SU886044A1 - Способ обработки рабочей поверхности магнитной головки - Google Patents
Способ обработки рабочей поверхности магнитной головки Download PDFInfo
- Publication number
- SU886044A1 SU886044A1 SU802893480A SU2893480A SU886044A1 SU 886044 A1 SU886044 A1 SU 886044A1 SU 802893480 A SU802893480 A SU 802893480A SU 2893480 A SU2893480 A SU 2893480A SU 886044 A1 SU886044 A1 SU 886044A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- working surface
- surface treatment
- treatment method
- head surface
- magnetic
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
I
Изобретение относитс к приборостро енюо, в частности к технике магнитной записи, и может быть использовано в технологии изготовлени магнитных головок .
Известны способы обработки рабочей поверхности магнитных головок, основанные на нанесении на нее тонких до. попнитепьньк слоев с более высокой износостойкостью . Например, методом катодаого распылени на рабочую поверхность магнитной головки нанос т магнитом51гкий сплав алфесилГ13 или электролитическим осаждением нанос т ианЬсостойкий слой, содержащий ,частицы магнетика или феррита 2 Однако вышеуказанные способы обработки рабочей поверхности недостаточно эффективны. В процессе эксплуатации нанесенные на магнитную головку покрыти отслаиваютс и крошатс , тем самым не обеспечива их необходимых механических параметров.
Известны также способы обработки рабочей поверхности магнитных головок вкгаочающие обработку этой поверхности в вакууме путем бомбардировки пучком ионов элементов насыщени Сз
Одншсо известный способ обработки рабочей поверхности износостойкость увеличивает недостаточно. Это главным образом, св зано с тем, что при больших
10 дозах ионного внедрени (практически уже при ф 5. 10 сьГ про вл етс эффект распьшенй внедр емыми ионами. В св зи с этим влением нельз достичь сколь угодно больших концентраций внедв5 ренных примесей , так как устанавливает с стационарный насыщенный режим, ттри котором количество внедренных примес -, ньвс атомов становитс равным количеству распыленньсс с обрабатьюаемой поверх20 ности атомов. С другой стороны, процесс распылени рабочей поверхности недопуо-. ТИМ с технологической точки зрени , так как уменьшает ее толщину.
Цель изобретени - получение более высокой степени износостойкости; маг. нитной головки.
Поставленна цель достигаетс тем, что способ обработки рабочей поверхности магнитнсЛ головки включает бомбардировку этой поверхности в вакууме пучком электрически а тивньк гтримесньос firceioB, причем внедрение электрическв активных примесных иовов провод т дозами о-Ю до 5-1О см с энергией в диапазсже от 50 до 40О кэВ при однс эеменном осаждении на рабочую по- . верхность распьотенного пермалло со (жоростью, равной скфости расаь пени , внедр емых примесных ис ов.
Таким образоМ| осаждение тс кого. сло пермалло со скс остью осажденсс , равной скорости распылени рабочей поверхности магнитесЛ головки вне/ф емьь м 1фимесными ионами, компенсируют процесс распылени и позвол ет достиг нуть сколь угодно большие Концентрмхии внесенных Примесных атомов, тем самым получать износостойкие ,соединени на рабочих поверхност х магнитньОс гот
ЛОВ(Ж.
На чертеже представлено устройство, реализующее предлагаемый способ.
Устройство содержит рабочую поверхность 1 магнитной головки пермаллоевуго мишень 2 и дополнительный ионный источник 3. Направление электрически активных примесных ионов фосфора на чер- теже показано стрелками А, направление распыленного пермалло 2 - стрелками Б, направление пучка ионов, распыл ю - щего пермаллоевую мишень - стрелками В.
Пример. Обрабатьшаемую магнит ную го оису помещают в приекетую камеру установки ионного легировани . На поверхность головки внедр ют ионы фосфо .ра Чр с энергией 50-40О кэВ и дозах этих ионов | 5-id® см Из донолнительного ионного источника 3 направл ют на пермаллоевую мвЕ1ень поток
ишов не ада Он энергией 3 кэВ и плотностью ионного тока 2 мкА/см -, которые у дар сь об нее, распыл ют ее Во врем легировани комгюнсаци распылени рабочей Поверхности магаитной
головки проводитс путем осаждени на ее рабочую поверхность пермалло .
