KR960019505A - 플라즈마에 의한 SOG(Spin-On Glass) 경화(Curing) 방법 - Google Patents

플라즈마에 의한 SOG(Spin-On Glass) 경화(Curing) 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 초고집적회로(ULSI)의 제조공정에서 금속층간 절연막(IMD : inter metal dielectric)의 SOG(spin-on glass)를 사용하는 반도체 장치의 제조방법에 관한 것으로, 특히 플라즈마 방법을 이용하여 양질의 SOG 박막을 형성시킬 수 있는 경화(curing) 방법에 관한 것이다.
본 발명은 절연막으로 SOG(Spin-On Glass)를 사용하는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, SOG의 경화처리(curing)를 플라즈마 방법, 또는 기존의 열처리 방법과 병하여 수행함으로써, SOG막 내에 잔류하는 Si-OH 결합 및 휘발성 유기물과 H2O를 제거한다.

Description

플라즈마에 의한 SOG(Spin-On Glass) 경화(Curing) 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 SOG의 경화 처리과정을 나타낸 단면도이다.

Claims (4)

  1. 절연막으로 SOG(Spin-On Glass)를 사용하는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 상기 SOG의 경화처리(curing)를 플라즈마 방법으로 수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마에 의한 SOG의 경화방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 공정이 외부에서 인가하는 전장에 의해 플라즈마가 형성되며, 고주파(RF)가 13.56㎒인 평행판 플라즈마 반응로(parallel plate plasma reactor)에서 이루어짐을 특징으로 하는 플라즈마에 의한 SOG의 경화방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 플라즈마 공정시 사용되는 가스가 아르곤(Ar), 수소(H2) 및 헬륨(He)중의 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마에 의한 SOG 경화방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 플라즈마 공정조건으로서, 플라즈마를 형성하는데 필요한 고주파 파워밀도(RF power density)가 0.2~2.0W/㎠이고, 가스의 매스 유량(mass flow rate)의 범위가 100~1000sccm이며, 챔버내의 압력은 50~1000mTorr이며, 플라즈마 처리시의 적정온도 범위가 200~450℃인 것을 특징으로 하는 플라즈마에 의한 SOG 경화방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940028804A 1994-11-03 1994-11-03 플라즈마에 의한 SOG(Spin-On Glass) 경화(Curing) 방법 KR0138853B1 (ko)

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