KR950004654A - 고속원자빔을 이용한 처리장치 - Google Patents

고속원자빔을 이용한 처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR950004654A
KR950004654A KR1019940015981A KR19940015981A KR950004654A KR 950004654 A KR950004654 A KR 950004654A KR 1019940015981 A KR1019940015981 A KR 1019940015981A KR 19940015981 A KR19940015981 A KR 19940015981A KR 950004654 A KR950004654 A KR 950004654A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vacuum container
source
high speed
emitting
speed atomic
Prior art date
Application number
KR1019940015981A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100333429B1 (ko
Inventor
마사히로 하따께야마
Original Assignee
후지무라 히로유끼
가부시기가이샤 에바라 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지무라 히로유끼, 가부시기가이샤 에바라 세이사꾸쇼 filed Critical 후지무라 히로유끼
Publication of KR950004654A publication Critical patent/KR950004654A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100333429B1 publication Critical patent/KR100333429B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K5/00—Irradiation devices
    • G21K5/04—Irradiation devices with beam-forming means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H3/00—Production or acceleration of neutral particle beams, e.g. molecular or atomic beams
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K5/00—Irradiation devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)

Abstract

본 발명은 고속원자빔에 추가하여 광에너지 공급원, 레이저빔 공급원, 라디칼 공급원, 전자빔 공급원, 엑스선 또는 방사선(알파선, 베타선 또는 감마선) 공급원, 이온 공급원중에서 선택된 적어도 하나를 가진 고속원자빔을 이용하여, 진공컨테이너내 또는 진공컨테이너 외부에 배치되는 처리대상물은 광에너지, 레이저빔, 전자빔, 엑스선 또는 방사선, 라디칼 입자 및 이온빔중에서 선택된 적어도 하나와의 조합으로 고속원자 빔에 의해 조사받음으로써 처리속도가 증가되는 처리장치에 관한 것이다.

Description

고속원자빔을 이용한 처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 따른 고속원자빔을 이용한 처리장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도이고, 제 2 도는 본 발명에 따른 고속원자빔을 이용한 처리장치의 다른 구성을 개략적으로 나타내는 도이며, 제 3 도는 고속원자빔을 이용한 종래의 처리장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도이다.

Claims (9)

