JPH08190886A - イオン注入装置、イオン注入方法および半導体装置 - Google Patents

イオン注入装置、イオン注入方法および半導体装置

Info

Publication number
JPH08190886A
JPH08190886A JP7002037A JP203795A JPH08190886A JP H08190886 A JPH08190886 A JP H08190886A JP 7002037 A JP7002037 A JP 7002037A JP 203795 A JP203795 A JP 203795A JP H08190886 A JPH08190886 A JP H08190886A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ion
ions
light
ion implantation
container
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7002037A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsuhiro Fujii
淳弘 藤井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP7002037A priority Critical patent/JPH08190886A/ja
Priority to US08/554,015 priority patent/US6140656A/en
Priority to DE69515285T priority patent/DE69515285D1/de
Priority to EP95117875A priority patent/EP0722180B1/en
Priority to KR1019960000048A priority patent/KR100198235B1/ko
Publication of JPH08190886A publication Critical patent/JPH08190886A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/08—Ion sources; Ion guns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00—Ion beam tubes
    • H01J27/02—Ion sources; Ion guns
    • H01J27/24—Ion sources; Ion guns using photo-ionisation, e.g. using laser beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/06—Sources
    • H01J2237/08—Ion sources
    • H01J2237/0815—Methods of ionisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/31701—Ion implantation
    • H01J2237/31705—Impurity or contaminant control

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウエハ注入時の半導体基板のダメージを抑制
するとともにスループットなどの処理能力を向上させ
る。 【構成】 イオン発生容器５内には特定ガス成分を含む
原料ガスを満たすことができる。このイオン発生容器５
内に、レーザ発振器１によりレーザを照射することがで
きる。このイオン発生容器５内に照射された光によっ
て、特定ガス成分のみが多光子吸収により選択的に励起
されてイオンを生ずる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イオン注入装置および
イオン注入方法に関し、より特定的には、ガスをイオン
化し、そのイオンを装置内に載置されたウエハに注入す
るイオン注入装置およびイオン注入方法に関するもので
ある。
【０００２】また本発明は、半導体装置に関するもので
あり、より特定的には、ウエハにイオンを注入すること
によって得られた半導体装置に関するものである。
【０００３】
【従来の技術】まず、従来のイオン注入装置およびイオ
ン注入方法について説明する。
【０００４】図８は従来のイオン注入装置の構成を示す
模式図である。また図９は、従来のイオン注入方法の工
程を示すフロー図である。
【０００５】まず図８を参照して、従来のイオン注入装
置は、イオン源と、引出し電極２０９ａ、２０９ｂと、
質量分析器２１１と、加速器２１３と、真空チャンバ２
１５とを有している。
【０００６】イオン源は、イオン発生容器２０５と、１
対の電極２０１ａ、２０１ｂとを有している。イオン発
生容器２０５内には、対向するように１対の電極２０１
ａ、２０１ｂが配置されている。またこの１対の電極２
０１ａと２０１ｂとの間には、電源２０１ｃにより電位
差が与えられる。
【０００７】またイオン発生容器２０５には、反応ガス
を内部に導入するためのガス導入路２０５ａと、反応ガ
スを内部から排出するためのガス排気路２０５ｂとが設
けられている。
【０００８】引出し電極２０９ａ、２０９ｂは、イオン
発生容器２０５内で発生したイオンを引出すために設け
られている。この引出し電極２０９ａと２０９ｂとの間
には、電源２０９ｃによって電位差が与えられる。質量
分析器２１１は、磁場の強度を変えることにより、引出
し電極２０９ａ、２０９ｂにより引出されたイオンのう
ち目的とするイオンを選別する役割をなしている。加速
器２１３は、イオンを加速させ、所定速度で真空チャン
バ２１５内に侵入させる役割をなしている。真空チャン
バ２１５内には、イオンが注入されるべきウエハ２０が
載置されている。
【０００９】次に、上述のイオン注入装置におけるイオ
ン注入方法について説明する。図８と図９とを参照し
て、まずイオン発生容器２０５内に、ガス導入路２０５
ａからガスもしくは蒸気が導入される（ステップ２３
１）。電極２０１ａ、２０１ｂに、電源２０１ｃによっ
て電位差が与えられる（ステップ２３２）。これによ
り、アーク放電を生じ、ガスがイオン化する（ステップ
２３３）。
【００１０】引出し電極２０９ａ、２０９ｂに、電源２
０９ｃによって電位差が与えられる。これによって、イ
オン発生容器２０５内のイオンが、矢印に示す方向に引
出される（ステップ２３４）。この引出されたイオンの
うち目的とするイオンのみが、質量分析器２１１により
選別される（ステップ２３５）。目的とするイオンが加
速器２１３によって所定速度に加速される（ステップ２
３６）。このように目的とするイオンは、経路Ｒに沿っ
て所定速度に加速された後、真空チャンバ２１５内に載
置された基板２０に注入される（ステップ２３７）。
【００１１】このようにして従来のイオン注入装置およ
び注入方法によって、ウエハ２０中にイオンを打込むこ
とができる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のイ
