KR960026261A - 재 도입형 콘택 홀을 피복시키거나 또는 충진시키기 위한 방법 및 장치 - Google Patents

재 도입형 콘택 홀을 피복시키거나 또는 충진시키기 위한 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR960026261A
KR960026261A KR1019950049570A KR19950049570A KR960026261A KR 960026261 A KR960026261 A KR 960026261A KR 1019950049570 A KR1019950049570 A KR 1019950049570A KR 19950049570 A KR19950049570 A KR 19950049570A KR 960026261 A KR960026261 A KR 960026261A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
thickness
depositing
deposited
substrate surface
Prior art date
Application number
KR1019950049570A
Other languages
English (en)
Inventor
크수 쯔헹
키에우 호아
Original Assignee
제임스 조셉 드롱
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제임스 조셉 드롱, 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 제임스 조셉 드롱
Publication of KR960026261A publication Critical patent/KR960026261A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3435—Applying energy to the substrate during sputtering
    • C23C14/345—Applying energy to the substrate during sputtering using substrate bias
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/046—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C23C14/354—Introduction of auxiliary energy into the plasma
    • C23C14/358—Inductive energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3447—Collimators, shutters, apertures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
    • H01L21/76882—Reflowing or applying of pressure to better fill the contact hole
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3322—Problems associated with coating
    • H01J2237/3327—Coating high aspect ratio workpieces

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 기판의 표면내에 홀드 등각으로 커버하거나 또는 충전시키도록 재료를 증착하는 방법 및 장치에 관한 것으로, 상기 바람직한 방법은 상기 기판의 포면상에 재료를 제1두께로 밀집하여 증착하는 단계와, 상기 콘택 홀의 측벽을 재료로 증착하여 완전하게 그리고 연속적으로 피복하도록 증착된 재료를 역 스퍼터링하는 단계와, 상기 재료가 제1두께로 상기 기판의 표면상에증착된후, 상기 기판의 표면상에 상기 재료를 제2두께로 증착하는 단계와, 그리고, 상기 기판의 표면상에 상기 재료를 제2두께로 증착하는 동안, 증착하고자 하는 상기 재료의 재흐름을 개선시키도록 상기 기판위에 위치된 열 원으로부터 표면을 가열하는 단계를 포함한다.

Description

재 도입형 콘택 홀을 피복 시키거나 또는 충진시키기 위한 방법 및 장치.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
지2도는 등각 증착 가공을 수행하는 스퍼터링 증착 챔버의 다어어그램.

Claims (21)

