR960701508A publication Critical patent/KR960701508A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100295318B1 publication Critical patent/KR100295318B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45183Long tailed pairs
    • H03F3/45192Folded cascode stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45183Long tailed pairs
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45479Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
    • H03F3/45632Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with FET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45636Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with FET transistors as the active amplifying circuit by using feedback means
    • H03F3/45641Measuring at the loading circuit of the differential amplifier
    • H03F3/45659Controlling the loading circuit of the differential amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45479Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
    • H03F3/45632Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with FET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45695Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with FET transistors as the active amplifying circuit by using feedforward means
    • H03F3/45699Measuring at the input circuit of the differential amplifier
    • H03F3/45708Controlling the common source circuit of the differential amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45479Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
    • H03F3/45632Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with FET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45695Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with FET transistors as the active amplifying circuit by using feedforward means
    • H03F3/45699Measuring at the input circuit of the differential amplifier
    • H03F3/45717Controlling the loading circuit of the differential amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45406Indexing scheme relating to differential amplifiers the CMCL comprising a common source node of a long tail FET pair as an addition circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45462Indexing scheme relating to differential amplifiers the CSC comprising a cascode circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45508Indexing scheme relating to differential amplifiers the CSC comprising a voltage generating circuit as bias circuit for the CSC

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

CMOS 일정 이득 연산 증폭기(20)는 2개의 서로 다른 입력회로(22, 24)를 지니는데, 그 각각은 전류원(40, 40A) 및 보상회로(45, 45A)를 지닌다. 각각의 보상회로(45, 45A)는 각각의 공급전압에 대하여 공통 성분 입력 전압을 동적으로 추적하고 각각의 차동 입력회로의 전류원을 변조시키는데 사용되는 각각의 추적 전압을 발생시킨다. 상기 공텅 성분 입력 전압에 따라 상기 전류원을 변조시킴으로써, 상기 입력회로는 연산 증폭기의 거의 전체적인 레일과 레일 사이의 범위에 걸쳐 포화 동작상태로 유지된다. 증폭단 회로(27)는 또한 고속입력 신호 과도가 존재할 경우 풀다운 트랜지스터(88, 90, 92, 94)의 바이어스를 조정하여 상기 증폭단 회로내의 풀다운 트랜지스터를 정상적인 포화동작 모드로 유지하는 동적 바이어스 조정회로(95)를 포함한다.

Description

레일과 레일사이의 성능이 개선된 CMOS 연산 증폭기(CMOS OPERATIONAL AMPLIFIER WITH IMPROVED RAIL TO RAIL PERFORMANCE)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 op amp를 간략하게 나타낸 도면이다.
제2도는 본 발명의 N-채널 입력 회로를 간략하게 나타낸 도면이다.
제3도는 본 발명의 P-채널 입력 회로를 간략하게 나타낸 도면이다.
제4도는 본 발명의 자체 바이어스용 증폭단을 간략하게 나타낸 도면이다.
제5도는 본 발명에 따라 사용될 수 있는 바이어스 회로이다.

Claims (14)

