KR960031445A - 트리아졸리논의 제조방법 및 신규한 중간체 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 하기 일반식(Ⅰ)의 트리아졸리논을 제조하기 위한 신규한 방법 및 이들 트리아졸리논을 제조하기 위한 신규한 중간체 및 중간체를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다:
상기 식에서 R1은 할로게노알킬을 나타내고, R2는 수소, 하이드록실 또는 아미노를 나타내거나, 각 경우에 임의로 치환된 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시, 알킬아미노, 디알킬아미노, 사이클로알킬, 사이클로알킬알킬, 페닐 또는 페닐알킬을 나타낸다.

Description

트리아졸리논의 제조방법 및 신규한 중간체
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (9)

  1. 염기성 반응 보조제의 존재하, 및 희석제의 존재하에, 0 내지 150℃의 온도에서 하기 일반식(Ⅱ)의 하이드라진카르복실산 에스테르 및/또는 하기 일반식(Ⅱ)의 화합물의 호변이성질체 화합물을 반응시킴을 특징으로 하여 하기 일반식(Ⅰ)의 트리아졸리논을 제조하는 방법:
    상기 식에서, R1은 할로게노알킬을 나타내고, R2는 수소, 하이드록실 또는 아미노를 나타내거나, 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시, 알킬아미노, 디알킬아미노, 사이클로알킬, 사이클로알킬알킬, 페닐 또는 페닐알킬을 나타내고, R은 각 경우에 임의로 치환된 알킬 또는 아릴을 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서, R1은 1 내지 6개의 탄소원자를 갖는 할로게노알킬을 나타내고, R2는 수소, 하이드록실 또는 아미노를 나타내거나, 각 경우에 시아노, 할로겐 또는 C1-C4-알콕시로 임의로 치환되며, 각 경우에 알킬, 알케닐 또는 알키닐 그룹 중에 6개 이하의 탄소원자를 갖는 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시, 알킬아미노 또는 디알킬아미노를 나타내거나, 각 경우에 시아노, 할로겐, C1-C1-알킬, C1-C4-알콕시 또는 C1-C4-알콕시-카르보닐에 의해 임의로 치환된 C3-C6-사이클로알킬, C3-C6-사이클로알킬-C1-C2-알킬, 페닐 또는 페닐-C1-C2-알킬을 나타냄을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)의 트리아졸리논을 제조하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, R1은 각 경우에 불소 및/또는 염소로 치환된 메틸, 에틸, n- 또는 i-프로필 또는 n-, i- 또는 s- 부틸을 나타내고, R2는 각 경우에 불소, 염소, 시아노, 메톡시 또는 에톡시로 임의로 치환된 메틸, 에틸, n- 또는 i-프로필, n-, i- 또는 s-부틸, 아릴, 프로파르길, 메톡시, 에톡시, n- 또는 i-프로폭시, n-, i- 또는 s-부톡시, 메틸아미노, 에틸아미노, n- 또는 i- 프로필아미노, n-, i- 또는 s-부틸아미노, 디메틸아미노 또는 디에틸아미노를 나타내거나, 각 경우에 불소, 염소, 브롬, 시아노, 메틸, 에틸, n- 또는 i-프로필, 메톡시카르보닐 또는 에톡시카르보닐로 임의로 치환된 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 페닐 또는 벤질을 나타냄을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)의 트리아졸리논을 제조하는 방법.
  4. 하기 일반식(Ⅱ)의 하이드라진카르복실산 에스테르:
    상기 식에서, R은 각 경우에 임의로 치환된 알킬 또는 아릴을 나타내고, R1은 할로게노알킬을 나타내고, R2는 수소, 하이드록실 또는 아미노를 나타내거나, 각 경우에 임의로 치횐된 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시, 알킬아미노, 디알킬아미노, 사이클로알킬, 사이클로알킬알킬, 페닐 또는 페닐알킬을 나타낸다.
  5. 하기 일반식(Ⅲ)의 상응하는 하이드라진카르복실산 에스테르를 경우에 따라 산 수용체의 존재하, 및 경우에 따라 희석제의 존재하에, 0℃ 내지 100℃의 온도에서 하기 일반식(Ⅳ)의 아미노 화합물과 반응시킴을 특징으로 하여 하기 일반식(Ⅱ)의 하이드라진카르복실산 에스테르를 제조하는 방법:
    상기 식에서, R, R1, R2는 제4항에서 언급한 것과 동일한 의미를 갖는다.
  6. 하기 일반식(Ⅲ)의 하이드라진카르복실산 에스테르:
    상기 식에서, R은 각 경우에 임의로 치환된 알킬 또는 아릴을 나타내고, R1은 할로게노알킬을 나타낸다.
  7. 하기 일반식(Ⅴ)의 상응하는 하이드라진카르복실산 에스테르를 경우에 따라 산 수용체의 존재하, 및 경우에 따라 희석제의 존재하에, 0℃ 내지 100℃의 온도에서 술포닐 클로라이드와 반응시킴을 특징으로 하여 하기 일반식(Ⅲ)의 하이드라진카르복실산 에스테르를 제조하는 방법:
    상기 식에서, R 및 R1은 제6항에서 언급한 것과 동일한 의미를 갖는다.
  8. 하기 일반식(Ⅴa)의 하이드라진카르복실산 에스테르:
    상기 식에서, A1은 디클로로메틸, 트리클로로메틸, 디플루오로메틸 또는 트리플루오로메틸을 나타내고, R은 각 경우에 임의로 치환된 알킬 또는 아릴을 나타낸다.
  9. 하기 일반식(Ⅵ)의 하이드라진카르복실산 에스테르를 경우에 따라, 희석제의 존재하에, 0℃ 내지 150℃의 온도에서 하기 일반식(Ⅶ)의 카르복실산 또는 그의 유도체와 반응시킴을 특징으로 하여 하기 일반식(Ⅴa)의 하이드라진카르복실산 에스테르를 제조하는 방법:
    상기 식에서, A1및 R은 제8항에서 언급한 것과 동일한 의미를 가지며, X는 하이드록실, 할로겐 또는 그룹 -O-CO-A1을 나타낸다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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