KR960036131A - 전계 효과형 반도체 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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다카시 마루카와
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무라따 야스따까
가부시끼가이샤 무라따 세이사꾸쇼
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Abstract

본 발명의 전계 효과형 반도체 장치는, 그 상면에 제1의 리세스를 갖는 활성층과, 제1방향으로 연장되는 제1의 리세스와, 제1의 리세스의 일측 위에 있어서 활성층 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극과, 제1의 리세스의 저면에 형성된 게이트 전극을 포함한다. 제2의 리세스는 제1의 리세스와 드레인 전극 사이에 있어서 활성층의 상면에 형성된다. 제2의 리세스는 제1의 리세스보다 얕게 되어 있는 것이 바람직하다.

Description

전계 효과형 반도체 장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (9)

  1. 그 상면 위에 제1의 리세스를 갖는 활성층과, 제1의 리세스가 그 사이에 위치하도록 활성층상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 소스전극 및 드레인 전극간에 있어서 능동층의 상면에 형성된 제1의 리세스와, 제1의 리세스 내에 형성된 게이트 전극과, 제1의 리세스 및 상기 드레인 전극간에 있어서 능동층의 상면에 형성된 제2의 리세스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 효과형 반도체 장치
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2의 리세스는 상기 제1의 리세스보다도 얕은 것을 특징으로 하는 전계 효과형 반도체 장치
  3. 능동층의 상면에 피막을 형성하는 공정과 제1 및 제2의 리세를 형성하고자 하는 위치에 있어서 당해 피막에 동시에 개구를 형성하는 공정과, 당해 피막에 형성된 각각의 개구를 통하여 상기 능동층을 에칭함으로써 제1의 리세스 및 제2의 리세스를 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 효과형 반도체 장치의 제조방법
  4. 제3항에 있어서, 상기 제2의 리세스가 제1의 리세스보다 얕은 것을 특징으로 하는 전계 효과형 반도체 장치의 제조방법
  5. 능동층의 상면에 피막을 형성하는 공정과, 제1 및 제2의 리세스를 형성하고자 하는 위치에 있어서 당해 피막에 제1 및 제2의 개구를 동시에 형성하는 공정과 상기 제1의 개구 및 제2의 개구 중의 일측개구를 레지스트 재료에 의하여 막고, 타측의 개구를 통하여 제1 및 제2의 리세스 중의 하나를 형성하는 공정과, 레지스트재료로 막힌 일측의 개구를 다시 개구시킴과 아울러 타측의 개구를 레지스트 재료에 의하여 막고 다시 개구된 개루를 통하여 제1 및 제2의 리세스 중의 다른 하나를 형성하는 공정을 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 효과형 반도체 장치의 제조방법
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2의 리세스가 상기 제1의 리세스보다 얕은 것을 특징으로 하는 전계 효과형 반도체 장치
  7. 능동층의 상면에 있어서, 제1의 리세스를 형성하고자 하는 영역을 제외하고, 적어도 제2의 리세스를 형성하고자 하는 영역에 제1의 피막을 형성하는 공정과, 당해 제1의 피막의 위로부터 능동층의 상면에 제2의 피막을 형성하는 공정과, 제1 및 제2의 리세스를 형성하고자 하는 위치에 있어서 적어도 제2의 피막을 동시에 개구하는 공정과, 당해 제2의 피막의 개구를 통하여 상기 능동층을 에칭함으로써 제1의 리세스를 형성하는 공정과, 제2의 피막의 개구 및 제2의 피막의 개구와 일치시켜 제1의 피막에 형성된 개구를 통하여 상기 능동층을 에칭함으로써 제2의 리세스를 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 효과형 반도체 장치의 제조방법
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1의 리세스튼 제2의 리세스보다 얕은 것을 특징으로 하는 전계 효과형 반도체 장치의 제조방법
  9. 제1의 피막과 제2의 피막의 에칭특성의 차이를 이용하여 제2의 리세스를 제1의 리세스보다도 얕게 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 효과형 반도체 장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960009593A 1995-03-30 1996-03-30 전계 효과형 반도체 장치 및 그 제조방법 KR960036131A (ko)

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JP1995-99535 1995-03-30
JP7099535A JPH08274118A (ja) 1995-03-30 1995-03-30 電界効果型半導体装置及びその製造方法

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EP0735593A1 (en) 1996-10-02

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