  1. 진공컨테이너와, 상기 진공컨테이너내로 비교적 큰 운동에너지를 가진 원자 또는 분자의 고속원자빔을 방출하는 고속원자빔 공급원과, 상기 진공컨테이너내로 광에너지를 방출하는 광에너지 공급원을 구비하며; 상기 진공컨테이너내에 배치되는 처리대상물의 표면은 상기 고속원자빔 공급원 및 상기 광에너지 공급원으로부터 고속원자빔 및 광에너지를 각각 조사받음으로써 상기 처리대상물이 처리되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  2. 진공컨테이너와, 상기 진공컨테이너내로 비교적 큰 운동에너지를 가진 원자 또는 분자의 고속원자빔을 방출하는 고속원자빔 공급원과, 상기 진공컨테이너내로 레이저빔을 방출하는 레이저빔 공급원을 구비하며; 상기 진공컨테이너내에 배치되는 처리대상물의 표면은 상기 고속원자빔 공급원 및 상기 레이저빔 공급원으로부터 고속원자빔 및 레이저빔을 각각 조사받음으로써 상기 처리대상물이 처리되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  3. 진공컨테이너와, 상기 진공컨테이너내로 비교적 큰 운동에너지를 가진 원자 또는 분자의 고속원자빔을 방출하는 고속원자빔 공급원과, 상기 진공컨테이너내로 라디칼 입자를 방출하는 라디칼 공급원을 구비하며; 상기 진공컨테이너내에 배치되는 처리대상물의 표면은 상기 고속원자빔 공급원 및 상기 라디칼 공급원으로부터 고속원자빔 및 라디칼 입자를 각각 조사받음으로써 상기 처리대상물이 처리되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  4. 진공컨테이너와, 상기 진공컨테이너내로 비교적 큰 운동에너지를 가진 원자 또는 분자의 고속원자빔을 방출하는 고속원자빔 공급원과, 상기 진공컨테이너내로 전자빔을 방출하는 전자빔 공급원을 구비하며; 상기 진공컨테이너내에 배치되는 처리대상물의 표면은 상기 고속원자빔 공급원 및 상기 전자빔 공급원으로부터 고속원자빔 및 전자빔을 각각 조사받음으로써 상기 처리대상물이 처리되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  5. 진공컨테이너와, 상기 진공컨테이너내로 비교적 큰 운동에너지를 가진 원자또는 분자의 고속원자빔을 방출하는 고속원자빔 공급원과, 상기 진공컨테이너내로 엑스선을 방출하는 엑스선 공급원 또는 방사선을 방출하는 방사선 공급원을 구비하며 ; 상기 진공컨테이너내에 배치되는 처리대상물은 상기 고속원자빔 공급원과 상기 엑스선 공급원 또는 방사선 공급원으로부터 고속원자빔과 엑스선 또는 방사선을 각각 조사받음으로써 상기 처리대상물이 처리되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  6. 진공컨테이너와, 상기 진공컨테이너내로 비교적 큰 운동에너지를 가진 원자 또는 분자의 고속원자빔을 방출하는 고속원자빔 공급원과, 상기 진공컨테이너내로 이온빔을 방출하는 이온 공급원을 구비하며; 상기 진공컨테이너내에 배치되는 처리대상물은 상기 고속원자빔 공급원 및 상기 이온 공급원으로부터 고속원자빔 및 이온빔을 각각 조사받음으로써 상기 처리대상물이 처리되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  7. 진공컨테이너와, 상기 진공컨테이너내로 광에너지를 방출하는 광에너지 공급원과 상기 진공컨테이너내로 레이저빔을 방출하는 레이저빔 공급원과 상기 진공컨테이너내로 전자빔을 방출하는 레이저빔 공급원과 상기 진공컨테이너내로 엑스선을 방출하는 엑스선 공급원과 상기 진공컨테이너내로 방사선(알파선, 베타선 또는 감마선)을 방출하는 방사선 공급원과 상기 진공컨테이너내로 라디칼 입자를 방출하는 라디칼 공급원과 상기 진공컨테이너내로 이온 입자를 방출하는 이온 공급원과 상기 진공컨테이너내로 비교적 큰 운동에너지를 가진 원자 또는 분자의 고속원자빔을 방출하는 고속원자빔 공급원 중에서 선택된 적어도 두개의 공급원들 조합을 구비하며; 상기 진공컨테이너내에 배치되는 처리대상물은 상기 각 대응하는 공급원으로부터 방출되는 상기 광에너지, 레이저빔, 전자빔, 엑스선, 방사선, 라디칼 입자 및 이온 입자중에서 선택된 적어도 두개의 조합에 의해 조사받음으로써 상기 처리대상물이 처리되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 진공컨테이너를 사용하지 않는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 고속원자빔은 방전가스로서 비활성가스 또는 화학반응가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940015981A 1993-07-05 1994-07-05 고속원자빔을이용한처리방법 KR100333429B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP93-192073 1993-07-05
JP19207393A JP3432545B2 (ja) 1993-07-05 1993-07-05 高速原子線を用いる加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950004654A true KR950004654A (ko) 1995-02-18
KR100333429B1 KR100333429B1 (ko) 2002-09-05

Family

ID=16285188

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940015981A KR100333429B1 (ko) 1993-07-05 1994-07-05 고속원자빔을이용한처리방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5563416A (ko)
EP (1) EP0633714B1 (ko)
JP (1) JP3432545B2 (ko)
KR (1) KR100333429B1 (ko)
DE (1) DE69421215T2 (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6671034B1 (en) * 1998-04-30 2003-12-30 Ebara Corporation Microfabrication of pattern imprinting
US6465795B1 (en) * 2000-03-28 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Charge neutralization of electron beam systems
US6921722B2 (en) * 2000-05-30 2005-07-26 Ebara Corporation Coating, modification and etching of substrate surface with particle beam irradiation of the same
CN100369706C (zh) * 2004-10-22 2008-02-20 沈阳黎明航空发动机(集团)有限责任公司 一种薄壁钛合金组件的真空电子束焊接方法
US8801378B2 (en) 2010-02-24 2014-08-12 Sikorsky Aircraft Corporation Low offset hingeless rotor with pitch change bearings
CN103084726B (zh) * 2013-02-01 2015-04-08 中国航空工业集团公司北京航空制造工程研究所 一种电子束表面微造型的动态加工方法
CN112570875B (zh) * 2020-12-09 2022-07-29 兰州空间技术物理研究所 一种用于板式表面张力贮箱形变控制的焊接工艺方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL122665C (ko) * 1959-08-17
SU886044A1 (ru) * 1980-03-11 1981-11-30 Каунасский Политехнический Институт Им. А.Снечкуса Способ обработки рабочей поверхности магнитной головки
FR2555829B1 (fr) * 1983-11-30 1986-03-28 Lucas Georges Emission conjuguee de lumiere coherente et de particules materielles chargees en energie, et dispositif pour la mise en oeuvre d'une telle emission
US4624736A (en) * 1984-07-24 1986-11-25 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Laser/plasma chemical processing of substrates
US5108543A (en) * 1984-11-07 1992-04-28 Hitachi, Ltd. Method of surface treatment
KR960016218B1 (ko) * 1987-06-05 1996-12-07 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 표면처리방법 및 그 장치
US4886570A (en) * 1987-07-16 1989-12-12 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus and method
EP0380667A4 (en) * 1987-10-07 1991-04-24 Terumo Kabushiki Kaisha Ultraviolet-absorbing polymer material and photoetching process
US4874459A (en) * 1988-10-17 1989-10-17 The Regents Of The University Of California Low damage-producing, anisotropic, chemically enhanced etching method and apparatus
EP0418540A3 (en) * 1989-08-11 1991-08-07 Sanyo Electric Co., Ltd. Dry etching method
JPH0724240B2 (ja) * 1991-03-05 1995-03-15 株式会社荏原製作所 高速原子線源
US5286331A (en) * 1991-11-01 1994-02-15 International Business Machines Corporation Supersonic molecular beam etching of surfaces
JP2840502B2 (ja) * 1992-06-03 1998-12-24 三洋電機株式会社 高機能材料膜形成方法
US5429730A (en) * 1992-11-02 1995-07-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of repairing defect of structure

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0716761A (ja) 1995-01-20
DE69421215T2 (de) 2000-05-31
JP3432545B2 (ja) 2003-08-04
EP0633714A1 (en) 1995-01-11
KR100333429B1 (ko) 2002-09-05
EP0633714B1 (en) 1999-10-20
US5563416A (en) 1996-10-08
DE69421215D1 (de) 1999-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2331163C1 (ru) Устройство для вывода рентгеновских лучей высокой и/или низкой энергии
US3582650A (en) Support structure for electron accelerator with deflecting means and target and cooperating patient support
Trump et al. Irradiation of biological materials by high energy roentgen rays and cathode rays
DE3572082D1 (en) X-ray application system
EP0244504B1 (en) X-ray source
CA2033399A1 (en) Sources of coherent short wavelength radiation
KR950004654A (ko) 고속원자빔을 이용한 처리장치
US2785313A (en) Method and apparatus for sterilizing by electron bombardment
KR920003415A (ko) 저 에너지 전자 조사 방법 및 조사 장치
JP2002107494A (ja) 核反応の誘起方法および核反応誘起装置
KR950004655A (ko) 고속원자빔을 이용한 처리방법
JPS56104438A (en) X-ray lithographic device
ATE133315T1 (de) Schnelle atomstrahlquelle
US7580506B2 (en) System and method for non-destructive decontamination of sensitive electronics using soft X-ray radiation
US5250257A (en) Process for the sterilization of implants
EP0105261A1 (en) X-RAY PRODUCTION.
US5825037A (en) Compact, selfshielded electron beam processing technique for three dimensional products
JP3751650B2 (ja) 静電気中和装置
JPH05119199A (ja) レーザプラズマｘ線源用ターゲツト
JPS56111223A (en) X-ray exposuring device
JPH0716286A (ja) 電子線を用いた殺菌方法
JPS62117246A (ja) 高輝度ｘ線発生用標的
US1982028A (en) Activation of materials
Yagi et al. Laser plasma X-ray for non-destructive inspection
GB2212653A (en) High energy laser

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20050322

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee