KR960042908A - 공간적으로 분리된 수직 및 수평 이미지 평면을 지니며 포토리도그래피 기법에서 사용하는 조명 장치 - Google Patents

공간적으로 분리된 수직 및 수평 이미지 평면을 지니며 포토리도그래피 기법에서 사용하는 조명 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR960042908A
KR960042908A KR1019960017715A KR19960017715A KR960042908A KR 960042908 A KR960042908 A KR 960042908A KR 1019960017715 A KR1019960017715 A KR 1019960017715A KR 19960017715 A KR19960017715 A KR 19960017715A KR 960042908 A KR960042908 A KR 960042908A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
beam expander
image plane
lens
lens array
horizontal
Prior art date
Application number
KR1019960017715A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100411833B1 (ko
Inventor
오스코트스키 마크
Original Assignee
에드워드 에이. 도링
에스브이지 리도그래피 시스템즈, 아이엔씨.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에드워드 에이. 도링, 에스브이지 리도그래피 시스템즈, 아이엔씨. filed Critical 에드워드 에이. 도링
Publication of KR960042908A publication Critical patent/KR960042908A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100411833B1 publication Critical patent/KR100411833B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70066Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/22Telecentric objectives or lens systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70983Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)

Abstract

공간적으로 분리된 수평 및 수직의 중간 이미지 평면을 지니는 조명 장치. 빔 확대기는 레이저 빔을 확대하고 광을 렌즈 어레이(lens array)로 향하게 하는 데 사용된다. 집광기(condenser)는 렌즈 어레이로부터 공간적으로 분리된 수직 및 수평의 중간 이미지 평면내로 광을 투영하고 집중한다. 릴레이(relay)는 단일 평면에 있는 공간적으로 분리된 수직 및 수평의 중간 이미지 평면을 레티클(reticle)에서 재 이미징한다. 이에 의해서 레티클의 이미지(image)는 웨이퍼 상에 투영된다. 폭 조정 수단 및 높이 조정 수단은 수평 및 수직의 중간 이미지 평면 각각에 배치된다. 줌가능(zoomable)한 빔 확대기는 광의 손실없이 양 평면에서 부분 간섭성(pa rtialcoherence)을 독립적으로 변경시키는데 사용된다. 변경가능한 렌즈 어레이는 광의 손실없이 조명 장치의 시야(view)의 2차원 필드(field)를 독립적으로 변경시키는데 사용된다. 물리적으로 분리된 수평 및 수직의 중간 이미지 평면은 바람직한 직각 조명의 수직 높이 및 수평 폭의 전반에 걸쳐 제어를 용이하게 하도록 한다. 상기 직각 조명은 회로의 제조에서 주사형 포토리도그래피(scanning type photoli-thography)에 필요한 웨이퍼 상에 투영용 레티클을 주사하는데 사용된다.

Description

공간적으로 분리된 수직 및 수평 이미지 평면을 지니며 포토리도그래피 기법에서 사용하는 조명 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 광학 조명 장치의 일 실시예에 대한 개략도이다.

Claims (27)

  1. 빔 확대기(beam expander): 상기 빔 확대기의 다음에 위치하는 렌즈 어레이 (lens array); 상기 렌즈 어레이의 다음에 위치하는 집광기로서, 서로 다른 광학적 위치에서 수평 이미지 평면과 수직 이미지 평면을 지니는 집광기(conderser); 및 상기 집광기의 다음에 릴레이(relay)가 위치하여, 상기 빔 확대기에 입사하는 광은 상기 렌즈 어레이로 향하며, 상기 집광기에 의해 공간적으로 분리된 두개의 평면내에 재 이미징되는 릴레이를 포함하는 포토리도그래피(photolithography)용 조명 장치.
  2. 제1항에 있어서, 조명 소오스(illumination source)를 부가적으로 포함하는 조명 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 조명 소오스는 레이저인 조명 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 레이저는 엑시머(excimer) 레이저인 조명 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 빔 확대기는 줌(zoom) 빔 확대기인 조명 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 빔 확대기는 구면(spherical)의 줌 빔 확대기인 조명 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 빔 확대기는 원주형(cylindrical) 줌 빔 확대기인 조명 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 렌즈 어레이는 마이크로렌즈 어레이인 조명 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 렌즈 어레이는 회절 격자(diffraction grating) 어레이인 조명 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 렌즈 어레이는 2진(binary) 어레이인 조명 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 렌즈 어레이는 구면인 조명 장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 렌즈 어레이는 원주형인 조명 장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 집광기는 구면 및 원주형 렌즈로 구성되는 조명 장치.
  14. 제1항에 있어서, 상기 릴레이는 구면 및 원주명 렌즈로 구성되는 조명 장치.
  15. 제1항에 있어서, 레티클에서 조명된 필드의 폭을 조정하기 위한, 수평 이미지 평면에 배치된 폭 조정 수단; 및 레티클에서 상기 조명된 필드의 높이를 조정하기 위한, 수직 이미지 평면에 배치된 높이 조정 수단을 부가적으로 포함하는 조명 장치.
  16. 제15항에 있어서, 조명 선량(illumination dose)을 조정하기 위한, 이미지 평면의 근처에 배치된 조명 조정 수단을 부가적으로 포함하는 조명 장치.
  17. 줌 빔 확대기 : 상기 줌 빔 확대기의 다음에 위치하는 렌즈 어레이; 상기 렌즈 어레이의 다음에 위치하는 집광기 렌즈 군(lens group)으로서, 제1의 구면 렌즈, 제1의 원주형 렌즈, 포물선 면을 지니는 제2의 구면 렌즈, 및 제3의 원자형 렌즈를 끝에서 끝까지 포함하며, 서로 다른 공간적 위치에서 수평 이미지 평면 및 수직 이미지 평면을 지니는 집광기 렌즈 군; 및 상기 콘덴서 렌즈 군의 다음에 위치하는 릴레이 렌즈 군으로서, 제3의 구면 렌즈, 제4의 원주형 렌즈, 제5의 원주형 렌즈, 포물선 면을 지니는 제4의 구면 렌즈, 타원형 면을 지니는 제5의 구면 렌즈, 및 제6의 구면 렌즈를 끝에서 끝까지 포함하여, 줌 빔 확대기에 입사하는 광은 상기 렌즈 어레이로 향하고 상기 집광기에 의해 두개의 공간적으로 분리된 평면내에 이미징되며 상기 릴레이에 의해 레티클에 있는 단일 평면내에 재 이미징되는 릴레이 렌즈 군을 포함하는 포토리도그래피용 조명 장치.
  18. 제17항에 있어서, 레티클에서 조명된 필드의 폭을 조정하기 위한, 수평 이미지 평면에 배치된 폭 조정 수단; 및 레티클에서 상기 조명된 필드의 높이를 조정하기 위한, 수직 이미지 평면에 배치된 높이 조정 수단을 부가적으로 포함하는 조명 장치.
  19. 줌 빔 확대기; 상기 줌 빔 확대기의 다음에 위치하는 렌즈 어레이; 및 표 1의 광학적 규정에 따라서 구성된, 상기 렌즈 어레이의 다음에 위치하는 집광기 및 릴레이 렌즈 군을 포함하는 포토리도그래피용 조명 장치.
  20. 제19항에 있어서, 레이저 조명 소오스를 부가적으로 포함하는 조명 장치.
  21. 줌 빔 확대기; 상기 줌 빔 확대기의 다음에 위치하는 렌즈 어레이: 및 표 2의 광학적 규정에 따라서 구성된, 상기 렌즈 어레이의 다음에 위치하는 집광기 및 릴레이 렌즈 군을 포함하는 포토리도그래피용 조명 장치.
  22. 제21항에 있어서, 레이저 조명 소오스를 부가적으로 포함하는 조명 장치.
  23. 조명 소오스; 상기 조명 소오스의 다음에 위치하는 빔 확대기; 상기 빔 확대기의 다음에 위치하는 렌즈 어레이에 있어서, 상기 빔 확대기 및 상기 렌즈 어레이는 수평면 내에 미리 결정된 제1의 개구수 및 수직면내에 제2의 개구수를 제공하는 렌즈 어레이; 상기 렌즈 어레이의 다음에 위치하는 집광기로서, 수평 이미지 평면 및 수직 이미지 평면을 지니며, 상기 수직 이미지 평면은 상기 수평 이미지 평면으로부터 공간적으로 분리되는 집광기; 상기 집광기의 다음에 위치하는 릴레이로서, 수평 이미지 평면과 수직 이미지 평면을 레티클에서의 단일 조명판에 컨주게이트(conjugate)하며, 수평면 내에 제1의 배율 및 수직면 내에 제2의 배율을 지니는 릴레이를 포함하는 포토리도그래피용 조명 장치.
  24. 제23항에 있어서, 상기 제1의 배율 및 제2의 배율로 서로 다른 조명 장치.
  25. 제23항에 있어서, 상기 제1의 개구수 및 제2개구수는 서로 다른 조명 장치.
  26. 제23항에 있어서, 상기 수평 이미지 평면의 폭을 조정하기 위한, 상기 수평 이미지 평면과 연관된 폭 조정 수단; 및 상기 수평 이미지 평면의 높이를 조정하기 위한, 상기 수직 이미지 평면과 연관된 높이 조정 수단을 부가적으로 포함하여, 미리 결정된 직각 조명 필드는 레티클에서 형성되는 조명 장치.
  27. 제23항에 있어서, 상기 제1의 배율은 0.7과 1.2 사이의 범위에 있으며, 상기 제2의 배율은 0.8과 1.3 사이의 범위에 있는 조명 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960017715A 1995-05-24 1996-05-23 공간적으로분리된수직및수평이미지평면을지니며포토리도그래피기법에서사용하는조명장치 KR100411833B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/448,994 US5724122A (en) 1995-05-24 1995-05-24 Illumination system having spatially separate vertical and horizontal image planes for use in photolithography
US95-08/448,994 1995-05-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960042908A true KR960042908A (ko) 1996-12-21
KR100411833B1 KR100411833B1 (ko) 2004-04-17