オン注入装置およびイオン注入方法には、以下の（１）
〜（６）の問題点があった。以下、その問題点について
詳細に説明する。
【００１３】（１） ｐ型半導体基板においては、リー
ク電流の防止を考慮してｐ型のレトログレーデッドウェ
ルが形成される場合がある。このレトログレーデッドウ
ェルは、一般に基板にＢ（ボロン）をイオン注入するこ
とで形成される。このＢには、下の表に示すように質量
数１０と１１との同位体である10Ｂと11Ｂとが存在す
る。
【００１４】
【表１】 10Ｂは11Ｂに比較して軽いため、11Ｂを半導体基板にイ
オン注入する場合よりも注入エネルギーを約９％低くす
ることができる。このため、10Ｂのイオン注入では、11
Ｂのイオン注入に比較して半導体基板に与えるダメージ
および金属汚染を約９％減少させることができる。
【００１５】しかし、10Ｂの天然存在率は11Ｂの天然存
在率（８１％）の約４分の１程度の１９％である。この
ため、Ｂ注入時に用いる原料ガスＢＦ3 中にも、通常、
この存在比率で10Ｂと11Ｂとが混在している。それゆ
え、この原料ガスＢＦ3 を用いた従来のイオン注入装置
およびイオン注入方法によるイオン注入では、10Ｂのビ
ーム電流値は11Ｂの１／４程度となり、処理能力が低下
するという問題点があった。つまり、半導体基板に与え
るダメージを抑制するとともに処理能力の向上を図るこ
とは、従来のイオン注入装置およびイオン注入方法では
できないという問題点があった。
【００１６】またイオン注入によるダメージが抑制され
たＢ注入領域（たとえばレトログレーデッドウェル）を
有する半導体装置は従来得られていなかった。
【００１７】（２） また従来のイオン注入装置および
イオン注入方法では、アーク放電によりガスをイオン化
させている。この場合、ガス成分を構成する全分子およ
び原子がイオン化される。つまり、目的とする成分のみ
ならず、他の成分もがイオン化されてしまう。このた
め、目的の成分のみをイオン化する場合に比較してイオ
ン化のためのエネルギーが多く必要となり、エネルギー
のロスが大きくなるという問題点があった。
【００１８】（３） また、従来のイオン注入装置およ
びイオン注入方法では、アーク放電によりガスをイオン
化させるため、イオン発生容器２０５内に電極２０１
ａ、２０１ｂを配置する必要がある。この電極２０１
ａ、２０１ｂは通常、カーボンよりなっている。このた
め、アーク放電時のスパッタにより、イオン発生容器２
０５の内壁などにカーボンが付着してしまう。それゆ
え、付着したカーボンを除去する必要が生じ、メンテナ
ンスの労力が大きくなるという問題点があった。
【００１９】（４） また、電極２０１ａ、２０１ｂが
イオン発生容器２０５内に配置され、またイオン引出し
のためのイオン引出し電極２０９ａ、２０９ｂもイオン
発生容器２０５内に配置される。このため、イオン発生
容器２０５内に多数の電極が配置されることになり、各
電極が相互に制約を受けることになる。それゆえ、各電
極間の条件設定および配置設定が困難なものになるとい
う問題点があった。
【００２０】（５） 従来のイオン注入装置およびイオ
ン注入方法では、アーク放電によりガスの全分子および
原子がイオン化される。このため、引出し電極２０９
ａ、２０９ｂによるイオン引出し時に複数のイオンが引
出される場合が生ずる。このような場合に、目的とする
イオンのみを選別するために質量分析器２１１が設けら
れている。つまり、質量分析器２１１によって、目的と
するイオンのみが経路Ｒに沿ってウエハ２０に注入さ
れ、それ以外のイオンは経路Ｒ1 、Ｒ2 に沿って装置内
壁Ｓ1 、Ｓ2 に衝突させられる。イオンが装置内壁に衝
突することによりスパッタリングが生じ、これにより汚
染などが生ずる。この汚染により、半導体基板に形成さ
れたデバイスにリークなどの悪影響が生じるという問題
点があった。
【００２１】（６） また、上述のように従来のイオン
注入装置およびイオン注入方法では、引出し電極２０９
ａ、２０９ｂにより複数のイオンが引出される場合があ
るため、イオンを選別する質量分析器２１１が必須とな
る。したがって、質量分析器２１１を設けている分だけ
装置が複雑化、大型化するという問題点があった。
【００２２】以上の（１）〜（６）の問題点より、本発
明の１の目的は、ウエハ注入時の半導体基板のダメージ
を抑制するとともにスループットなどの処理能力を向上
させることである。
【００２３】また本発明の他の目的は、イオン化のエネ
ルギーロスを小さくすることである。
【００２４】また本発明のさらに他の目的は、装置のメ
ンテナンスの労力の省力化を図ることである。
【００２５】また本発明のさらに他の目的は、イオン発
生容器内における条件設定および配置設定を容易にする
ことである。
【００２６】また本発明のさらに他の目的は、汚染を抑
制して、良好な特性を有するデバイスを得ることであ
る。
【００２７】また本発明のさらに他の目的は、イオン注
入装置の小型化を図ることである。
【００２８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載のイオン
注入装置は、ガスをイオン化し、そのイオンを装置内に
載置されたウエハに注入するイオン注入装置であって、
イオン発生容器と、光発生手段とを備えている。イオン
発生容器は、特定ガス成分を含む原料ガスで内部を満た
すことができる。光発生手段は、特定ガス成分の吸収波
長と実質的に同一の波長を有する光を発生させ、光をイ
オン発生容器の内部に照射するよう配置されている。こ
のイオン発生容器内に照射された光によって、特定ガス
成分のみが光子吸収により選択的に励起されてイオンを
生ずる。
【００２９】請求項２に記載のイオン注入装置は、反射
手段をさらに備えている。この反射手段は、イオン発生
容器の内壁の互いに対向する面に取付けられている。イ
オン発生容器内に照射された光は反射手段により多重反
射されるように、反射手段と光発生装置とが配置されて
いる。
【００３０】請求項３に記載のイオン注入装置は、イオ
ン発生容器内からイオンを引出すための引出し電極をさ
らに備えている。
【００３１】請求項４に記載のイオン注入装置は、引出
し電極によって引出されたイオンを選別し、特定のイオ
ンのみをウエハに注入する質量分析器をさらに備えてい
る。
【００３２】請求項５に記載のイオン注入装置は、質量
分析器によって選別された特定イオンを所定速度まで加
速させる加速器をさらに備えている。
【００３３】請求項６に記載のイオン注入装置では、イ
オン発生容器は、特定ガス成分を生成する際に生じる光
をイオン発生容器の内部に照射する。
【００３４】請求項７に記載のイオン注入方法は、ガス
をイオン化し、そのイオンを装置内に載置されたウエハ
に注入するイオン注入方法であって、以下の工程を備え
ている。
【００３５】まずイオン発生容器の内部が、特定ガス成
分を含む原料ガスによって満たされる。そして光発生手
段により、特定ガス成分の吸収波長と実質的に同一の波
長を有する光が発生させられる。そしてこの光をイオン
発生容器の内部に照射して、特定ガス成分のみが光子吸
収により励起されてイオンを生じる。そしてイオンがウ
エハに注入される。
【００３６】請求項８に記載のイオン注入方法では、イ
オン発生容器の内壁の互いに対向する面に反射手段が取