Рассе ние от рабочей поверхности магнитной головки до оермаллоевой мишени устанавливают рашсьсм 4 см, а до дополнительного аоннс о источника 2,5 см, причем допогавте ьный ионный источник устанавливают иод углом 65 по отношени о нормали к поверхности распыл емого пермалло .
Износостойкость магнитных головок в зависимости от режимов легировани представлена в таблице.
50
50
50
50
i50
200
20О
500
200
2ОО
400
4ОО
4ОО
4ОО
400
,4.
3-3
lOxa 10 3,8
3.6 .107, 4,4 4,1 Ч
- 5,0 4,75 . 5,8
5.54 ,1
3.74 ,8
4. 5,2 4,95 ,75 5,4 (8 6,3 5,9 5 -10
5UO 4,25 3,9 5,1
4.85 -10 5,8 5,4 -t
.« в,2 6,0 ,8 6,6 6,4 5-10
Использование предлагаемого способ/ обеспечивает по сравнению с известными при сравнимых дозах внедрени значительно большую износостойкость рабочей поверхности магнитных головок, что позвол ет значительно повысить их долговечность.
Claims (2)
1.Патент США № 3566О45, кл. Q 11 В 5/22, 1971.
2.Патент США № 3737483,
кл. Q 11 В 5/4О, С 23 С 3/О2, 1973. tS3. Авторское свидетельство СССР
№ 668371, кл, С 22 F 3/00, 1978. (прототип).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU802893480A SU886044A1 (ru) | 1980-03-11 | 1980-03-11 | Способ обработки рабочей поверхности магнитной головки |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU802893480A SU886044A1 (ru) | 1980-03-11 | 1980-03-11 | Способ обработки рабочей поверхности магнитной головки |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU886044A1 true SU886044A1 (ru) | 1981-11-30 |
Family
ID=20882459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU802893480A SU886044A1 (ru) | 1980-03-11 | 1980-03-11 | Способ обработки рабочей поверхности магнитной головки |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU886044A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0633714A1 (en) * | 1993-07-05 | 1995-01-11 | Ebara Corporation | Processing apparatus using fast atom beam |
-
1980
- 1980-03-11 SU SU802893480A patent/SU886044A1/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0633714A1 (en) * | 1993-07-05 | 1995-01-11 | Ebara Corporation | Processing apparatus using fast atom beam |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR960002632B1 (ko) | 재료의 플라즈마 증진 마그네트론 스퍼터 전착 장치 및 방법 | |
US4544468A (en) | Method of and apparatus for coating shaped parts by cathodic atomization | |
GB1483966A (en) | Vapourized-metal cluster ion source and ionized-cluster beam deposition | |
EP0747927A3 (en) | Apparatus for obtaining dose uniformity in plasma doping (PLAD) ion implantation processing | |
DE19939040B4 (de) | Magnetronsputtergerät | |
DE10100746A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Bilden von Filmen | |
Rohde et al. | Effects of an unbalanced magnetron in a unique dual-cathode, high rate reactive sputtering system | |
SU886044A1 (ru) | Способ обработки рабочей поверхности магнитной головки | |
GB2342361A (en) | Planar unbalanced magnetron sputtering cathode | |
DE3738845A1 (de) | Zerstaeubungskatode nach dem magnetronprinzip | |
US3869368A (en) | Methods of sputter deposition of materials | |
Leysen et al. | The interaction of caesium with clean ZnO surfaces | |
SU858086A1 (ru) | Способ обработки рабочей поверхности магнитной головки | |
JPS5920465A (ja) | 超硬質工具及びその製造方法 | |
EP0167383A3 (en) | Apparatus for and a method of modifying the properties of a material | |
US5536381A (en) | Sputtering device | |
JPH0726197B2 (ja) | 薄膜形成方法及びその装置 | |
EP0955667A1 (de) | Target für eine Kathodenzerstäubungsvorrichtung zur Herstellung dünner Schichten | |
Golan et al. | Ring etching zones on magnetron sputtering targets | |
JPS57128437A (en) | Manufacture of lanthanum-boride thermionic emission electrode | |
SU1683184A1 (ru) | Способ напылени высокоориентированной пьезоэлектрической пленки окиси цинка | |
Conrad et al. | Recent Developments in Plasma Source Ion Implantation | |
RU2075539C1 (ru) | Устройство для ионно-плазменного распыления материалов в вакууме | |
JPS6465262A (en) | Three-electrode sputtering gun | |
JPS5679438A (en) | Working device for charged particle beam |