KR960015049A - 티에프티의 액티브 레이어 및 제조방법 - Google Patents
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Abstract
이 발명은 티에프티 기판 제작에서의 아멀퍼스 실리콘 투스텝 성막 및 제조방법에 관한 것으로 아몰포스 실리콘 레이어를 전기적 특성 우수 레이어와 물리, 기계적 특성 우수 레이어로 구분하여 증착함으로써 텍트(Tact) 타임을 반감하고, 또 상대적으로 점착력 강화 및 하이 디포지션 레이트(High deposition Rate)를 실현하여 처리속도를 증가할 수 있는 티에프티 기판 제작에서의 아멀퍼스 실리콘 투스텝 성막 및 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 이 발명의 실시예에 따른 티에프티 기판 제작에서의 아몰퍼스 실리콘 투스텝 성막의 단면도이다,
제4도는 이 발명의 실시예에 따른 티에프티 기판 제작에서의 아몰퍼스 실리콘 투스텝 성막의 플라즈마 화학기상성장 설비 구성예를 도시한 블록도이다,
제5도는 이 발명의 다른 실시예에 따른 탑 게이트형 티에프티 소자에서 본 발명을 구성한 단면도이다.
Claims (9)
- 게이트 절연막과 연속하여 로우 디포지션 레이트로 성막된 파인 아몰포스 실리콘 레이어와; 상기 파인 아몰포스 실리콘 레이어 보다 높은 디포지션 레이트로 성막된 코스 아몰포스 실리콘 레이어를 포함하여 구성되어짐을 특징으로 하는 티에프티의 액티브 레이어.
- 제1항에 있어서, 상기한 파인 아몰포스 실리콘 레이어의 포트 앤드 다크 컨덕션 센서티비티가 106이고, 상기한 코스 아몰포스 실리콘 레이어의 포토 앤드 다크 컨덕션 센서티비티가 104∼105인 것을 특징으로 하는 티에프티의 액티브 레이어.
- 제1항에 있어서, 상가한 로우 디포지션 레이트로 성막된 아몰포스 실리콘 레이어의 두께가 500Å인 것을 특징으로 하는 티에프티의 액티브 레이어.
- 제1항에 있어서, 상기한 하이 디포지션 레이트로 성막된 아몰포스 실리콘 레이어의 두께가 1000∼1500Å인 것을 특징으로 하는 티에프티 티에프티의 액티브 레이어.
- 제1항에 있어서, 상기한 아몰포스 실리콘 레이어는 화학기상 성장법에 의해서 성막되는 것을 특징으로 하는 티에프티의 액티브 레이어.
- 제3항에 있어서, 상기한 로우 디포지션 레이트는 70∼500Å/min인 것을 특징으로 하는 티에프티의 액티브 레이어.
- 제4항에 있어서. 상기한 하이 디포지션 레이트는 500∼1000Å/min인 것을 특징으로 하는 티에프티의 액티브 레이어.
- 로우 디포지션 레이트로 성막된 아몰포스 실리콘 레이어인 파인 아몰포스 실리콘 레이어를 게이트 질화막 계면에 얇게 증착하는 단계와; 상기 파인 아몰포스 실리콘 레이어의 위에 상기 파인 아몰포스 실리콘 레이어 보다 높은 디포지션 레이트로 성막된 아몰포스 실리콘 레이어인 코스 아몰포스 실리콘 레이어를 증착하는 단계로 구성되어짐을 특징으로 하는 티에프티의 액티브 레이어 제조방법.
- 기판상에 소오스 드레인 전극 및 옴익 컨택트 층을 두고, 하이 디포지션 레이트로 성막된 아몰포스 실리콘 층과 로우 디포지션 레이트로 성막된 아몰포스 실리콘 층을 두고, 그 위에 게이트 절연막과 게이트 전극을 형성한 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탑 게이트형 티에프티의 액티브 레이어.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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