付けられている。イオンを生じさせる工程は、イオン発
生容器の内部に照射された光が反射手段により多重反射
される工程を有している。
【００３７】請求項９に記載のイオン注入方法では、光
発生手段により発生される光は、特定ガス成分を生成す
る際に生じる光である。
【００３８】請求項１０に記載の半導体装置は、ウエハ
にイオンを注入することによって得られた半導体装置で
あって、半導体基板と、半導体基板内に形成された10Ｂ
よりなる不純物領域とを備えている。
【００３９】請求項１１に記載の半導体装置では、不純
物領域はレトログレーデッドウェルである。
【００４０】
【作用】請求項１および７に記載のイオン注入装置およ
びイオン注入方法では、光子吸収による光励起によって
特定ガス成分のみをイオン化することができる。このた
め、たとえば10Ｂと11Ｂとがガス中に混在していても、
10Ｂのみを選択的にイオン化させることができる。ま
た、この光励起によればアーク放電に比較して格段に大
きいエネルギーを有する電子ビームを得ることができ
る。それゆえ、10Ｂを注入することでウエハのダメージ
を少なくできるとともに、強力な電子ビームが得られる
ことで処理能力を向上することができる。
【００４１】また、特定のガス成分のみをイオン化でき
るため、不要な原子、分子をイオン化させるエネルギー
が不要となる。このため、エネルギーのロスが少なくな
り、エネルギー効率が良くなる。
【００４２】また、アーク放電のようにイオン発生容器
内に電極を配置する必要はない。このため、イオン発生
容器内にカーボンなどが付着することはなく、メンテナ
ンスの労力の省力化を図ることができる。
【００４３】また、イオン発生容器内にアーク放電用の
電極を設ける必要がないため、アーク放電用の電極とイ
オン引出し用電極との相互の制約を考慮する必要はなく
なる。このため、引出し電極などの条件設定および配置
設定が容易となる。
【００４４】請求項２および８に記載のイオン注入装置
およびイオン注入方法では、イオン発生容器内において
光が多重反射するように反射手段が設けられている。つ
まり、反射手段により、光がイオン発生容器内の対向す
る内壁間を複数回往復する。これにより、光子吸収させ
るに必要な光の経路長（いわゆる吸収光路長）を確保す
ることができる。このため、イオン発生容器の寸法を大
きくすることなく、吸収光路長を確保できるため、特定
ガス成分を効率よくイオン化することができる。
【００４５】請求項３に記載のイオン注入装置では、光
子吸収によって特定ガス成分のみをイオン化することが
できるため、イオンをイオン発生容器から引出した後に
選別する必要がない。よって、目的とするイオンを選別
するための質量分析器が不要となる。また、引出し電極
によってイオン引出し時の速度を調整することも可能で
ある。このため、イオンを所定速度に加速するための加
速器が不要となる。したがって、装置の簡略化および小
型化を図ることができる。
【００４６】請求項４および５に記載のイオン注入装置
では、光子吸収によって特定ガス成分のみをイオン化す
ることができるため、イオンを質量分析器で選別する必
要がない。よって、不要なイオンが質量分析器により、
装置内壁に衝突されることが抑制される。よって、イオ
ンが装置内壁に衝突することでスパッタされることも抑
制され、それによるゴミの発生も防止される。したがっ
て、リーク特性などの良好なデバイスを得ることができ
る。
【００４７】請求項６および９に記載のイオン注入装置
およびイオン注入方法では、特定ガス成分の生成時に生
ずる光を特定ガス成分に照射している。この特定ガス成
分の生成時に生ずる光の波長は、同一特定ガス成分の解
離時に吸収する光の波長と同一である。このため、この
特定ガス成分の生成時に生じる光を照射することで効率
よくイオン化を起こさせることができる。
【００４８】請求項１０および１１に記載の半導体装置
では、10Ｂが注入されているため、ダメージの少ない半
導体装置を得ることができる。
【００４９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図に基づいて
説明する。
【００５０】（１） イオン注入装置 図１は、本発明の実施例におけるイオン注入装置の構成
を示す模式図である。図１を参照して、本実施例のイオ
ン注入装置は、イオン源と、引出し電極９ａ、９ｂと、
質量分析器１１と、加速器１３と、真空チャンバ１５と
を有している。
【００５１】イオン源は、レーザ発振器１と、光学ミラ
ーまたは回折格子からなる光学系３と、対をなすミラー
よりなる多重反射系７とを有している。レーザ発振器１
は、たとえばＣＯ2 レーザを発振する役割をなしてい
る。光学ミラーおよび回折格子３は、レーザをイオン発
生容器５内へ照射する役割をなしている。イオン発生容
器５は、その内部にガスを充填することができる。この
ガスは、イオン発生容器５に設けられたガス導入口５ａ
より導入され、ガス排気口５ｂより排気される。多重反
射系７は、対をなすミラーよりなっており、このミラー
は、イオン発生容器５の対向する壁面に取付けられてい
る。なお、レーザはイオン発生容器５に設けられた窓部
からイオン発生容器５内に照射される。
【００５２】引出し電極９ａ、９ｂは、発生したイオン
をイオン発生容器５内から引出す役割をなしている。質
量分析器１１は、引出されたイオンのうちから目的とす
るイオンを選別する役割をなしている。加速器１３は、
選別されたイオンを加速して、所定速度で真空チャンバ
内に侵入させる役割をなしている。真空チャンバ１５内
には、イオンが注入されるべきウエハ２０が載置されて
いる。
【００５３】（２） イオン注入方法 次に、図１に示すイオン注入装置を用いた本発明の実施
例におけるイオン注入方法について説明する。
【００５４】図２は、本発明の実施例におけるイオン注
入方法の工程を示すフロー図である。図１と図２とを参
照して、まずイオン発生容器５内の真空度がたとえば１
０-5Ｔｏｒｒ．以下にされる。この後、ガス導入口５ａ
よりイオン発生容器５内に、たとえばＢＦ3 ガスが高速
で導入される（ステップ３１）。ＢＦ3 ガスを高速で導
入するのは、ＢＦ3 ガスを冷却して吸収帯をそろえるた
めである。レーザ発振器１により、たとえばＣＯ2 レー
ザが発生される（ステップ３２）。このレーザが、光学
ミラーおよび回折格子３によってイオン発生容器５内へ
窓（図示せず）を通じて照射される（ステップ３３）。
【００５５】このレーザは、発生容器５内において１対
のミラー７間を多重反射する。すなわち、レーザは１対
のミラー７間を複数回往復する。このレーザ光の多重反
射により、レーザ光がイオン発生容器５内のＢＦ3 ガス
に光子吸収（共鳴吸収）され、ＢＦ3 ガス中の10ＢＦ3
がイオン化される（ステップ３４）。これにより、10Ｂ
のイオンが得られる。また10Ｂのイオン以外に、たとえ
ば10ＢＦ、10ＢＦ2 、 10ＢＦ3 、Ｆのイオンも得られ
る。
【００５６】この後、引出し電極９ａ、９ｂに電源９ｃ
によって所定の電位差が与えられる。この引き出し電位
は、たとえば３０ｋｅＶ程度である。これにより、イオ
ン発生容器５内のイオンが引出される（ステップ３
５）。引出されたイオンは、質量分析器１１によって選
別される（ステップ３６）。つまり、10Ｂのイオンのみ
が経路Ｒに沿ってウエハ２０に達する。それ以外のイオ