  1. V+ 입력노드 및 V- 입력노드, 상기 V+ 및 V- 입력노드에 연결되어 있으며, 상기 V+ 및 V- 입력노드중 서로 다른 노드에 연결되어 있는 게이트를 각각 지니는 한쌍의 트랜지스터, 및 상기 한쌍의 트랜지스터에 연결되어 있고 상기 한쌍의 트랜지스터에 제어가능한 전류를 공급하는 전류원을 포함하는 차동 입력회로, 및 상기 전류원 및 상기 V+ 및 V- 입력노드에 연결되어 있으며 보다 낮은 전압을 지니는 상기 V+ 및 V-신호중 한 신호에 해당하는 추적 전압을 발생시키고 상기 추적 전압에 따라 상기 전류원에 의해 공급된 상기제어가능한 전류를 변조하여 상기 한쌍의 트랜지스터를 포화된 고 이득 상태로 유지하는 전압 추적 회로를포함하는 연산 증폭기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전류원은 제2전류원 트랜지스터에 연결된 제1전류원을 포함하는 캐스코드형 트랜지스터쌍을 포함하는 연산 증폭기.
  3. 제2항에 있어서, 상기 전압 추적 회로는 상기 V+ 및 V- 입력노드중 서로 다른 노드에 연결된 게이트를 각각 지니는 제2트랜지스터쌍을 포함하는 연산 증폭기.
  4. 제3항에 있어서, 상기 전압 추적회로는 상기 추적 전압으로부터 미리 정해진 전압 오프셋을 지니는 제2추적 전압을 발생시키는 레벨 시프트 회로를 부가적으로 포함하며, 상기 추적 전압은 상기 제1전류원에 연결되어 있고, 상기 제2추적 전압은 상기 제2전류원 트랜지스터에 연결되어 있는 연산 증폭기.
  5. 제1항에 있어서, 상기 V+ 및 V- 입력노드에 연결되어 있는 제2입력회로인 제2차동 입력회로를 부가적으로 포함하며, 상기 제1 및 제2차동 입력회로가 제1 및 제2중간 출력신호를 발생시키고, 상기 제1 및 제2중간 출력신호를 결합시키는 합산 회로망을 포함하며, 상기 합산 회로망은, 상기 제1 및 제2중간 출력신호가 고속 천이를 지니는 경우 상기 풀다운 트랜지스터를 포화 동작 영역으로 유지시키도록 상기 풀다운 트랜지스터를 동적으로 바이어스시키는 바이어스 보상회로를 포함하는 증폭단 회로를 부가적으로 포함하는 연산 증폭기.
  6. 제5항에 있어서, 상기 바이어스 보상회로는 상기 제1 및 제2중간 출력의 합과 역 비례되며 상기 풀다운 트랜지스터에 연결되어 있는 제어 전압을 출력시키는 차동 회로를 포함하는 연산 증폭기.
  7. 제6항에 있어서, 상기 풀다운 트랜지스터는 2쌍의 캐스코드형 트랜지스터를 포함하고, 상기 2쌍의 캐스코드형 트랜지스터 각각의 제1트랜지스터는 상기 제어 전압에 연결되어 있으며, 상기 바이어스 보상회로는 상기 제어 전압으로부터 미리 정해진 전압 오프셋을 지니는 제2제어 전압을 발생시키는 제어 전압 레벨 시프트 회로를 포함하고, 상기 2쌍의 캐스코드형 트랜지스터 각각의 제2트랜지스터는 상기 제2제어 전압에 연결되어 있는 연산 증폭기.
  8. V+ 입력노드 및 V- 입력노드, 상기 V+ 및 V- 입력노드에 연결되어 있으며, 상기 V+ 및 V- 입력노드중 서로 다른 노드에 연결된 게이트를 각각 지니는 한쌍의 트랜지스터, 및 상기 한쌍의 트랜지스터에 연결되어 있고, 상기 한쌍의 트랜지스터에 제어가능한 전류를 공급하는 전류원을 포함하는 CMOS 차동 입력단, 및 상기 전류원 및 상기 V+ 및 V- 입력노드에 연결되어 있으며, 보다 낮은 전압을 지니는 상기 V+ 및 V- 신호중 한 신호에 해당하는 추적 전압을 발생시키고 상기 추적 전압에 따라 상기 전류원에 의해 공급된 상기 제어가능한 전류를 변조시켜 상기 한쌍의 트랜지스터를 포화된 고 이득 상태로 유지하는 CMOS 전압 추적 회로를 포함하는 CMOS 연산 증폭기.
  9. 제8항에 있어서, 상기 전류원은 제2전류원 트랜지스터에 연결된 제1전류원 트랜지스터를 포함하는 캐스코드형 트랜지스터쌍을 포함하는 CMOS 연산 증폭기.
  10. 제9항에 있어서, 상기 전압 추적 회로는 상기 V+ 및 V- 입력노드중 서로 다른 노드에 연결된 게이트를 각각 지니는 제2트랜지스터쌍을 포함하는 CMOS 연산 증폭기.
  11. 제10항에 있어서, 상기 전압 추적 회로는 상기 추적 전압으로부터 미리 정해진 전압 오프셋을 지니는 제2추적 전압을 발생시키는 레벨 시프트 회로를 부가적으로 포함하는 CMOS 연산 증폭기.
  12. 제8항에 있어서, 상기 V+ 및 V- 입력노드에 연결되어 있는 제2CMOS 일력회로인 제2CMOS 차동 입력 회로를 부가적으로 포함하며, 상기 제1 및 제2CMOS 차동 입력회로는 제1 및 제2중간 출력신호를 발생시키고, 상기 제1 및 제2중간 출력신호를 결합시키는 합산 회로망을 포함하며, 상기 합산 회로망은, 풀다운 트랜지스터에 연결된 풀업 트랜지스터, 및 상기 풀다운 트랜지스터를 동적으로 바이어스시켜 상기 제1 및 제2중간 출력신호가 고속 과도를 지닐 경우 상기 풀다운 트랜지스터를 포화동작 영역으로 유지하는 바이어스 보상회로를 포함하는 증폭단 회로를 부가적으로 포함하는 CMOS 연산 증폭기.
  13. 제12항에 있어서, 상기 바이어스 보상회로는 상기 제1 및 제2중간 출력 전압의 합에 역비례하며 상기 풀다운 트랜지스터에 연결된 제어 전압을 출력시키는 차동 회로를 포함하는 CMOS 연산 증폭기.
  14. 제13항에 있어서, 상기 풀다운 트랜지스터는 2쌍의 캐스코드형 트랜지스터를 포함하고, 상기 2쌍의 캐스코드형 트랜지스터 각각의 제1트랜지스터는 상기 제어 전압에 연결되어 있으며, 상기 바이어스 보상회로는 상기 제어 전압으로부터 미리 정해진 전압 오프셋을 지니는 제2제어 전압을 발생시키는 제어 전압 레벨 시프트 회로를 포함하는 CMOS 연산 증폭기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950703349A 1993-02-17 1994-02-16 레일과레일사이의성능이개선된cmos연산증폭기 KR100295318B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/018,093 US5334948A (en) 1993-02-17 1993-02-17 CMOS operational amplifier with improved rail-to-rail performance
US08/018093 1993-02-17
US08/018,093 1993-02-17
PCT/US1994/001733 WO1994019866A1 (en) 1993-02-17 1994-02-16 Cmos operational amplifier with improved rail-to-rail performance