  1. 반도체 기판 표면에 형성된 콘택 홀에 재료를 증착시키는 방법에 있어서, a) 상기 기판 표면상에 상기 재료를 제1두께로 증착하여 상기 홀을 부분적으로 충전시키는 단계와, b) 상기 증착된 재료를 역 스퍼터링하여 상기 증착된 재료로 상기 코태홀의 측벽을 피복하는 단계와, c) 상기 재료의 제1두께가 상기 기판 표면상에 증착된 후, 상기 기판 표면상에 상기 재료를 제2의두께로 증착하는 단계와, 그리고 d) 상기 기판 표면상에 상기 재료를 제2두께로 증착시키면서, 상기 기판을 가열하고 증착하고자하는 재료의 재흐름을 개선시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 콘택 홀 내에 재료를 증착하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 역 스퍼터링시키는 단계는 상기 재료를 제1두께로 밀집하여 증착시키는 단계와 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판 표면상에 상기 재료를 제1두께로 증착시키는 단계는 상기 기판의 온도를 상기 측벽에 스퍼터된 재료가 습윤이 감소되는 것을 방지하도록 충분히 낮게 유지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판 표면상에 상기 재료를 제1두께로 증착하는 단계는 상기 기판에 실질적으로 수직인 궤도로 상기 재료를 증착하는 단계를 포함하는것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 가열 단계는 전자로 기판표면을 타격하여 상기 증착된 재료의 재흐름을 개선시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 전자로 기판을 타격하는 단계는 상기 기판에 양 전압을 가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 타격 전자는 상기 증착된 재료를 가열하기에 충분히 높지만, 상기 기판상의 전기 장치에 손상을 입힐만큼 크지 않은 에너지를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제5항에 있어서, 상기 가열 단계는 상기 기판이 지지된 플랫포옴을 가열하는 단계를 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 가열 단계는 재료가 제2두께로 증착되어 증착시키고자 하는 재료의 재흐름을 개선시키는 기판의 한 측면상에 위치된 가열 원으로부터 기판 표면을 가열시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제1항에 있어서, 제1두께로 증착시키는 단계는 재료의 많은 양이각 홀의 베이스상에 증착되는 것을 보장하기 위하여 상기 재료를 충분히 밀집되게 제1두께로 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제1항에 있어서, 제1두께로 증착하는 단계는 상기 기판상에 증착하고자하는 재료의 성분인 타겟 재료로 이루어진 타겟을 스퍼터링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 제1두께를 증착시키는 단계는 밀집된 스퍼터 증착을 생성하도록 기판과 타겟 사이에 콜리메이터를 위치시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 역 스퍼터링하는 단계는 콜리메이터와 연관된 기판에 음 전압을 가하는 단계를 포함하는 한편 재료의 제1두께는 상기 기판상에 스퍼터 증착되고, 이에 따라 제1두께로 증착하는 단계와 그리고 역 스퍼터링 단계를 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제12항에 있어서, 밀집하여 증착하는 단계는 제1증착 챔버에서 수행되고, 재료를 제2두께로 증착하는 단계는 제2증착 챔버에서 수행되고 그리고 재스퍼터링 단계와 제2두께로 증착하는 단계 사이에 진공하에서 제1챔버로부터 제2챔버로 기판을 전달하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제1항에 있어서, 역 스퍼터링 단계는 이온으로 상기 기판을 타격하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제2항에 있어서, 역 스퍼터링 단계는 1두께로 증착을 진행하는 동안 양 바이어스 전압을 기판에 가하여, 상기 양 전압은 이온을 유도하여 제1두께로 증착하는동안 상기 기판을 타격하고 그리고 역 스퍼터링하도록 하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 타격이온이 상기 홀의 하부상에 증착된 재료를 역 스퍼터하도록 충분히 크지만, 상기 홀의 하부로부터 증착된 모든 재료를 제거할만큼 충분히 크지는 않은 에너지를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제1항에 있어서, 상기 기판의 온도는 상기 재스터퍼링 단계를 진행하는 동안 충분히 낮게 유지되어 상기 측벽상에 제스퍼터된 재료를 피복하는 것이 연속적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 기판 표면에 형성된 콘택 홀을 구비한 기판상에 평면화된 재료의 층을 형성하도록 하는 방법에 있어서, a) 상기 기판 표면상에 재료를 제1두께로 밀집하여 증착하는 단계와, b) 밀집 증착 단계와 병행하여, 상기 콘택 홀의 측벽을 재료로 증착하여 완전하게 그리고 연속적으로 피복하도록 증착된 재료를 역 스퍼터링하는 단계와, c) 증착된 재료를 역 스퍼터링하면서, 상기 피복물이 불연속적이 되도록 피복되는 것을 방지하도록 기판의 온도를 층분히 낮게 유지하는 단계와, d) 상기 재료가 1두께로 상기 기판 표면상에 증착된 후, 상기 기판 표면상에 상기 재료를 제2두께로 증착하는 단계와, 그리고, e) 상기 기판 표면상에 상기 재료를 제2두께로 증착하는 동안, 증착하고자하는 상기 재료의 재흐름을 개선시키도록 상기 기판위에 위치된 열원으로부터 표면을 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 상기 기판 표면내에 형성된 콘택 홀을 구비한 기판상에 재료를 평면화된 층으로 형성하기 위한 장치에 있어서, a) 증착 챔버와, b) 상기 재료성분으로 제조된 스퍼터 타겟과, c) 상기 기판을 고정하는 플랫포음과, d) 상기 타겟과 상기 플랫포은 사에의 조준 필터와, e) 상기 스처터 타겟에 접속된 제1동력 공급부와, f) 상기 플랫포음에 접속된 제2공급부돠, 그리고, g)i) 상기 기판 표면상에 상기 재료를 제1두께로 밀집하여 증착하는 단계와, ii) 상기 접촉벽의 측벽을 증착된 재료로 피복하도록 증착된 재료를 재 스퍼터링하는 단계와, iii) 상기 재료가 상기 기판 표면상에 제1두께로 증착된 후, 상기 기판 표면상에 상기 재료를 제2두께로 증착하는 단계와, 그리고 iv) 상기 재료를 상기 기판상에 제2두께 증착하는 동안, 증착하고자하는 재료의 재흐름을 개선시키도록 기판을 가열하는 단계를 수행하도록 프로그램된 제어 모듈을 포함하는 장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 제어 모듈이 밀집하여 증착하고 그리고 병렬적으로 역 스퍼터링 단계를 수행하도록 프로그램된 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950049570A 1994-12-14 1995-12-14 재 도입형 콘택 홀을 피복시키거나 또는 충진시키기 위한 방법 및 장치 KR960026261A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US35692894A 1994-12-14 1994-12-14
US08/356,928 1994-12-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR960026261A true KR960026261A (ko) 1996-07-22

Family

ID=23403545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950049570A KR960026261A (ko) 1994-12-14 1995-12-14 재 도입형 콘택 홀을 피복시키거나 또는 충진시키기 위한 방법 및 장치

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5780357A (ko)
EP (1) EP0735577A3 (ko)
JP (1) JPH08264487A (ko)
KR (1) KR960026261A (ko)

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5985103A (en) * 1995-12-19 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Method for improved bottom and side wall coverage of high aspect ratio features
KR19990028451A (ko) * 1996-04-26 1999-04-15 바리 켄네쓰 티. 고종횡비의등각라이너박막및플러그들의개선된증착을위한장치및방법
US5783282A (en) 1996-10-07 1998-07-21 Micron Technology, Inc. Resputtering to achieve better step coverage of contact holes
TW358964B (en) * 1996-11-21 1999-05-21 Applied Materials Inc Method and apparatus for improving sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma
TW366525B (en) * 1996-12-16 1999-08-11 Applied Materials Inc Selective physical vapor deposition conductor fill in IC structures
US6083363A (en) * 1997-07-02 2000-07-04 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for uniform, low-damage anisotropic plasma processing
US6176983B1 (en) * 1997-09-03 2001-01-23 Vlsi Technology, Inc. Methods of forming a semiconductor device
US6136165A (en) * 1997-11-26 2000-10-24 Cvc Products, Inc. Apparatus for inductively-coupled-plasma-enhanced ionized physical-vapor deposition
US7253109B2 (en) * 1997-11-26 2007-08-07 Applied Materials, Inc. Method of depositing a tantalum nitride/tantalum diffusion barrier layer system
EP1034566A1 (en) * 1997-11-26 2000-09-13 Applied Materials, Inc. Damage-free sculptured coating deposition
US20050272254A1 (en) * 1997-11-26 2005-12-08 Applied Materials, Inc. Method of depositing low resistivity barrier layers for copper interconnects
US6169030B1 (en) * 1998-01-14 2001-01-02 Applied Materials, Inc. Metallization process and method
US6287977B1 (en) 1998-07-31 2001-09-11 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming improved metal interconnects
JP2000054123A (ja) * 1998-08-07 2000-02-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法および製造装置
US6132575A (en) * 1998-09-28 2000-10-17 Alcatel Magnetron reactor for providing a high density, inductively coupled plasma source for sputtering metal and dielectric films
US6217272B1 (en) 1998-10-01 2001-04-17 Applied Science And Technology, Inc. In-line sputter deposition system
US6328858B1 (en) 1998-10-01 2001-12-11 Nexx Systems Packaging, Llc Multi-layer sputter deposition apparatus
IL142677A0 (en) * 1998-11-02 2002-03-10 Code 3 Inc Vehicular warning light having a dichroic element
US6193855B1 (en) 1999-10-19 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Use of modulated inductive power and bias power to reduce overhang and improve bottom coverage
US6350353B2 (en) 1999-11-24 2002-02-26 Applied Materials, Inc. Alternate steps of IMP and sputtering process to improve sidewall coverage
US6344419B1 (en) 1999-12-03 2002-02-05 Applied Materials, Inc. Pulsed-mode RF bias for sidewall coverage improvement
US6554979B2 (en) 2000-06-05 2003-04-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for bias deposition in a modulating electric field
US6530733B2 (en) 2000-07-27 2003-03-11 Nexx Systems Packaging, Llc Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine
US6682288B2 (en) 2000-07-27 2004-01-27 Nexx Systems Packaging, Llc Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine
US6821912B2 (en) 2000-07-27 2004-11-23 Nexx Systems Packaging, Llc Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine
US6652718B1 (en) 2001-01-30 2003-11-25 Novellus Systems, Inc. Use of RF biased ESC to influence the film properties of Ti and TiN
