KR960034346A - 레지스트 표면의 반사-방지를 위한 코팅용 조성물 - Google Patents

레지스트 표면의 반사-방지를 위한 코팅용 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR960034346A
KR960034346A KR1019960008045A KR19960008045A KR960034346A KR 960034346 A KR960034346 A KR 960034346A KR 1019960008045 A KR1019960008045 A KR 1019960008045A KR 19960008045 A KR19960008045 A KR 19960008045A KR 960034346 A KR960034346 A KR 960034346A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
water
composition
fluorine compound
soluble fluorine
resist
Prior art date
Application number
KR1019960008045A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100404951B1 (ko
Inventor
미네오 니시
다다시 데라모또
Original Assignee
미우라 아끼라
미쓰비시가가꾸 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미우라 아끼라, 미쓰비시가가꾸 가부시끼가이샤 filed Critical 미우라 아끼라
Publication of KR960034346A publication Critical patent/KR960034346A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100404951B1 publication Critical patent/KR100404951B1/ko

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D129/00Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal, or ketal radical; Coating compositions based on hydrolysed polymers of esters of unsaturated alcohols with saturated carboxylic acids; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D129/10Homopolymers or copolymers of unsaturated ethers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

본 발명은 수용성의 불소 화합물과 물을 주성분으로 함유하는, 레지스트 표면의 반사-방지를 유한 코팅용 조성물에 관한 것으로서, 수용성의 불소 화합물은 (A) 20℃, 1기압에서 고체 상태인 수용성의 불소화합물과, (B) 20℃, 1기압에서는 액체 상태이고 1기압하에서 적어도100℃의 끓는 점을 가지는 수용성의 불소 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.

Description

레지스트 표면의 반사-방지를 위한 코팅용 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (7)

  1. 수용성의 불소 화합물과 물을 주성분으로 함유하는, 레지스트 표면의 반사-방지를 위한 코팅용 조성물로서, 수용성의 불소 화합물은 (A) 20℃, 1기압에서 고체 상태인 수용성의 불소화합물과, (B) 20℃, 1기압에서는 액체 상태이고 1기압하에서 적어도 100℃의 끓는 점을 가지는 수용성의 불소 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트의 반사-방지 코팅용 조성물.
  2. 제1항에 있어서, (A) 20℃, 1기압에서 고체 상태인 수용성의 불소 화합물은 퍼플루오로알킬술폰산, 퍼플루오로알킬카르복실산, 퍼플루오로알킬폴리에테르술폰산, 퍼플루오로알킬폴리에테르카르복실산 그리고 그것들의 염들로 이루어져 있는 군에서 선택되는 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는 레지스트의 반사-방지 코팅용 조성물.
  3. 제1항에 있어서, (B) 20℃, 1기압에서는 액체 상태이고 1기압하에서 적어도 100℃의 끓는 점을 가지는 수용성의 불소 화합물은 25℃에서 적어도 3센티포아즈(cP)의 점성도를 갖는 것을 특징으로 하는 레지스트의 반사-방지 코팅용 조성물.
  4. 제1항에 있어서, (B) 20℃, 1기압에서는 액체상태이고 1기압하에서 적어도 100℃의 끓는 점을 가지는 수용성의 불소 화합물은 다음의 식(I)을 갖는 화합물인 것을 특징으로 하는 레지스트의 반사-방지 코팅용 조성물 :
    (여기서 R1은 불소에 의해 치환되는 알킬기이며; R2는 불소로 치환될 수 있는 알킬렌기이고; X1, X2, X3, X4및 X5는 독립적으로 수소 원자 혹은 불소 원자이며; m과 n은 각각 0에서 5까지의 정수임).
  5. 제1항에 있어서, (B) 20℃, 1기압에서는 액체 상태이고 1기압하에서 적어도 100℃의 끓는 점을 가지는 수용성의 불소 화합물은 퍼플루오로알킬폴리에테르술폰산, 퍼플루오로아릴폴리에테르카르복실산 그리고 그것들의 염으로 이루어져 있는 군에서 선택되는 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는 레지스트의 반사-방지 코티용 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 퍼플루오로알킬폴리에테르카르복실산은 중량평균 분자량이 최대 6,000인 것을 특징으로 하는 레지스트의 반사-방지 코팅용 조성물.
  7. 포토레지스트 조성물을 기판에 코팅하는 단계; 얻어진 포토레지스트에 레지스트의 반사-방지 코팅용 조성물을 코팅하는 단계; 포토레지스트와 얻어진 레지스트의 반사-방지 코팅막을 노광시켜 특정 패턴이 형성되도록 하는 단계; 그리고 그 포토레지스트를 알칼리성 수용액으로 현상시키는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법에 있어서, 제1항 내지 제6항의 어느 한 항에 따른 조성물을 상기 레지스트의 반사-방지 코팅용 조성물로 사용하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960008045A 1995-03-23 1996-03-23 레지스트표면의반사-방지코팅용조성물 KR100404951B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6413295 1995-03-23
JP95-64132 1995-03-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960034346A true KR960034346A (ko) 1996-10-22
KR100404951B1 KR100404951B1 (ko) 2005-02-02