ンは、経路Ｒ1 、Ｒ2 に沿って装置内壁に衝突させられ
る。本実施例の場合は、10ＢＦ、10ＢＦ2 、10ＢＦ 3 、
Ｆのイオンが、目的とする10Ｂのイオンよりも重いた
め、経路Ｒ1 に沿って装置内壁に衝突することになる。
【００５７】次に、経路Ｒに沿って進行する10Ｂのイオ
ンは、加速器１３によって所定速度に加速される（ステ
ップ３７）。そして所定速度に加速された10Ｂのイオン
は、真空チャンバ１５内に載置されたウエハ２０に注入
される（ステップ３８）。
【００５８】本実施例のイオン注入方法によれば、この
ようにして、ウエハ２０にイオンが注入される。
【００５９】次に、本実施例におけるイオン発生の原理
である赤外多光子吸収分解（ＩＲＭＰＤ：Infra-Red Mu
lti Photon Decomposition) について説明する。
【００６０】図３は、ＢＦ3 ガスの赤外線吸収スペクト
ルを示すグラフであり、縦軸が透過率であり、横軸が波
数（wavenumber）である。図３を参照して、実線は、天
然に存在するＢＦ3 ガスの赤外線吸収スペクトルを示
し、一点鎖線および二点鎖線は各々10ＢＦ3 と11ＢＦ3
とが単体の場合の赤外線吸収スペクトルを示している。
【００６１】大きさの異なる原子でできている分子は、
必ずある特定の波長に対して光の吸収帯を有する。天然
に存在するＢＦ3 ガスは約１０μｍ（＝１０００ｃ
ｍ-1) 付近の赤外領域に分子吸収係数の大きな吸収帯を
持つことが知られている。また、 10ＢＦ3 は、11ＢＦ3
より低い波長の吸収帯を有している。
【００６２】この場合において、矢印Ａで示す波長を有
する光を照射すれば、10ＢＦ3 は光を吸収するが、11Ｂ
Ｆ3 はほとんど光を吸収しない。つまり、矢印Ａの波長
（コヒーレント光）に対して、11ＢＦ3 は、透過率が高
く透明であるため、光を吸収しない。一方、10ＢＦ3 は
透過率が低いため光を吸収し、選択的に励起される。こ
れにより、同位体のうち１つの元素のみを選択的に励起
してイオン化することができる。
【００６３】なお、同位体のうちの１つの元素のみを選
択的に励起することができるのは、ＣＯ2 レーザの発振
波長（９．４μｍと１０．２μｍ帯）とＢＦ3 ガスの伸
縮振動の吸収波長（１０００ｃｍ-1）が重なるためであ
る。
【００６４】上記の吸収は赤外領域の波長の光の吸収で
あるため１光子のみ吸収させたのでは、原子は振動励起
するだけである。しかし、10ＢＦ3 に選択的に〜１００
０光子を瞬間的（数μ秒間）に吸収させると、10Ｂのみ
が一気にイオン化する。
【００６５】なお、紫色光の場合には、特定ガス成分を
１光子で光励起によりイオン化することも可能である。
【００６６】また光の吸収量は、図４に示す Lanbert-b
eer の法則で決まる。図４を参照して、入射光の強度Ｉ
0 と透過光の強度Ｉとの比Ｉ／Ｉ0 は、
【００６７】
【数１】 で表わされる。なお、記号ｌ、ｃ、εは、各々、吸収光
路長、濃度（圧力）および分子吸収係数を示している。
このような赤外多光子吸収分解の原理に基づいて得られ
る電子ビームのエネルギー値は以下のように求められ
る。
【００６８】まず波長１０μｍでの１光子のエネルギー
は２×１０-21 Ｊである。またＢ（ボロン）の解離エネ
ルギーが約１．３３×１０-18 Ｊであるため、Ｂをイオ
ン化させるためには、約６６７光子吸収することが必要
である。ここで、１ｋＷＣＯ 2 レーザは、約５×１０23
光子／秒のエネルギーを放出する。よって、このレーザ
のエネルギー全体の０．１％が吸収されたとすると、８
００ｍＡ（１Ａ＝６．３×１０18電子×秒）相当のエネ
ルギーを有する電子ビームが得られることになる。
【００６９】従来のアーク放電により得られる電子ビー
ムのエネルギーが、５０ｍＡ程度であるため、１ｋＷＣ
Ｏ2 レーザにより十分な電子ビームの出力が得られてい
ることがわかる。
【００７０】このように、電子ビームのエネルギーが大
きいため、イオンを多量につくることができ、ウエハ中
にイオンを注入する処理時間を短縮することが可能とな
る。
【００７１】以上説明したように、本実施例のイオン注
入装置およびイオン注入方法では、光子吸収による光励
起によって特定ガス成分（10ＢＦ3 ）のみをイオン化す
ることができる。このため、10Ｂと11Ｂとがガス中に混
在していても、10Ｂのみを選択的にイオン化させること
ができる。また、この光励起によれば、アーク放電に比
較して格段に大きいエネルギーを有する電子ビームを得
ることができる。このように11Ｂに比較して質量の小さ
い10Ｂのみを強力な電子ビームエネルギーで注入できる
ため、ウエハのダメージを少なくできるとともに、処理
能力を向上することができる。
【００７２】また、特定のガス成分（10ＢＦ3 ）のみを
選択的にイオン化できるため、たとえば11ＢＦ3 のよう
に不要な分子もしくは原子をイオン化させるエネルギー
は不要となる。このため、エネルギーのロスは少なくな
り、エネルギー効率が良好となる。
【００７３】また本実施例では図８に示す従来例のよう
に、アーク放電を用いないため、イオン発生容器２０５
内に電極２０１ａ、２０１ｂを配置する必要はない。こ
のため、本実施例では、図１に示すイオン発生容器５内
においてアーク放電時のスパッタにより電極からカーボ
ンが生じることはない。このため、カーボンなどがイオ
ン発生容器５内に付着することはない。それゆえ、この
付着したカーボンを除去するといったメンテナンスの労
力を省力化することができる。
【００７４】また本実施例では、上述したようにイオン
発生容器５内にアーク放電用の電極を設ける必要がない
ため、アーク放電用の電極とイオン引出し用電極９ａ、
９ｂとの相互の制約を考慮する必要はなくなる。このた
め、引出し用電極９ａ、９ｂのイオン引出しの条件の設
定および配置の設定が容易となる。
【００７５】また、図１に示すように、イオン発生容器
５の対向する内壁には、多重反射系を構成する反射手段
７が設けられている。つまり、反射手段７により、光が
イオン発生容器５の対向する内壁間を複数回往復する。
これにより、光子吸収を生じさせるに必要な光の経路長
（いわゆる吸収光路長：図４）を確保することができ
る。このようにイオン発生容器５の寸法を大きくするこ
となく、吸収光路長を確保できるため、10ＢＦ3 などの
特定ガス成分を効率よくイオン化させることができる。
【００７６】また光子吸収によって10ＢＦ3 のような特
定ガス成分のみをイオン化することができる。このた
め、11ＢＦ3 のような他のガス成分はイオン化されず、
イオン発生容器５内に残留する。よって、このイオン化
しない他のガス成分が質量分析器１１によって装置内壁
に衝突させられることはない。よって、11ＢＦ3 などの
イオンが装置内壁に衝突することでスパッタされること
も抑制され、それによるゴミの発生も防止される。した
がって、リーク特性などの良好なデバイスを得ることが
できる。
【００７７】（３） 上記のイオン注入によって得られ
る半導体装置 図５は、本発明の実施例における半導体装置の構成を概
略的に示す断面図である。図５を参照して、ｐ型シリコ
ン基板５１の表面には、活性領域を分離するように素子
分離絶縁層５５が所望の形状に形成されている。また素
子分離絶縁層５５の下側領域に接し、かつ活性領域下側
を覆うようにレトログレーデッドウェル５３が形成され
ている。このレトログレーデッドウェル５３は、10Ｂが
注入されてなる不純物領域である。
【００７８】活性領域には、たとえばＤＲＡＭ（Dynami
c Random Access Memory）のメモリセルが形成されてい
る。
【００７９】このメモリセルは、ｎＭＯＳ（Metal Oxid
e Semiconductor)トランジスタ６３と、キャパシタ７５
とを有している。
【００８０】ｎＭＯＳトランジスタ６３は、１対のソー
ス／ドレイン領域５７、５７と、ゲート絶縁層５９と、
ゲート電極層６１とを有している。１対のソース／ドレ
イン領域５７、５７は、ｐ型シリコン基板５１の表面に
互いに所定の距離を隔てて形成されている。ゲート電極
層６１は、この１対のソース／ドレイン領域５７、５７
に挟まれる領域上にゲート絶縁層５９を介在して形成さ
れている。
【００８１】なお、１対のソース／ドレイン領域５７、
５７の一方は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain)構造を有
している。すなわち、一方のソース／ドレイン領域５７
は、比較的低濃度の不純物領域５７ａと、比較的高濃度
の不純物領域５７ｂとの２層構造よりなっている。
【００８２】また、ゲート電極層６１の側面および上部
表面を覆うように絶縁層６５が形成されている。また、
ＬＤＤ構造を有するソース／ドレイン領域５７に接する
ように、かつ絶縁層６５上に乗り上げるようにビット線
６７が形成されている。このビット線６７を覆うように
ｐ型シリコン基板５１の表面全面に絶縁層６９が形成さ
れている。この絶縁層６９には、他方のソース／ドレイ
ン領域５７に達するコンタクトホール６９ａが形成され
ている。このコンタクトホール６９ａを通じて他方のソ
ース／ドレイン領域５７に接するようにキャパシタ７５
が形成されている。
【００８３】キャパシタ７５は、ストレージノード（下
部電極）７１と、キャパシタ誘電膜（図示せず）と、セ
ルプレート（上部電極）７３とを有している。ストレー
ジノード７１は、コンタクトホール６９ａを通じて他方
のソース／ドレイン領域５７に電気的に接続されるよう
に、かつ絶縁層６９の上部表面上を延在するように形成
されている。セルプレート７３は、このストレージノー
ド７１上にキャパシタ誘電膜を介在して形成されてい
る。
【００８４】このキャパシタ７５を覆うように層間絶縁
層７７が形成されている。この層間絶縁層７７の表面に
は、所定の形状で延びる第１のアルミニウム配線層７９
が形成されている。この第１のアルミニウム配線層７９
を覆うように層間絶縁層８１が形成されている。この層
間絶縁層８１の表面上には、第２のアルミニウム配線層
８３が形成されている。
【００８５】このように、上述のイオン注入装置および
イオン注入方法により、10Ｂよりなるレトログレーデッ
ドウェル５３が形成される。また、10Ｂのイオン注入
は、11Ｂよりもｐ型シリコン基板５１に与えるダメージ
を少なくすることができる。それゆえ、ダメージの低減
されたデバイスを得ることができる。
【００８６】なお、10Ｂと11Ｂとは、化学、物理特性は
全く同じであるため、ｐ型不純物としては同一に振るま
うのは、言うまでもない。
【００８７】なお図１においては、レーザ発振器１とし
て、10ＢＦ3 の吸収帯に近い波長を有するＣＯ2 レーザ
を用いた場合について説明したが、レーザ発振器はケミ
カルレーザであってもよい。
【００８８】（４） ケミカルレーザを用いた場合 図６は、レーザ発振器にケミカルレーザを用いた場合の
構成を示す模式図である。図６を参照して、本実施例で
は、図１に示す構成と比較して、レーザ発振器１０１に
ケミカルレーザが用いられている点で異なる。このケミ
カルレーザ１０１とは、たとえば10ＢガスとＦ2 ガスと
から10ＢＦ3 ガスを生成する際に生ずる反応光を取出す
ものである。つまり、10ＢＦ3 の生成時に生ずる反応光
の波長と、10ＢＦ3 の解離時に生ずる反応光の波長とは
同一であるため、この反応光を照射することにより、イ
オン発生容器５内において、より効率的に10ＢＦ3 が解
離し、イオン化する。
【００８９】レーザ発振器１０１以外の構成について
は、図１に示す構成とほぼ同じであるため、同一部材に
は同一符号を付し、その説明を省略する。
【００９０】なお、レーザ発振器は、上述したケミカル
レーザ以外でもよく、10Ｂの吸収波長と略同一の波長を
有する光であればいかなる光源の光を照射してもよい。
また 10Ｂに限らず光励起によりイオン化させたい特定ガ
ス成分の吸収波長と略同一の波長の光を照射できる光源
であればレーザー発振器に用いることができる。
【００９１】また図１においては、質量分析器１１と加
速器１３とを設けた構成について説明したが、赤外多光
子吸収分解の原理に基づけば、質量分析器と加速器とは
省略されてもよい。以下、その構成について説明する。
【００９２】（５） 質量分析器と加速器とを省略した
場合 図７は、質量分析器と加速器とを省略した場合の構成を
示す模式図である。
【００９３】図７を参照して、本実施例のイオン注入装
置では、質量分析器および加速器が省略されている。こ
のため、イオン発生容器５は、ウエハ２０を載置した真
空チャンバ１５に直接接続されている。
【００９４】なお、これ以外の構成については、図１で
示す構成とほぼ同様であるため、同一部材については同
一の符号を付し、その説明を省略する。
【００９５】光子吸収による光励起によって、10ＢＦ3
のような特定ガス成分のみをイオン化することができる
ため、イオンをイオン発生容器５から引出した後に選別
する必要がない。よって、目的とするイオンを選別する
ための質量分析器は不要となる。また、引出し電極９
ａ、９ｂによってイオン引出し時の速度を調整すること
も可能である。このため、イオンを所定速度に加速する
ための加速器も不要となる。したがって、質量分析器お
よび加速器を省略しても、特定のイオンを所定の速度で
ウエハ２０に注入することができる。
【００９６】なお、10ＢＦ3 のイオン化により、10Ｂの
イオンのみならず、10ＢＦ、10ＢＦ 2 、10ＢＦ3 、Ｆの
イオンもつくられる。このため、この10Ｂ以外のイオン
もウエハに注入されるおそれがある。しかし、これらの
イオンが注入されても、Ｆ（フッ素）原子は、ウエハに
加えられる後工程での熱処理により容易に外方拡散する
ため、問題はない。
【００９７】本実施例においては、質量分析器および加
速器を省略したため、装置の簡略化および小型化を図る
ことができる。
【００９８】なお、以上の説明においては、ＢＦ3 ガス
のうち10ＢＦ3 を励起させる方法について説明したが、
11ＢＦ3 を励起してイオン化させることもできる。この
場合には、レーザ発振器１、１０１を、11Ｂの吸収帯に
近い波長を有する光を発生させるものを用いればよい。
【００９９】また、ＢＦ3 ガスのうち10ＢＦ3 をイオン
化させ、ウエハ２０に注入した場合には、イオン発生容
器５内には、11ＢＦ3 ガスが残留する。この残留した反
応副次ガス（11ＢＦ3 ）を回収し、精製することによっ
て、11ＢＦ3 を多く含む11ＢＦ3 のエンリッチガスを得
ることができる。
【０１００】また、レーザ発振器により発生させる光の
波長を変えることによって、ＢＦ3、ＰＦ3 、Ａｓ
Ｆ3 、ＡｓＦ5 、ＳｂＦ3 などの選択的注入が可能であ
ることは言うまでもない。
【０１０１】また、図５においては、このイオン注入に
よって形成される不純物領域としてレトログレーデッド
ウェルについて説明したが、これ以外の不純物領域を形
成することもできる。またソース／ドレイン領域などの
ように浅い接合を作る場合には、11ＢＦ2 イオンが用い
られる。この場合、照射光の波長を11Ｂの吸収帯に合わ
せ、かつ照射光の出力を弱く絞ることで、11ＢＦ2 のイ
オンを作り、低エネルギーにて注入することができる。
【０１０２】また、ガス導入口５ａは、ガス導入口５ａ
から導入されるガス流に多重反射光が重なってあたるよ
うに配置されることが好ましい。
【０１０３】
【発明の効果】請求項１および７に記載のイオン注入装
置およびイオン注入方法では、多光子吸収による光励起
によって特定ガス成分のみを選択的にイオン化すること
ができる。また、この光励起によれば、アーク放電に比
較して格段に大きいエネルギーを有する電子ビームを得
ることができる。それゆえ、イオン注入におけるウエハ
のダメージを少なくできるとともに、処理能力を向上す
ることができる。
【０１０４】また、特定のガス成分のみをイオン化でき
るため、不要な原子、分子をイオン化させるエネルギー
が不要となる。このため、エネルギーのロスは少なくな
り、エネルギー効率が良好となる。
【０１０５】また、アーク放電のようにイオン発生容器
内に電極を配置する必要はない。このため、イオン発生
容器内にカーボンなどが付着することはなく、カーボン
の除去などのメンテナンスの労力の省力化を図ることが
できる。
【０１０６】また、イオン発生容器内にアーク放電用の
電極を設ける必要がないため、アーク放電用の電極とイ
オン引出し用電極との相互の制約を考慮する必要はなく
なる。このため、引出し用電極などの条件設定および配
置設定が容易となる。
【０１０７】請求項２および８に記載のイオン注入装置
およびイオン注入方法では、イオン発生容器内において
光が多重反射するように反射手段が設けられている。こ
れにより、多光子吸収を生じさせるに必要な光の経路長
を確保することができる。このため、イオン発生容器の
寸法を大きくすることなく、吸収光路長を確保できるた
め、特定ガス成分を効率よくイオン化することができ
る。請求項３に記載のイオン注入装置では、多光子吸収
によって特定ガス成分のみをイオン化することができる
ため、イオンをイオン発生容器から引出した後に選別す
る必要はない。よって、目的とするイオンを選別するた
めの質量分析器は不要となる。また、引出し電極によっ
てイオン引出し時の速度を調整することも可能である。
このため、イオンを所定速度に加速するための加速器も
不要となる。したがって、装置の簡略化および小型化を
図ることができる。
【０１０８】請求項４および５に記載のイオン注入装置
では、多光子吸収によって特定ガス成分のみをイオン化
することができるため、イオンを質量分析器で選別する
必要はない。よって、不要なイオンが質量分析器により
装置内壁に衝突されることが抑制される。よって、イオ
ンが装置内壁に衝突することでスパッタされることも抑
制され、それによるゴミの発生も防止される。したがっ
て、リーク特性などの良好なデバイスを得ることができ
る。
【０１０９】請求項６に記載のイオン注入装置では、特
定ガス成分の生成時に生ずる光を特定ガス成分に照射し
ている。この特定ガス成分の生成時に生ずる光の波長
は、特定ガス成分の解離時に吸収する光の波長と同一で
ある。このため、この生成時に生ずる光を特定ガス成分
に照射することで、より効率よくイオン化を行なせるこ
とができる。
【０１１０】請求項９および１０に記載の半導体装置で
は、10Ｂが注入されているため、ダメージの少ない半導
体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例におけるイオン注入装置の構
成を示す模式図である。
【図２】 本発明の実施例におけるイオン注入方法の工
程を示すフロー図である。
【図３】 ＢＦ3 ガスの赤外吸収スペクトルを示すグラ
フである。
【図４】 Lanbert-beer の法則を示す模式図である。
【図５】 本発明のイオン注入によって製造される半導
体装置の一例を概略的に示す断面図である。
【図６】 レーザ発振器にケミカルレーザを用いた場合
のイオン注入装置の構成を示す模式図である。
【図７】 質量分析器および加速器を省略した場合のイ
オン注入装置の構成を示す模式図である。
【図８】 従来のイオン注入装置の構成を示す模式図で
ある。
【図９】 従来のイオン注入方法の工程を示すフロー図
である。
【符号の説明】
１ ＣＯ2 レーザ、５ イオン発生容器、７ 多重反射
系、９ａ、９ｂ 引出し電極、１５ 真空チャンバ。

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ガスをイオン化し、そのイオンを装置内
    に載置されたウエハに注入するイオン注入装置であっ
    て、 特定ガスを含む原料ガスで内部を満たすことのできるイ
    オン発生容器と、 前記特定ガスの吸収波長と実質的に同一の波長を有する
    光を発生させ、前記光を前記イオン発生容器の内部に照
    射するよう配置された光発生手段とを備え、 前記イオン発生容器内に照射された光によって、前記特
    定ガスのみが光子吸収により選択的に励起されてイオン
    を生ずる、イオン注入装置。
  2. 【請求項２】 前記イオン発生容器の内壁の互いに対向
    する面に取付けられた反射手段をさらに備え、 前記イオン発生容器内に照射された光が前記反射手段に
    より多重反射されるように、前記反射手段と前記光発生
    装置とが配置されている、請求項１に記載のイオン注入
    装置。
  3. 【請求項３】 前記イオン発生容器内から前記イオンを
    引出すための引出し電極をさらに備える、請求項１に記
    載のイオン注入装置。
  4. 【請求項４】 前記引出し電極によって引出された前記
    イオンを選別し、特定のイオンのみを前記ウエハに注入
    する質量分析器をさらに備える、請求項３に記載のイオ
    ン注入装置。
  5. 【請求項５】 前記質量分析器によって選別された前記
    特定イオンを所定速度まで加速させる加速器をさらに備
    える、請求項４に記載のイオン注入装置。
  6. 【請求項６】 前記イオン発生容器は、前記特定ガスを
    生成する際に生じる光を前記イオン発生容器の内部に照
    射する、請求項１に記載のイオン注入装置。
  7. 【請求項７】 ガスをイオン化し、そのイオンを装置内
    に載置されたウエハに注入するイオン注入方法であっ
    て、 イオン発生容器の内部を、特定ガスを含む原料ガスで満
    たす工程と、 光発生手段により、前記特定ガスの吸収波長と実質的に
    同一の波長を有する光を発生させる工程と、 前記光を前記イオン発生容器の内部に照射して、前記特
    定ガスのみを光子吸収により選択的に励起させてイオン
    を生じさせる工程と、 前記イオンを前記ウエハに注入する工程とを備えた、イ
    オン注入方法。
  8. 【請求項８】 前記イオン発生容器の内壁の互いに対向
    する面には、反射手段が取付けられており、 前記イオンを生じさせる工程は、 前記イオン発生容器の内部に照射された前記光が前記反
    射手段により多重反射される工程を有する、請求項７に
    記載のイオン注入方法。
  9. 【請求項９】 前記光発生手段により発生される前記光
    は、前記特定ガスを生成する際に生じる光である、請求
    項７に記載のイオン注入方法。
  10. 【請求項１０】 ウエハにイオンを注入することによっ
    て得られた半導体装置であって、 半導体基板と、 前記半導体基板内に形成された10Ｂよりなる不純物領域
    とを備えた、半導体装置。
  11. 【請求項１１】 前記不純物領域は、レトログレーデッ
    ドウェルである、請求項１０に記載の半導体装置。
JP7002037A 1995-01-10 1995-01-10 イオン注入装置、イオン注入方法および半導体装置 Pending JPH08190886A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7002037A JPH08190886A (ja) 1995-01-10 1995-01-10 イオン注入装置、イオン注入方法および半導体装置
US08/554,015 US6140656A (en) 1995-01-10 1995-11-06 Ion implantation apparatus, ion implantation method and semiconductor device
DE69515285T DE69515285D1 (de) 1995-01-10 1995-11-13 Ionenimplantationsgerät und -verfahren sowie Halbleitervorrichtung
EP95117875A EP0722180B1 (en) 1995-01-10 1995-11-13 Ion implantation apparatus, ion implantation method and semiconductor device
KR1019960000048A KR100198235B1 (ko) 1995-01-10 1996-01-04 이온주입장치, 이온주입방법 및 반도체장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7002037A JPH08190886A (ja) 1995-01-10 1995-01-10 イオン注入装置、イオン注入方法および半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08190886A true JPH08190886A (ja) 1996-07-23

Family

ID=11518135

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7002037A Pending JPH08190886A (ja) 1995-01-10 1995-01-10 イオン注入装置、イオン注入方法および半導体装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6140656A (ja)
EP (1) EP0722180B1 (ja)
JP (1) JPH08190886A (ja)
KR (1) KR100198235B1 (ja)
DE (1) DE69515285D1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004079930A (ja) * 2002-08-22 2004-03-11 Toshiba Corp 半導体材料、その製造方法、及びｓｏｉ型半導体基板

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6717137B2 (en) 2001-06-11 2004-04-06 Isis Pharmaceuticals, Inc. Systems and methods for inducing infrared multiphoton dissociation with a hollow fiber waveguide
US8097416B2 (en) 2003-09-11 2012-01-17 Ibis Biosciences, Inc. Methods for identification of sepsis-causing bacteria
US20120122103A1 (en) 2003-09-11 2012-05-17 Rangarajan Sampath Compositions for use in identification of bacteria
US8546082B2 (en) * 2003-09-11 2013-10-01 Ibis Biosciences, Inc. Methods for identification of sepsis-causing bacteria
US8598022B2 (en) 2009-10-27 2013-12-03 Advanced Technology Materials, Inc. Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same
TWI582836B (zh) * 2010-02-26 2017-05-11 恩特葛瑞斯股份有限公司 用以增進離子植入系統中之離子源的壽命及性能之方法與設備
JP5813536B2 (ja) 2012-03-02 2015-11-17 株式会社東芝 イオン源
WO2018087594A1 (en) * 2016-11-11 2018-05-17 Nissin Ion Equipment C., Ltd. Ion source
GB2577918A (en) * 2018-10-10 2020-04-15 Univ Manchester Method and apparatus for determining the presence of ions in a sample

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1391738A (fr) * 1963-10-21 1965-03-12 Comp Generale Electricite Procédé de séparation isotopique
US3772519A (en) * 1970-03-25 1973-11-13 Jersey Nuclear Avco Isotopes Method of and apparatus for the separation of isotopes
US3914655A (en) * 1973-06-28 1975-10-21 Ibm High brightness ion source
US4158139A (en) * 1976-10-06 1979-06-12 Jersey Nuclear-Avco Isotopes, Inc. Isotopically selective excitation from plural low levels to distinct excited levels
US4442354A (en) * 1982-01-22 1984-04-10 Atom Sciences, Inc. Sputter initiated resonance ionization spectrometry
JPS58157043A (ja) * 1982-03-15 1983-09-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> イオンビ−ム発生装置
JPS60208035A (ja) * 1984-04-02 1985-10-19 Mitsubishi Electric Corp イオンビ−ム発生装置
US4670064A (en) * 1985-04-10 1987-06-02 Eaton Corporation Generating high purity ions by non-thermal excimer laser processing
US4692627A (en) * 1985-10-01 1987-09-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Ion beam generator
US4845836A (en) * 1988-04-18 1989-07-11 Westinghouse Electric Corp. Method for feeding a through-bolt through a bore in a stator core
JPH02288048A (ja) * 1989-04-27 1990-11-28 Nec Corp 光イオン化イオン源
JPH0395969A (ja) * 1989-09-07 1991-04-22 Canon Inc 半導体装置
JPH03165443A (ja) * 1989-11-24 1991-07-17 Shimadzu Corp イオン注入方法
JPH04242049A (ja) * 1991-01-10 1992-08-28 Nissin Electric Co Ltd イオン源
JPH0562420A (ja) * 1991-08-30 1993-03-12 Mitsubishi Rayon Co Ltd フロツピーデイスク用ライナー

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004079930A (ja) * 2002-08-22 2004-03-11 Toshiba Corp 半導体材料、その製造方法、及びｓｏｉ型半導体基板

Also Published As

Publication number Publication date
DE69515285D1 (de) 2000-04-06
KR960030324A (ko) 1996-08-17
EP0722180B1 (en) 2000-03-01
EP0722180A3 (en) 1997-12-29
KR100198235B1 (ko) 1999-06-15
EP0722180A2 (en) 1996-07-17
US6140656A (en) 2000-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4664938A (en) Method for deposition of silicon
KR100573210B1 (ko) 마이크로파 플라즈마 프로세스 장치, 플라즈마 착화 방법,플라즈마 형성 방법 및 플라즈마 프로세스 방법
US3914655A (en) High brightness ion source
Zhong et al. Ultrafast dissociation dynamics of acetone: A revisit to the S 1 state and 3s Rydberg state
JPH08190886A (ja) イオン注入装置、イオン注入方法および半導体装置
Yu et al. Photodissociation dynamics of cadmium and zinc dimethyl
Matsuda et al. On the copper oxide neutral cluster distribution in the gas phase: Detection through 355 nm and 193 nm multiphoton and 118 nm single photon ionization
US4732793A (en) Method and apparatus for laser-induced CVD
Holmlid Observation of the Unidentified Infrared Bands in the Laboratory: Anti-Stokes Stimulated Raman Spectroscopy of a Rydberg Matter Surface Boundary Layer
JPH09195044A (ja) 薄膜の形成方法
JPH0760654B2 (ja) イオンビ−ム発生方法および装置
US4201955A (en) Method of producing population inversion and lasing at short wavelengths by charge transfer
US4716295A (en) Ion beam generator
JPH0441461B2 (ja)
Konak et al. Characteristics of nuclear-pumped lasers based on the 3p—3s transitions in the neon atom
Xu et al. Controlling H atom production in the 193 nm laser photolysis of triethylarsenic
JPH09115850A (ja) イオン注入方法及びイオン注入装置
JP3170792B2 (ja) 低エネルギー中性ビームドーピング装置とそのドーピング方法
JPS60235337A (ja) イオンビ−ム発生装置
Panayotov et al. Selective ionization of group I elements from laser ablated plumes of Rb⋅ Ga⋅ Sb, K 3 Ga 3 As 4, and K 4 In 4 As 6
JPH01119668A (ja) イオン注入装置
Namba et al. Photoionized xenon cluster plasmas generated by a soft x-ray laser pulse
JPS60235344A (ja) イオンビ−ム発生装置
Raynor et al. Electron-driven neutral dissociation of Si-containing molecules
JPS6127041A (ja) イオンビ−ム発生装置

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20030304