KR960026461A - 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 고전압 바이어스조건에서 발생되는 접합항복 또는 펀치쓰루우등의 현상을 방지하기 위하여 게이트산화막의 양측부를 선택적으로 두껍게 형성시키므로써 저전압 및 고전압용 트랜내지스터의 게이트산화막의 두께를 동일하게 형성시킬 수 있어 공정을 단순화시킬 수 있고, 고전압 바이어스조건에서도 그 동작특성이 양호하여 소자의 전기적특성이 향상될 수 있도록 한 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1G도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (4)
- 반도체 소자의 틀내지스터 제조방법에 있어서, 실리콘기판상에 고온산화막을 형성시키고 제1감광막을 도포한 후 채널이 형성될 부분이 확정되도록 상기 제1감광막을 패터닝시키는 단계와, 상기 단계로 부터 상기 패터닝된 제1감광막을 마스크로 이용하여 상기 고온산화막을 식각한 후 상기 제1감광막을 제거하고 전체면에 희생 산화막을 형성시키는 단계와, 상기 단계로 부터 상기 희생산화막을 제거하고 노출된 실리콘기판 상에 게이트산화막을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 전체면에 폴리실리콘층을 형성하고 제2감광막을 도포한 후 게이트전극용 마스크를 이용하여 상기 제2감광막을 패터닝시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 패터닝된 제2감광막을 마스크로 이용하여 상기 폴리실리콘층 및 고온산화막을 식각하여 게이트전극을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 제2감광막을 제거하고 불순물이온을 주입시킨 후 열처리하여 소오스 및 드레인영역을 형성시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 고온산화막을 300 내지 500Å 두께로 형성되며, 상기 게이트 산화막을 100 내지 300Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트전극 형성을 위한 제2감광막 패터닝시 상기 고온산화막의 일부가 게이트전극의 양측부에 포함되도록 마스크정렬을 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인영역을 형성하기 위한 불순물주입공정시 상기 게이트전극을 자기 정렬마스크로 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039479A KR960026461A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039479A KR960026461A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026461A true KR960026461A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66647873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940039479A KR960026461A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026461A (ko) |
-
1994
- 1994-12-30 KR KR1019940039479A patent/KR960026461A/ko not_active Application Discontinuation
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