Family

ID=13249253

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960008045A KR100404951B1 (ko) 1995-03-23 1996-03-23 레지스트표면의반사-방지코팅용조성물

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5611850A (ko)
EP (1) EP0736809B1 (ko)
KR (1) KR100404951B1 (ko)
DE (1) DE69610572T2 (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3694703B2 (ja) * 1996-04-25 2005-09-14 Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 反射防止コーティング用組成物
JP2001142221A (ja) * 1999-11-10 2001-05-25 Clariant (Japan) Kk 反射防止コーティング用組成物
KR100400331B1 (ko) * 1999-12-02 2003-10-01 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트 오버코팅용 조성물 및 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성방법
JP3320402B2 (ja) * 2000-06-26 2002-09-03 クラリアント ジャパン 株式会社 現像欠陥防止プロセス及び材料
DE10045793C2 (de) * 2000-09-15 2002-07-18 Zeiss Carl Verfahren zum Strukturieren eines Substrats
JP2003345026A (ja) * 2002-05-24 2003-12-03 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 反射防止膜形成用塗布液組成物およびこれを用いたホトレジスト積層体、並びにホトレジストパターンの形成方法
JP3707780B2 (ja) * 2002-06-24 2005-10-19 東京応化工業株式会社 パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法
JP3851594B2 (ja) * 2002-07-04 2006-11-29 Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 反射防止コーティング用組成物およびパターン形成方法
EP1589082A4 (en) * 2003-01-29 2007-05-30 Asahi Glass Co Ltd COATING COMPOSITION, ANTI-REFLECTIVE FILM, PHOTORESIN, AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME
TWI362566B (en) 2004-06-30 2012-04-21 Dainippon Ink & Chemicals Composition for antireflection coating and pattern forming method
KR100966197B1 (ko) * 2004-12-03 2010-06-25 제이에스알 가부시끼가이샤 반사 방지막 형성용 조성물, 적층체 및 레지스트 패턴의형성 방법
JP2006301524A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 保護膜形成用材料およびこれを用いたレジストパターン形成方法
US7989568B2 (en) 2008-11-13 2011-08-02 E.I. Du Pont De Nemours And Company Fluorosulfonates
US20230056958A1 (en) * 2021-08-06 2023-02-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist developer and methods of use

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58213057A (ja) * 1982-06-04 1983-12-10 Dainippon Ink & Chem Inc 被覆用組成物
US4514537A (en) * 1984-02-09 1985-04-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Tetrafluoroethylene polymer dispersions
JP2643056B2 (ja) * 1991-06-28 1997-08-20 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 表面反射防止コーティング形成組成物及びその使用
WO1993024860A1 (en) * 1992-06-02 1993-12-09 Mitsubishi Kasei Corporation Composition for forming anti-reflection film on resist and pattern formation method
US5330883A (en) * 1992-06-29 1994-07-19 Lsi Logic Corporation Techniques for uniformizing photoresist thickness and critical dimension of underlying features

Also Published As

Publication number Publication date
KR100404951B1 (ko) 2005-02-02
EP0736809B1 (en) 2000-10-11
DE69610572T2 (de) 2001-05-31
EP0736809A1 (en) 1996-10-09
US5611850A (en) 1997-03-18
DE69610572D1 (de) 2000-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960034346A (ko) 레지스트 표면의 반사-방지를 위한 코팅용 조성물
US5372924A (en) Antistatic plastic moldings
TW544551B (en) Composition for stripping photoresist and organic materials from substrate surfaces
TWI364441B (en) Organosilicone resin emulsion composition and article having coating thereof
KR100326617B1 (ko) 현상제 잔류물을 감소시키기 위한 수성 현상 용액
EP2598589B1 (en) A composition for coating over a photoresist pattern
KR950024020A (ko) 비이온성 탄화 플루오르 계면 활성제를 갖는 수인성 감광성 내식막
KR940004384A (ko) 반사 방지막 및 레지스트 패턴의 형성 방법
MY117818A (en) Anti-reflective coating composition
CN101963758A (zh) 杯芳烃混合分子玻璃光致抗蚀剂及使用方法
KR960011556A (ko) 수용성 막형성 조성물
KR950001415A (ko) 포토레지스트 조성물
EP1225480A3 (en) Radiation-sensitive resin composition
KR20050075328A (ko) 반사 방지 코팅용 조성물 및 패턴 형성방법
KR940022179A (ko) 방사선-민감성 혼합물, 및 콘트라스트가 개선된 릴리이프 구조의 제조방법
TWI223735B (en) Aqueous developing solutions for reduced developer residue
JPS5740525A (en) Aqueous dispersion
KR20200124252A (ko) 기판 친수화 처리제
JPH01105246A (ja) 水なしオフセツト印刷法を使用する印刷版のための現像剤
KR100376611B1 (ko) 현상제 잔류물을 감소시키기 위한 수성 현상 용액
ES2160096T3 (es) Composicion de resina epoxidica emulsionable en agua.
MY117828A (en) Antireflective coating material for photoresists.
US20170010537A1 (en) Pattern forming process
KR960037871A (ko) 오염물 피막을 금속 표면으로부터 제거하는 방법
KR910012217A (ko) 계면활성제 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee