KR960013675B1 - 변형센서 및 그 제조방법과 그 변형센서를 사용한 로드셀 저울 - Google Patents

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내용 없음.

Description

변형센서 및 그 제조방법과 그 변형센서를 사용한 로드셀 저울

제1도는 본 발명의 일실시예를 표시한 변형센서의 사시도.

제2도는 본 발명 실시예의 변형센서의 측면도.

제3도는 본 발명 실시예에 있어서의 스트레인 게이지 회로 패턴을 형성하는 기판재 표시도.

제4a∼4d도는 본 발명 실시예에 있어서의 스트레인 게이지 회로 패턴의 형성 프로세스 설명도.

제5도는 본 발명 실시예에 있어서의 금속탄성체 기판 표시도.

제6도는 본 발명 실시예에 있어서의 스트레인 게이지 회로 패턴 등가 회로 표시도.

제7도는 본 발명 실시예에 있어서의 빔체에 대한 금속탄성체 기판의 설치 상태를 표시한 부분확대도.

제8a∼8c도는 본 발명 실시예에 있어서의 변형예를 표시한 변형센서의 측면도.

제9도는 본 발명의 다른 실시예를 표시한 변형센서의 분해사시도.

제10도는 본 발명의 다른 실시예에 있어서의 스트레인 게이지 회로 패턴의 등가회로 표시도.

제11도는 본 발명의 다른 실시예에 있어서의 저울부의 블록도.

제12도는 본 발명의 다른 실시예에 있어서의 하중예를 표시한 측면도.

제13a∼l3c도는 상기 하중에 대한 계기오차 커브특성 표시 그래프.

제14도는 본 발명의 다른 실시예에 있어서의 다른 하중예를 표시한 측면도.

제15a∼l5c도는 본 발명의 다른 실시예에 있어서의 다른 하중예의 하중에 대한 계기오차 커브특성 표시 그래프.

제16도는 본 밭명의 다른 실시예에 있어서의 변형예를 표시한 스트레인 게이지 회로 패턴의 등가 회로도.

제17도는 본 발명의 다른 실시예에 있어서의 변형예의 저울부의 블록도.

제18도는 본 발명의 다른 실시예를 표시한 변형센서의 사시도.

제19도는 본 발명의 다른 실시예의 변형센서의 측면도.

제20도는 발명의 다른 실시예에 있어서의 변형예를 표시한 변형센서의 사시도.

제21도는 본 발명의 다른 실시예에 있어서의 변형예의 변형센서의 측면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 스트레인 게이지 회로 패턴 2,2a,2b : 기판

3 : 빔체 21 : 기판재

35 : 저주파통과 필터 36 . 애널로그/디지털 변환기

40, 41 : 증폭회로 42 : 가산기

본 발명은 스트레인 게이지 회로를 사용한 변형센서 및 그 제조방법과 그 변형센서를 사용한 로드셀 저울에 관한 것이다.

종래의 스트레인 게이지 회로를 사용한 변형센서는 빔체에 스트레인 게이지를 접착한 후, 리드 배선을 실시하여 스트레인 게이지 회로를 형성한 것이 공지된 바 있다. 그러나, 이 변헝센서는 빔체마다에 스트레인 게이지를 접착하고, 리드 배선을 실시하게 되어서 제조가 번거롭고, 또 품질에 안정성이 없고, 양산화 하기에 곤란이 있었다.

이러한 문제점을 해결하기 위하여 예를들면 특개소 57-93220호 특허공보에서 볼수 있는 바와같이 빔채 표면에 박막 프로세스에 의하여 직접 스트레인 게이지 회로를 패턴으로서 형성하는 것이 공지되고 있다(이 변형센서는 스트레인 게이지 회로가 패턴화 되어서 형성되기 때문에 상술한 센서에 비교하여 양산화가 가능하게 되어 있다).

그러나 빔체 표면에 박막 프로세스에 의하여 스트레인 게이지 회로 패턴을 형성하는 변형센서는, 각 빔체 마다에 패턴형성을 하기 때문에 집적회로 형성 프로세스와 같이 충분한 양산화를 도모할 수가 없었다. 또 성막장치에 1회에 투입할 수 있는 빔체의 수량이 제한되기 때문에 1회에 합쳐서 제조할 수 있는 변형센서의 수는 적고, 이점에 있어서도 충분한 양산화를 도모할 수가 없었다.

이와같이 종래 기술로서는 변형센서를 간단하게 양산화 하기가 어렵기 때문에 대폭적인 코스트 인하와 품질의 안정을 도모할 수가 없었다.

그리하여 본 발명은 간단히 양산화를 도모할 수 있고, 따라서 대표적인 코스트 인하 및 품질의 안정을 도모할 수 있는 변형센서 및 그 제조방법과 그 변형센서를 사용한 로드셀 저울을 제공하고자 하는 것이다.

본 발명은 스트레인 게이지 회로 패턴이 형성된 금속 또는 세라믹의 탄성체 기판을 그 기판과 동일의 열팽창 계수를 가진 빔체의 변형부 위치에 스트레인 게이지 회로 패턴의 스트레인 게이지부가 위치하도록 접착 또는 접합한 변형센서인 것이다.

또, 본 발명은 빔체에 있어서의 탄성체 기판의 접착면 또는 접합면에 그 탄성체 기판의 일단을 위치 결정하는 단차부를 형성하여서 된 것이다.

또한, 본 발명은 금속 또는 세라믹의 탄성체 기판상에 다수개의 스트레인 게이지 회로 패턴을 형성한 후, 개개의 스트레인 게이지 회로 패턴을 기판과 함께 절단 분리하고 빔체의 변형부 위치에 스트레인 게이지 회로 패턴의 스트레인 게이지부가 위치하도록 절단분리한 기판을 접착 또는 접합하여 변형센서를 제조하는 방법이다.

더욱이, 본 발명은 스트레인 게이지 회로 패턴이 형성된 1쌍의 금속 또는 세라믹의 탄성체 기판을 그 기판과 동일한 열팽창계수를 가진 로버벌기구로 된 빔체의 각 변형부 위치에 각각 스트레인 게이지 회로 패턴의 스트레인 게이지부가 위치하도록 접착 또는 접합하여 변형센서를 형성하고, 그 변형센서의 각 스트레인 게이지 회로 패턴의 회로 출력을 증폭회로로 각각 증폭한 후 가산기로 가산하고 그 가산기 출력을 A/D 컨버터로 디지탈 변환하여 중량치를 얻는 로드셀 저울이다.

이렇게 구성된 본 발명에 있어서는 금속 또는 세라믹의 탄성체 기판에 미리 스트레인 게이지 회로 패턴을 형성한 후, 그 기판과 동일한 열팽창계수를 가진 빔체의 변형부 위치에 스트레인 게이지 회로 패턴의 스트레인 게이지부가 위치하도록 접착 또는 접합하여 변형센서를 제조하므로서, 기판에 대하여 미리 다수의 스트레인 게이지 회로 패턴을 헝성하는 것이 가능하게 되고, 스트레인 게이지 회로 패턴의 형성이 1회에 대량으로 생산된다. 그리고 개개의 스트레인 게이지 회로 패턴을 기판과 함께 절단 분리하여 빔체의 변형부 위치에 접착하면 되기 때문에 충분한 양산화를 도모할 수가 있다.

또, 빔체에 탄성체 기판을 접착 또는 접합할때 단자부에 의하여 탄성체 기판의 위치결정이 된다.

이하, 본 발명의 일실시예를 첨부도면을 참조하여 설명한다.

제1도 및 제2도에 도시한 바와같이 표면에 스트레인 게이지 회로 패턴(1)이 형성된 금속탄성체 기판(2)을, 그 기판(2)과 동일한 열평창계수륵 가진 로버벌기구를 가진 빔체(3)의 변형부 위치에 스트레인 게이지회로에 스트레인 게이지가 위치하도록 접착제를 사용하여 접착 고정하고 있다.