Family

ID=23782458

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960017715A KR100411833B1 (ko) 1995-05-24 1996-05-23 공간적으로분리된수직및수평이미지평면을지니며포토리도그래피기법에서사용하는조명장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5724122A (ko)
EP (1) EP0744663B1 (ko)
JP (1) JP3913288B2 (ko)
KR (1) KR100411833B1 (ko)
CA (1) CA2177199A1 (ko)
DE (1) DE69605479T2 (ko)

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09257644A (ja) * 1996-03-26 1997-10-03 Topcon Corp レンズメーター
EP0829035B1 (en) * 1996-04-01 2001-11-28 ASM Lithography B.V. Scanning-slit exposure device
JPH10209028A (ja) * 1997-01-16 1998-08-07 Nikon Corp 照明光学装置及び半導体素子の製造方法
US6027865A (en) * 1997-02-10 2000-02-22 Texas Instruments Incorporated Method for accurate patterning of photoresist during lithography process
US6013401A (en) * 1997-03-31 2000-01-11 Svg Lithography Systems, Inc. Method of controlling illumination field to reduce line width variation
EP0881542A1 (en) * 1997-05-26 1998-12-02 Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno Lithography system
US5844727A (en) * 1997-09-02 1998-12-01 Cymer, Inc. Illumination design for scanning microlithography systems
JP4238390B2 (ja) * 1998-02-27 2009-03-18 株式会社ニコン 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法
US6833904B1 (en) 1998-02-27 2004-12-21 Nikon Corporation Exposure apparatus and method of fabricating a micro-device using the exposure apparatus
JP3530769B2 (ja) * 1999-05-10 2004-05-24 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた光加工機
US6307682B1 (en) 2000-02-16 2001-10-23 Silicon Valley Group, Inc. Zoom illumination system for use in photolithography
US6509952B1 (en) 2000-05-23 2003-01-21 Silicon Valley Group, Inc. Method and system for selective linewidth optimization during a lithographic process
US6611387B1 (en) 2000-09-29 2003-08-26 Intel Corporation Adjustment of the partial coherence of the light energy in an imaging system
TW528879B (en) * 2001-02-22 2003-04-21 Ishikawajima Harima Heavy Ind Illumination optical system and laser processor having the same
DE10144244A1 (de) 2001-09-05 2003-03-20 Zeiss Carl Zoom-System, insbesondere für eine Beleuchtungseinrichtung
US6813003B2 (en) * 2002-06-11 2004-11-02 Mark Oskotsky Advanced illumination system for use in microlithography
US6888615B2 (en) * 2002-04-23 2005-05-03 Asml Holding N.V. System and method for improving linewidth control in a lithography device by varying the angular distribution of light in an illuminator as a function of field position
US6784976B2 (en) * 2002-04-23 2004-08-31 Asml Holding N.V. System and method for improving line width control in a lithography device using an illumination system having pre-numerical aperture control
EP1482363A1 (en) 2003-05-30 2004-12-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
EP1491960B1 (en) * 2003-05-30 2012-04-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US20060268251A1 (en) * 2003-07-16 2006-11-30 Markus Deguenther Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus
AU2003273925A1 (en) * 2003-09-26 2005-04-14 Carl Zeiss Smt Ag Method of determining optical properties and projection exposure system comprising a wave front detection system
JP2005309380A (ja) * 2004-03-26 2005-11-04 Fuji Photo Film Co Ltd 画像露光装置
JP2005310942A (ja) 2004-04-20 2005-11-04 Canon Inc 露光装置、露光方法、及びそれを用いたデバイス製造方法
US8525075B2 (en) * 2004-05-06 2013-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus
US20070285644A1 (en) * 2004-09-13 2007-12-13 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic Projection Exposure Apparatus
US7382439B2 (en) * 2005-05-31 2008-06-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070127005A1 (en) * 2005-12-02 2007-06-07 Asml Holding N.V. Illumination system
US7397535B2 (en) 2005-12-21 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7884921B2 (en) * 2006-04-12 2011-02-08 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, projection exposure apparatus, projection optical system, and device manufacturing method
JP5158439B2 (ja) * 2006-04-17 2013-03-06 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP5171061B2 (ja) * 2007-02-20 2013-03-27 キヤノン株式会社 駆動機構
JP2008270571A (ja) * 2007-04-20 2008-11-06 Canon Inc 照明光学装置、引き回し光学系、露光装置及びデバイス製造方法
US8290358B1 (en) * 2007-06-25 2012-10-16 Adobe Systems Incorporated Methods and apparatus for light-field imaging
WO2009020977A1 (en) * 2007-08-06 2009-02-12 Adobe Systems Incorporated Method and apparatus for radiance capture by multiplexing in the frequency domain
US8081296B2 (en) * 2007-08-09 2011-12-20 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8244058B1 (en) 2008-05-30 2012-08-14 Adobe Systems Incorporated Method and apparatus for managing artifacts in frequency domain processing of light-field images
GB2460648A (en) * 2008-06-03 2009-12-09 M Solv Ltd Method and apparatus for laser focal spot size control
NL2002295C2 (en) * 2008-12-05 2009-12-14 Michel Robert Ten Wolde Illumination system including a variety of illumination devices.
US8189089B1 (en) 2009-01-20 2012-05-29 Adobe Systems Incorporated Methods and apparatus for reducing plenoptic camera artifacts
US8228417B1 (en) 2009-07-15 2012-07-24 Adobe Systems Incorporated Focused plenoptic camera employing different apertures or filtering at different microlenses
US8345144B1 (en) 2009-07-15 2013-01-01 Adobe Systems Incorporated Methods and apparatus for rich image capture with focused plenoptic cameras
US8817015B2 (en) 2010-03-03 2014-08-26 Adobe Systems Incorporated Methods, apparatus, and computer-readable storage media for depth-based rendering of focused plenoptic camera data
KR101238571B1 (ko) * 2010-08-20 2013-02-28 최원영 오염하천의 바닥청소에 의한 수질환경개선 방법 및 그 장치
US8749694B2 (en) 2010-08-27 2014-06-10 Adobe Systems Incorporated Methods and apparatus for rendering focused plenoptic camera data using super-resolved demosaicing
US8724000B2 (en) 2010-08-27 2014-05-13 Adobe Systems Incorporated Methods and apparatus for super-resolution in integral photography
US8665341B2 (en) 2010-08-27 2014-03-04 Adobe Systems Incorporated Methods and apparatus for rendering output images with simulated artistic effects from focused plenoptic camera data
US8803918B2 (en) 2010-08-27 2014-08-12 Adobe Systems Incorporated Methods and apparatus for calibrating focused plenoptic camera data
KR101758958B1 (ko) * 2011-02-28 2017-07-17 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 조명 시스템
US9030550B2 (en) 2011-03-25 2015-05-12 Adobe Systems Incorporated Thin plenoptic cameras using solid immersion lenses
EP3248037B1 (en) * 2015-01-20 2018-09-26 3i - Impresa Ingegneria Italia S.r.L. Image-acquiring equipment equipped with telecentric optical objective with primary cylindrical lens
US10942456B1 (en) * 2020-01-17 2021-03-09 National Applied Research Laboratories Device of light source with diode array emitting high-uniformity ultraviolet