US6429524B1 (en) 2001-05-11 2002-08-06 International Business Machines Corporation Ultra-thin tantalum nitride copper interconnect barrier
US6746591B2 (en) 2001-10-16 2004-06-08 Applied Materials Inc. ECP gap fill by modulating the voltate on the seed layer to increase copper concentration inside feature
US20030216035A1 (en) * 2002-05-14 2003-11-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for sputter deposition
JP4458740B2 (ja) * 2002-09-13 2010-04-28 株式会社アルバック バイアススパッタ成膜方法及びバイアススパッタ成膜装置
KR100461002B1 (ko) * 2002-10-17 2004-12-09 삼성전자주식회사 언더컷 메탈 배선방법
JP2004311545A (ja) * 2003-04-03 2004-11-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法及び高融点金属膜の堆積装置
DE102004015862B4 (de) * 2004-03-31 2006-11-16 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren zur Herstellung einer leitenden Barrierenschicht in kritischen Öffnungen mittels eines abschließenden Abscheideschritts nach einer Rück-Sputter-Abscheidung
US20050230262A1 (en) * 2004-04-20 2005-10-20 Semitool, Inc. Electrochemical methods for the formation of protective features on metallized features
US20050266173A1 (en) * 2004-05-26 2005-12-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus of distributed plasma processing system for conformal ion stimulated nanoscale deposition process
JP4923450B2 (ja) * 2005-07-01 2012-04-25 富士ゼロックス株式会社 バッチ処理支援装置および方法、プログラム
US20070084720A1 (en) * 2005-07-13 2007-04-19 Akihiro Hosokawa Magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes
US20070012663A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Akihiro Hosokawa Magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes
US20070012559A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Applied Materials, Inc. Method of improving magnetron sputtering of large-area substrates using a removable anode
US20070012558A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Applied Materials, Inc. Magnetron sputtering system for large-area substrates
US7378002B2 (en) * 2005-08-23 2008-05-27 Applied Materials, Inc. Aluminum sputtering while biasing wafer
US20070051616A1 (en) * 2005-09-07 2007-03-08 Le Hienminh H Multizone magnetron assembly
US7588668B2 (en) 2005-09-13 2009-09-15 Applied Materials, Inc. Thermally conductive dielectric bonding of sputtering targets using diamond powder filler or thermally conductive ceramic fillers
US20070056843A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Applied Materials, Inc. Method of processing a substrate using a large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones
US20070056850A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Applied Materials, Inc. Large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones
DE102005046976B4 (de) 2005-09-30 2011-12-08 Advanced Micro Devices, Inc. Verfahren zur Herstellung einer Wolframverbindungsstruktur mit verbesserter Seitenwandbedeckung der Barrierenschicht
US20070158179A1 (en) * 2006-01-11 2007-07-12 Anthony Ciancio Method and apparatus for improving symmetry of a layer deposited on a semiconductor substrate
JP4967354B2 (ja) * 2006-01-31 2012-07-04 東京エレクトロン株式会社 シード膜の成膜方法、プラズマ成膜装置及び記憶媒体
KR101074186B1 (ko) * 2006-04-07 2011-10-14 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 에피택셜 필름 형성을 위한 클러스터 툴
JP5392215B2 (ja) * 2010-09-28 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US20120149176A1 (en) * 2010-12-10 2012-06-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for forming a iii-v family layer
JP5965628B2 (ja) * 2011-12-07 2016-08-10 株式会社アルバック Ｃｕ層形成方法及び半導体装置の製造方法
DE102012020563A1 (de) * 2012-10-12 2014-04-17 Sram Deutschland Gmbh Befestigungseinrichtung

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0544648B1 (en) * 1985-05-13 1997-04-09 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Method for forming a planarized Al thin film
JPS6376321A (ja) * 1986-09-18 1988-04-06 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPS63216972A (ja) * 1987-03-06 1988-09-09 Furendotetsuku Kenkyusho:Kk アルミ薄膜のリフロ−方法
JP2602276B2 (ja) * 1987-06-30 1997-04-23 株式会社日立製作所 スパツタリング方法とその装置
US4963239A (en) * 1988-01-29 1990-10-16 Hitachi, Ltd. Sputtering process and an apparatus for carrying out the same
US4874493A (en) * 1988-03-28 1989-10-17 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of deposition of metal into cavities on a substrate
US4994162A (en) * 1989-09-29 1991-02-19 Materials Research Corporation Planarization method
US5108570A (en) * 1990-03-30 1992-04-28 Applied Materials, Inc. Multistep sputtering process for forming aluminum layer over stepped semiconductor wafer
US5174412A (en) * 1991-12-12 1992-12-29 Vega Henry M Ladder leveler
JPH06302543A (ja) * 1993-04-09 1994-10-28 Nippon Steel Corp 半導体装置の製造方法
US5431799A (en) * 1993-10-29 1995-07-11 Applied Materials, Inc. Collimation hardware with RF bias rings to enhance sputter and/or substrate cavity ion generation efficiency
US5639357A (en) * 1994-05-12 1997-06-17 Applied Materials Synchronous modulation bias sputter method and apparatus for complete planarization of metal films

Also Published As

Publication number Publication date
EP0735577A2 (en) 1996-10-02
EP0735577A3 (en) 1997-04-02
US6033541A (en) 2000-03-07
JPH08264487A (ja) 1996-10-11
US5780357A (en) 1998-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960026261A (ko) 재 도입형 콘택 홀을 피복시키거나 또는 충진시키기 위한 방법 및 장치
US5171412A (en) Material deposition method for integrated circuit manufacturing
US5405517A (en) Magnetron sputtering method and apparatus for compound thin films
JPH02247372A (ja) 薄膜成膜方法
AU2003226086A1 (en) Methods and apparatus for deposition of thin films
JP2006131993A (ja) 蒸着方法及びそのための蒸着装置
CA1056658A (en) Method of vapor deposition
JP4177021B2 (ja) 蒸着装置の制御方法及び蒸着装置
JP3639453B2 (ja) 化合物半導体薄膜の製造装置およびこれを用いた化合物半導体薄膜の製造方法
KR100581852B1 (ko) 박막 증착장치 및 이를 이용한 박막 증착방법
JP3735287B2 (ja) 真空蒸着装置及び真空蒸着方法
DE60207437D1 (de) Verbessertes verfahren zum beschichten eines trägers mit einem material
JPS63307271A (ja) スパッタ装置
CN107369614A (zh) 金属膜镀制方法、薄膜晶体管和阵列基板的制作方法
JP2669602B2 (ja) 半導体素子製造用スパッターリング装置
KR100295617B1 (ko) 고진공마그네트론스퍼터링방법
KR101591025B1 (ko) 구리 피막의 제조방법
KR200198444Y1 (ko) 반도체의물리기상증착장치
JPS6017070A (ja) 薄膜形成方法及びその装置
JPH0227790A (ja) 配線基板の製造方法およびその装置
SU1708919A1 (ru) Способ вакуумного нанесени тонких пленок
JP4387470B2 (ja) 薄膜形成方法
RU97109128A (ru) Способ нанесения покрытия на основе нитрида кремния на стеклянную, в том числе кварцевую, поверхность
JPS6115969A (ja) 薄膜蒸着装置
JPS6313161B2 (ko)

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application