KR960030324A - 이온주입장치, 이온주입방법 및 반도체장치 - Google Patents

이온주입장치, 이온주입방법 및 반도체장치 Download PDF

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Abstract

이온발생용기5내에는 특정가스 성분을 포함하는 원료가스를 충족시키는 것이 가능하다.
이 이온발생용기5내에 레이저 발진기1에 의해 레이저를 조사하는 것이 가능하다.
이 이온발생용기5내에 조사된 광에 의하여 특정가스 성분이 다광자 흡수에 의해 선택적으로 여기되어 이온을 발생한다.
이것에 의해 웨이퍼 주입시의 반도체 기판의 대미지를 억제함과 함께 스루풋 등의 처리능력을 향상시키는 것이 가능하다.

Description

이온주입장치, 이온주입방법 및 반도체장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본발명의 실시예에 있어서 이온 주입장치의 구성을 표시하는 모식, 제2도는 본발명의 실시예에 있어서 이온 주입방법의 공정을 표시하는 플로도.

Claims (11)

  1. 가스를 이온화하고, 그의 이온을 장치내에 재치된 웨이퍼에 주입하는 이온주입장치에 있어서, 특정가스를 포함하는 원료 가스로 내부를 충족시키는 것이 가능한 이온발생용기와, 상기 특정가스의 흡수파장과 실질적으로 동일한파장을 가지는 광을 발생시켜, 상기 광을 상기 이온발생 용기의 내부에 조사하도록 배치된 광발생수단을 구비하고, 상기 이온발생 용기내에 조사된 광에 의하여, 상기 특정가스만이 광자 흡수에 의해 선택적으로 여기되어 이온을 발생 시키는이온주입장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 이온발생 용기의 내벽의 서로 대항하는 면에 장치된 반사수단을 더 구비하고, 상기 이온발생 용기내에 조사된 광이 상기 반사수단에 의해 다중 반사되도록, 상기 반사수단과 상기 광 발생장치가 배치되어있는 이온주입장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 이온발생 용기내에서 상기 이온을 인출하기 위한 인출 전극을 더 구비하는 이온주입장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 인출전극에 의하여 인출된 상기 이온을 선별하고, 특정의 이온만을 상기 웨이퍼에 주입하는 질량분석기를 더 구비하는 이온주입장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 질량분석기에 의하여 선별된 상기 특정이온을 소정속도까지 가속시키는 가속기를 더구비하는 이온주입장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 이온발생용기는 상기 특정가스를 생성할 때에 생기는 광을 상기 이온발생용기의 조사하는 이온주입장치.
  7. 가스를 이온화하고, 그의 이온을 장치내에 재치된 웨이퍼에 주입하는 이온주입방법에 있어서, 이온발생용기의 내부를 특정가스를 포함하는 원료가스로 충족시키는 공정과, 광 발생수단에 의해, 상기 특정가스의 흡수파장과 실질적으로 동일한 파장을 가지는 광을 발생시키는 공정과, 상기 광을 상기 이온발생용기의 내부에 조사하여, 상기 특정가스만을 광자흡수에 의해 선택적으로 여기시켜 이온을 생기게 하는 공정과, 상기 이온을 상기 웨이퍼에 주입하는 공정을 구비한 이온주입방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 이온발생 용기의 내벽의 서로 대향하는 면에는, 반사수단이 장치되어 있어, 상기 이온을 생기게 하는 공정은, 상기 이온발생 용기의 내부에 조사된 상기 광이 상기 반사수단에 의해 다중 반사되는 공정을 가지는 이온주입방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 광 발생수단에 의해 발생되는 상기 광은, 상기 특정가스를 생성할 때에 생기는 광인이온주입방법.
  10. 웨이퍼에 이온을 주입하는 것에 의하여 얻게된 반도체 장치에 있어서, 반도체 기판(51)과, 상기 반도체기판내에 형성된10B에서 되는 불순물영역(53)을 구비한 반도체 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 불순물 영역(53)은 레트로 그레이데드 웰인 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960000048A 1995-01-10 1996-01-04 이온주입장치, 이온주입방법 및 반도체장치 KR100198235B1 (ko)

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