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4516832A (en) * 1982-06-23 1985-05-14 International Business Machines Corporation Apparatus for transformation of a collimated beam into a source of _required shape and numerical aperture
US4619508A (en) * 1984-04-28 1986-10-28 Nippon Kogaku K. K. Illumination optical arrangement
JPS60232552A (ja) * 1984-05-02 1985-11-19 Canon Inc 照明光学系
US4851882A (en) * 1985-12-06 1989-07-25 Canon Kabushiki Kaisha Illumination optical system
US4939630A (en) * 1986-09-09 1990-07-03 Nikon Corporation Illumination optical apparatus
US4918583A (en) * 1988-04-25 1990-04-17 Nikon Corporation Illuminating optical device
US5121160A (en) * 1989-03-09 1992-06-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure method and apparatus
JP3360686B2 (ja) * 1990-12-27 2002-12-24 株式会社ニコン 照明光学装置および投影露光装置並びに露光方法および素子製造方法
JPH04369209A (ja) * 1991-06-17 1992-12-22 Nikon Corp 露光用照明装置
JPH05217855A (ja) * 1992-02-01 1993-08-27 Nikon Corp 露光用照明装置
JP3075381B2 (ja) * 1992-02-17 2000-08-14 株式会社ニコン 投影露光装置及び転写方法
US5320918A (en) * 1992-12-31 1994-06-14 At&T Bell Laboratories Optical lithographical imaging system including optical transmission diffraction devices
JP3278277B2 (ja) * 1994-01-26 2002-04-30 キヤノン株式会社 投影露光装置及びこれを用いたデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0744663B1 (en) 1999-12-08
EP0744663A1 (en) 1996-11-27
JP3913288B2 (ja) 2007-05-09
DE69605479D1 (de) 2000-01-13
US5724122A (en) 1998-03-03
CA2177199A1 (en) 1996-11-25
JPH097941A (ja) 1997-01-10
DE69605479T2 (de) 2000-04-27
KR100411833B1 (ko) 2004-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960042908A (ko) 공간적으로 분리된 수직 및 수평 이미지 평면을 지니며 포토리도그래피 기법에서 사용하는 조명 장치
US7714983B2 (en) Illumination system for a microlithography projection exposure installation
JP3559330B2 (ja) レチクルマスキングシステムを有する光学系の照明手段
KR101736549B1 (ko) 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 시스템
JP3264224B2 (ja) 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
TW396397B (en) Illumination system and exposure apparatus having the same
KR960042228A (ko) 포토리도그래피 기법에서 사용하는 혼성(hybrid) 조명 장치
US8164740B2 (en) Illumination system coherence remover with two sets of stepped mirrors
KR101813307B1 (ko) 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 시스템
US6243206B1 (en) Illuminating system for vacuum ultraviolet microlithography
US5745294A (en) Illuminating optical apparatus
JP3634782B2 (ja) 照明装置、それを用いた露光装置及びデバイス製造方法
JPH0552487B2 (ko)
US9046787B2 (en) Microlithographic projection exposure apparatus
CN101796460A (zh) 微光刻投射曝光设备中用于照明掩模的照明系统
KR950024024A (ko) 투영노광장치 및 이를 이용한 디바이스 제조방법
JP3428055B2 (ja) 照明光学装置、露光装置、半導体製造方法および露光方法
JP2004055856A (ja) 照明装置、それを用いた露光装置及びデバイス製造方法
US20040218164A1 (en) Exposure apparatus
KR100334147B1 (ko) 레티클-마스킹시스템을갖는광학시스템용조명장치
JPH0744141B2 (ja) 照明光学装置
JP3415571B2 (ja) 走査露光装置、露光方法及び半導体製造方法
WO2007137763A2 (en) Illumination system for a microlithography projection exposure apparatus and projection exposure
JPH04256944A (ja) 照明装置及び投影露光装置
JP2003178951A5 (ko)

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131129

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141201

Year of fee payment: 12

EXPY Expiration of term