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960701508A true KR960701508A (ko) 1996-02-24
KR100295318B1 KR100295318B1 (ko) 2001-09-17

Family

ID=21786195

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950703349A KR100295318B1 (ko) 1993-02-17 1994-02-16 레일과레일사이의성능이개선된cmos연산증폭기

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5334948A (ko)
EP (1) EP0685126B1 (ko)
JP (1) JP3390172B2 (ko)
KR (1) KR100295318B1 (ko)
DE (1) DE69403776T2 (ko)
WO (1) WO1994019866A1 (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5500624A (en) * 1994-11-02 1996-03-19 Motorola, Inc. Input stage for CMOS operational amplifier and method thereof
US5973956A (en) * 1995-07-31 1999-10-26 Information Storage Devices, Inc. Non-volatile electrically alterable semiconductor memory for analog and digital storage
US5764101A (en) * 1995-08-23 1998-06-09 National Semiconductor Corporation Rail-to-rail input common mode range differential amplifier that operates with very low rail-to-rail voltages
US5705921A (en) * 1996-04-19 1998-01-06 Cypress Semiconductor Corporation Low noise 3V/5V CMOS bias circuit
US5760647A (en) * 1996-06-04 1998-06-02 Motorola, Inc. High bandwidth fast settling time operational amplifier and method therefor
US5801524A (en) * 1997-05-27 1998-09-01 International Business Machines Corporation Voltage controlled current source for low voltage applications
IT1302081B1 (it) * 1998-02-27 2000-07-20 Sgs Thomson Microelectronics Generatore di fasi di tensione con aumentata capacita' di pilotaggio
US6107883A (en) 1998-09-10 2000-08-22 Seiko Epson Corporation High gain, high speed rail-to-rail amplifier
GB2344902B (en) 1998-12-18 2003-04-23 Ericsson Telefon Ab L M Level shift circuit
US6057734A (en) * 1999-01-14 2000-05-02 Seiko Epson Corporation Symmetrical analog power amplifier
JP4766769B2 (ja) 2001-04-18 2011-09-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路
JP2002314399A (ja) 2001-04-18 2002-10-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路
KR101067495B1 (ko) * 2003-05-26 2011-09-27 페어차일드코리아반도체 주식회사 레일-투-레일 차동입력단의 트랜스컨덕턴스 제어회로
US7777568B2 (en) * 2004-12-02 2010-08-17 Mandate Chips and Circuits Pvt. Ltd. High frequency receiver preamplifier with CMOS rail-to-rail capability
US7852157B2 (en) * 2008-03-13 2010-12-14 Nec Electronics Corporation Differential amplifier
CN101534101A (zh) * 2008-03-13 2009-09-16 恩益禧电子股份有限公司 差分放大器
EP2840826B1 (en) 2012-05-11 2016-07-13 Huawei Technologies Co., Ltd. Method, device and system for configuring cell range expansion bias
US9225304B1 (en) * 2014-10-24 2015-12-29 Sandisk 3D Llc Single-stage folded cascode buffer amplifiers with analog comparators
US11128287B1 (en) * 2020-03-23 2021-09-21 Analog Devices, Inc. Comparator with configurable operating modes

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4267517A (en) * 1977-12-07 1981-05-12 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Operational amplifier
US4458212A (en) * 1981-12-30 1984-07-03 Mostek Corporation Compensated amplifier having pole zero tracking
EP0355906B1 (en) * 1988-08-19 1993-11-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Voltage-to-current converters
US5006817A (en) * 1989-10-13 1991-04-09 Sierra Semiconductor Rail-to-rail CMOS operational amplifier
KR920010346B1 (ko) * 1990-05-23 1992-11-27 삼성전자 주식회사 반도체 메모리의 센스앰프 구동회로
US5059921A (en) * 1990-07-27 1991-10-22 Motorola Inc. Amplifier having two operating modes

Also Published As

Publication number Publication date
KR100295318B1 (ko) 2001-09-17
JPH08507663A (ja) 1996-08-13
JP3390172B2 (ja) 2003-03-24
WO1994019866A1 (en) 1994-09-01
US5334948A (en) 1994-08-02
DE69403776D1 (de) 1997-07-17
DE69403776T2 (de) 1997-12-18
EP0685126B1 (en) 1997-06-11
EP0685126A1 (en) 1995-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960701508A (ko) 레일과 레일사이의 성능이 개선된 cmos 연산 증폭기(cmos operational amplifier with improved rail to rail performance)
US5907259A (en) Operational amplification circuit capable of driving a high load
US6064267A (en) Current mirror utilizing amplifier to match operating voltages of input and output transconductance devices
KR890702335A (ko) Cmos 버퍼 수신기
KR910017773A (ko) 버퍼 회로
KR890009069A (ko) 레일-레일 공통 모드 범위를 갖고 있는 폴드된 캐스코드 증폭기
US6384683B1 (en) High performance intermediate stage circuit for a rail-to-rail input/output CMOS operational amplifier
US5525927A (en) MOS current mirror capable of operating in the triode region with minimum output drain-to source voltage
US5289058A (en) MOS operational amplifier circuit
US5015966A (en) Folded cascode amplifier
US6242980B1 (en) Differential amplifier circuit
JP3410704B2 (ja) 高速カレントミラー回路及び方法
KR920013704A (ko) 차동출력 파우워 cmos 연산증폭기
KR100967365B1 (ko) 반도체 집적 회로 장치
US6400219B1 (en) High-speed offset comparator
KR970008836A (ko) 고속에서 저전류 소모로 저진폭 입력 신호의 증폭이 가능한 입력 버퍼 회로를 포함하는 반도체 소자
US5057789A (en) Class AB CMOS amplifier
CN112769419A (zh) 迟滞比较器
KR940024629A (ko) 통신회로시스템
KR950016002A (ko) 3치 입력 버퍼 회로
US5162735A (en) Operational amplifier circuit with improved gain of feedback loop
EP0574981B1 (en) Oscillator circuit having 50% duty cycle
US5864228A (en) Current mirror current source with current shunting circuit
KR900011132A (ko) 전류미러(current mirror)
JP4342475B2 (ja) 光電気変換回路

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120409

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130329

Year of fee payment: 13

EXPY Expiration of term