KR960019505A - 플라즈마에 의한 SOG(Spin-On Glass) 경화(Curing) 방법 - Google Patents

플라즈마에 의한 SOG(Spin-On Glass) 경화(Curing) 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960019505A
KR960019505A KR1019940028804A KR19940028804A KR960019505A KR 960019505 A KR960019505 A KR 960019505A KR 1019940028804 A KR1019940028804 A KR 1019940028804A KR 19940028804 A KR19940028804 A KR 19940028804A KR 960019505 A KR960019505 A KR 960019505A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma
sog
spin
glass
curing
Prior art date
Application number
KR1019940028804A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0138853B1 (ko
Inventor
박민
이중환
구진근
유형준
Original Assignee
양승택
재단법인 한국전자통신연구소
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 양승택, 재단법인 한국전자통신연구소 filed Critical 양승택
Priority to KR1019940028804A priority Critical patent/KR0138853B1/ko
Priority to JP7287009A priority patent/JP3061558B2/ja
Publication of KR960019505A publication Critical patent/KR960019505A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0138853B1 publication Critical patent/KR0138853B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76822—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc.
    • H01L21/76826—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc. by contacting the layer with gases, liquids or plasmas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76822—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc.
    • H01L21/76828—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc. thermal treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 초고집적회로(ULSI)의 제조공정에서 금속층간 절연막(IMD : inter metal dielectric)의 SOG(spin-on glass)를 사용하는 반도체 장치의 제조방법에 관한 것으로, 특히 플라즈마 방법을 이용하여 양질의 SOG 박막을 형성시킬 수 있는 경화(curing) 방법에 관한 것이다.
본 발명은 절연막으로 SOG(Spin-On Glass)를 사용하는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, SOG의 경화처리(curing)를 플라즈마 방법, 또는 기존의 열처리 방법과 병하여 수행함으로써, SOG막 내에 잔류하는 Si-OH 결합 및 휘발성 유기물과 H2O를 제거한다.

Description

플라즈마에 의한 SOG(Spin-On Glass) 경화(Curing) 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 SOG의 경화 처리과정을 나타낸 단면도이다.

Claims (4)

  1. 절연막으로 SOG(Spin-On Glass)를 사용하는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 상기 SOG의 경화처리(curing)를 플라즈마 방법으로 수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마에 의한 SOG의 경화방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 공정이 외부에서 인가하는 전장에 의해 플라즈마가 형성되며, 고주파(RF)가 13.56㎒인 평행판 플라즈마 반응로(parallel plate plasma reactor)에서 이루어짐을 특징으로 하는 플라즈마에 의한 SOG의 경화방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 플라즈마 공정시 사용되는 가스가 아르곤(Ar), 수소(H2) 및 헬륨(He)중의 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마에 의한 SOG 경화방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 플라즈마 공정조건으로서, 플라즈마를 형성하는데 필요한 고주파 파워밀도(RF power density)가 0.2~2.0W/㎠이고, 가스의 매스 유량(mass flow rate)의 범위가 100~1000sccm이며, 챔버내의 압력은 50~1000mTorr이며, 플라즈마 처리시의 적정온도 범위가 200~450℃인 것을 특징으로 하는 플라즈마에 의한 SOG 경화방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940028804A 1994-11-03 1994-11-03 플라즈마에 의한 SOG(Spin-On Glass) 경화(Curing) 방법 KR0138853B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940028804A KR0138853B1 (ko) 1994-11-03 1994-11-03 플라즈마에 의한 SOG(Spin-On Glass) 경화(Curing) 방법
JP7287009A JP3061558B2 (ja) 1994-11-03 1995-11-06 半導体装置の絶縁層の形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940028804A KR0138853B1 (ko) 1994-11-03 1994-11-03 플라즈마에 의한 SOG(Spin-On Glass) 경화(Curing) 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960019505A true KR960019505A (ko) 1996-06-17
KR0138853B1 KR0138853B1 (ko) 1998-06-01

Family

ID=19397052

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940028804A KR0138853B1 (ko) 1994-11-03 1994-11-03 플라즈마에 의한 SOG(Spin-On Glass) 경화(Curing) 방법

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP3061558B2 (ko)
KR (1) KR0138853B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990004889A (ko) * 1997-06-30 1999-01-25 김영환 반도체 장치의 층간절연막 형성 방법
KR100378196B1 (ko) * 2000-11-09 2003-03-29 삼성전자주식회사 대기압 다운스트림 플라즈마 젯 시스템을 이용하여 잔류금속 함유 폴리머 물질 및 이온 주입 공정이 수행된포토레지스트를 제거하는 방법.
KR20030090191A (ko) * 2002-05-21 2003-11-28 삼성전자주식회사 반도체 장치에서 산화 실리콘막 형성 방법

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3226021B2 (ja) * 1997-09-02 2001-11-05 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
KR100440265B1 (ko) * 1997-12-30 2004-09-18 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 스핀 온 글래스막 형성 방법
KR100492906B1 (ko) * 2000-10-04 2005-06-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 층간절연막 형성 방법
US7569497B2 (en) 2002-07-30 2009-08-04 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for forming insulating layer
JP4580235B2 (ja) * 2002-07-30 2010-11-10 東京エレクトロン株式会社 絶縁膜の形成方法
KR102201698B1 (ko) * 2013-06-20 2021-01-12 주성엔지니어링(주) 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법
JP7300442B2 (ja) 2018-03-01 2023-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990004889A (ko) * 1997-06-30 1999-01-25 김영환 반도체 장치의 층간절연막 형성 방법
KR100378196B1 (ko) * 2000-11-09 2003-03-29 삼성전자주식회사 대기압 다운스트림 플라즈마 젯 시스템을 이용하여 잔류금속 함유 폴리머 물질 및 이온 주입 공정이 수행된포토레지스트를 제거하는 방법.
KR20030090191A (ko) * 2002-05-21 2003-11-28 삼성전자주식회사 반도체 장치에서 산화 실리콘막 형성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP3061558B2 (ja) 2000-07-10
JPH08236520A (ja) 1996-09-13
KR0138853B1 (ko) 1998-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101139175B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 반도체 장치, 반도체 제조 장치 및 기억 매체
Kogelschatz et al. High-intensity sources of incoherent UV and VUV excimer radiation for low-temperature materials processing
KR100956467B1 (ko) 플라즈마 처리 방법
KR920008852A (ko) 박막의 형성방법 및 반도체장치
US6124216A (en) Method of making intermetal dielectric layers having a low dielectric constant
EP1361606A4 (en) METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE MATERIAL
KR960019505A (ko) 플라즈마에 의한 SOG(Spin-On Glass) 경화(Curing) 방법
KR100374885B1 (ko) 절연막의 제조 방법
EP0170848A2 (en) Thermal annealing of integrated circuits
KR100391485B1 (ko) 강유전체막을사용한장치의제조방법및장치
KR100382387B1 (ko) 플라즈마 처리 방법
US3419761A (en) Method for depositing silicon nitride insulating films and electric devices incorporating such films
TW454266B (en) Method for producing silicon a series of nitride film
KR20010031586A (ko) 플라즈마 처리 방법
JP2758847B2 (ja) スピンオングラス膜の形成方法
CA2199347A1 (en) Amorphous carbon film, formation process therof, and semiconductor device making use of the film
JPH0729898A (ja) 半導体製造方法
KR20040004836A (ko) 누설 전류를 감소시킬 수 있는 게이트 절연막 형성방법
JPH05275394A (ja) 半導体装置を製造する方法およびそれによって製造された半導体装置
JP3488383B2 (ja) ドライエッチング用石英ガラス部材およびそれを装着したドライエッチング装置
KR970052822A (ko) 반도체소자의 층간절연막 형성방법
WO2016129438A1 (ja) 膜形成方法および薄膜トランジスタの作製方法
KR100228399B1 (ko) 반도체 장치의 배선층간절연막 형성 방법
GB2301224A (en) Method of forming a SOG film in a semiconductor device
JPS5913335A (ja) 窒化膜形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100201

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee