KR960032571A - NbN 전극을 사용한 진공기밀소자 - Google Patents

NbN 전극을 사용한 진공기밀소자 Download PDF

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KR960032571A
KR960032571A KR1019960003253A KR19960003253A KR960032571A KR 960032571 A KR960032571 A KR 960032571A KR 1019960003253 A KR1019960003253 A KR 1019960003253A KR 19960003253 A KR19960003253 A KR 19960003253A KR 960032571 A KR960032571 A KR 960032571A
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KR
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electrode
nbn
thin film
line electrode
vacuum
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KR1019960003253A
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시게오 이토
데루오 와타나베
가즈히코 즈부라야
요시히코 히라타
스스무 다카다
히로시 나카가와
Original Assignee
호소야 레이지
후다바 덴시 고교 가부시키가이샤
히라이시 지로
고교 기쥬츠인
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H—ELECTRICITY
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    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/319—Circuit elements associated with the emitters by direct integration

Abstract

부착강도가 강한 전극박막을 형성한다.
유리기판(1) 상에 질화 니오브(NbN)를 재료로 하는 박막(2)을 스패터법 등에 성막한다. 질화 니오브 박막(2)의 부착강도는 강하기 때문에, 질화 니오브 막막(2)을 전극으로 하기 위해 에칭처리를 행하여도 박리막을 야기시키는 일이 없다.

Description

NBN 전극을 사용한 진공기밀소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 NbN 전극을 사용한 진공기밀소자인 전계방출소자에 있어서, 유리기판상에 질화 니오브 박막을 성막(成膜)한 상태를 나타내는 도면.
제5도는 본 발명의 NbN 전극을 사용한 진공기밀소자인 전계방출 소자의 제2실시예를 설명하기 위한 도면.
제6도는 본 발명의 NbN 전극을 사용한 진공기밀소자인 전계방출소자의 제3실시예를 설명하기 위한 도면.

Claims (6)

  1. 진공기밀용기중에 형성된 단층전극 또는 다층전극중 적어도 하나의 전극의 적어도 표면이 NbN으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 NbN 전극을 사용한 진공기밀소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전극중 적어도 하나의 전극이 NbN 박막으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 NbN 전극을 사용한 진공기밀소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전극중 적어도 하나의 전극이 Nb 박막하에 NbN 박막이 형성된 구조로 되어 있는 것을 특징으로 하는 NbN 전극을 사용한 진공기밀소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전극중 적어도 하나의 전극이 Nb 박막을 NbN 박막 사이에 끼운 구조로서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 NbN 전극을 사용한 진공기밀소자.
  5. 캐소드 기판상에 형성된 캐소드 라인전극과, 그 캐소드 라인전극상에 형성된 절연층과, 그 절연층상에 형성된 케이트 라인전극과, 상기 절연층과 상기 게이트 라인전극에 형성되어 있는 개구부내에 있고 상기 캐소드 라인상에 형성된 에미터콘으로 이루어진 진공기밀소자에 있어서, 상기 게이트 라인전극이 Nb 박막으로 형성되어 있는 동시에, 상기 개구부의 형성후, 또한 상기 에미터 콘의 형성전에, 상기 게이트 라인전극 표면에 질화처리가 실시되어 있는 것을 특징으로 하는 NbN 전극을 사용한 진공기밀소자.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 항에 있어서, 상기 캐소드 라인전극상에 저항층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 NbN 전극을 사용한 진공기밀소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960003253A 1995-02-10 1996-02-10 NbN 전극을 사용한 진공기밀소자 KR960032571A (ko)

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JP95-045115 1995-02-10

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