접착제로서 예를들면 에폭시 수지에 수 μ 정도의 세라믹의 미세한 분말을 흔합한 것을 사용하면, 금속탄성체 기판(2) 및 빔체(3)와 함께 접착제의 열팽창도 동일하게 할 수 있다.

상기 빔채(3)는 중앙측면에 2개의 구멍(4)(5)을 연통홈(6)을 통하여 연통하고, 변형부위를 형성하는 얇은 변형부(7)(8)(9)(10)를 형성하고 있다. 그리고 상기 빔체(3)에 있어서의 일단의 고정부(11)에는 나사(12)에 의하여 베이스(13)에 설치되는 설치구멍(14)이 형성되고, 타단의 수압부(15)에는 접시(16)가 설치되는 설치구멍(17)이 형성되어 있다.

상기 금속탄성체 기판(2)에 대한 스트레인 게이지 회로 패턴(1)의 형성은 다음과 같이 실시된다.

제3도에 도시한 바와같이 1매의 비교적 큰 기판재(21)를 준비한다. 이 기판재로서는 예를들면 듀랄루민, Be-Cu(베릴륨·가빠), 스테인레스재 등의 금속탄성채 기판재를 사용한다. 즉 빔체(3)에 하중을 가했을때에 생기는 변형량을 스트레인 게이지에 의하여 검출하지만, 그 출력전압은 변형량에 비례한다. 따라서 변형량을 될 수 있는한 크게 잡을 수 있는 재료를 선택하면 출력전압을 크게 잡을 수 있다. 그리고, 이 조건에 맞는 재료로서 상기 재료가 적합하다.

또 기판재로서 듀랄루민, Be-Cu(베릴륨·가빠), 스테인레스재 등의 금속탄성체 기판재를 사용할 때에는 빔체(3)로서도 듀랄루민, Be-Cu(베릴륨·가빠), 스테인레스재 등을 사용한다.

기판재(21)를 사용하는 금속탄성체 기판(2)의 사이즈에 블록화하고, 그 각 볼록에 대하여 박막 성형 공정에 의하여 스트레인 게이지 회로 패턴(1)을 각각 형성한다.

이것은 제4A도에 도시한 바와같이 기판재(21)의 표면을 연마 가공하여 세정한 후, 절연수지층(22)을 형성한다. 이 절연 수지층(22)은 예를들면 폴리미이드 와니스를 도포하고 가열경화하여 형성한다.

다음에 스패터링에 의하여 스트레인 게이지 저항(23)을 형성한다. 이 저항중(23)은 예를들면 Ni·Cr·Si로 구성된다. 그리고 그 스트레인 게이지 저항층(23)상에 온도보상저항층(24)을 형성한다. 이 저항층(23)은 예를들면 Ti으로 구성된다. 더욱이 그 온도보상저항층(24)상에 리이드 배선층(25)을 형성한다. 이 배선층(25)은 예를들면 Cu로 구성된다.

이들 각 박막층(22∼25)은 연속적으로 동일 진공조로 형성된다. 이들의 각 막두께는 패턴의 형상이나 변형센서의 신호를 검출하는 회로조건에 따라 다르지만 일예를 기술하면 플리미이드층이 4μm, Ni·Cr·Si층이 1,000옹스트롬, Ti층이 5,000옹스트롬, Cu층이 2μm 정도가 된다.

이 상태로 계속하여 선택 에칭수법을 사용한 포토 에칭 프로세스로서 스트레인 게이지 회로 패턴(1)을 형성한다. 더욱이 에칭을 하기 이전에는 포트 레지스트를 도포 형성후, 소정패턴을 가진 노광 마스크를 사용하여 패턴인화하여 현상하고 레지스트 패턴을 형성하게 된다.

그리고, 제4b도에 도시한 바와같이 회로 패턴부 이외의 층을 상층으로부터 순차 각각의 부식제로 에칭하여 회로 패턴부만을 남긴다.

다음에 동일한 프로세스로 스트레인 게이지부, 스팬온도 보상저항부에 적층되어 있는 Cu층을 에칭하여 제4c도에 도시한 바와같이 4개의 스트레인 게이지 패턴(1a), 스팬온도 보상저항 패턴(1b)을 노출시킨다. 이것에 의하여 스팬온도 보상저항 패턴(1b)은 완성된다. 계속하여 동일한 프로세스로 스트레인 게이지 패턴(1a)의 상층에 적층되어 있는 Ti층을 에칭하므로서 Ni·Cr·Si층을 노출시켜 제4D도에 도시한 바와같이 스트레인 게이지 패턴(1a)을 완성시킨다.

이렇게 하여 기판재(21)의 각 블록상에 리드 전극 Ve1, Ve2, Vo1, Vo2, 스트레인 게이지 패턴(1a) 스핀온도 보상저항 패턴(1b). 리드배선 패턴(1c)으로 된 스트레인 게이지 회로 패턴(1)이 형성된다.

더욱이, 이후에 스트레인 게이지 회로 패턴(1)상에 보호층을 형성하거나 검사등을 실행한다.

이렇게 하여 스트레인 게이지 회로 패턴(1)이 형성된 기판재(21)에서 각 블록을 절단 분리하므로서 제5도에 도시한 바와같은 금속탄성체 기판(2)이 얻어지는 것이다. 그리하여 그 기판(2)의 스트레인 게이지 회로 패턴(1)의 등가회로는 제6도에 도시한 바와같이 된다.

더욱이, 4개의 스트레인 게이지 패턴(1a)은 각각 저항(R1,R2,R3,R4)으로 브리지 회로를 구성하고, 스팬온도 보상저항 패턴(1b)은 저항(R₃)이 되었다.

이와같이 하여 얻어진 금속탄성체 기판(2)을 제7도에 도시한 바와같이 스트레인 게이지 패턴(1a)이 빔체(3)의 변형부(7) (8)에 위치하도록 하여 접착 또는 접합 고정한다. 이 고정은 예를들면 에폭시수지 등의 접착제를 사용하여서 되지만, 금속탄성체 기판(2) 및 빔체(3)가 스테인레스재와 같이 내열성을 갖는 것이라면 서로의 면에 금을 도금하는 등에 의하여 형성한 후 가열하면서 가압하므로서 접합하여도 된다.

또 접합후의 안정성을 얻기 위하여 세라믹의 미세분말로 된 필터를 접착제에 흔합하여도 된다.

이와같이 미리 기판재(21)상에 다수의 스트레인 게이지 회로 패턴(1)을 박막 프로세스에 의하여 형성하고 그것을 블록마다에 분리하여 다수개의 금속탄성체 기판(2)을 형성하고, 그 각 금속탄성체 기판(2)을 각 빔체(3)에 접착 또는 접합 고정하여 다수의 변형센서를 제조하도록 하고 있으므로 박막 프로세서의 양산성을 향상할수가 있어서 변형센서의 층분한 양산화를 도모할 수가 있고, 제조코스트의 저하 및 품질의 안정성을 도모할 수가 있다.

즉, 기판재(21)상에 다수의 스트레인 게이지 회로 패턴(1)을 박막 프로세스에 의하여 형성하는 공정에 있어서는 기판재(21)가 얇고도 작으므로서, 성막장치에 의하여 한번에 다수의 금속탄성체 기판(2)을 제조할 수 있게 되어 양산성을 높일 수가 있다.

또, 빔체(3)와 금속탄성체 기판(2)의 상호의 재질의 열팽창의 온도계수가 상이하면, 그 접착면 또는 접합면에 스트레스가 발생하여 출력전압의 드리프트 등의 현상이 발생한다. 예를들면 스트레인 게이지 회로에 입력전압 10V가 인가된때 접착면에 1μ 스트레인이 생기면 출력전압은 약 20μV 변화한다. 이와같이 스트레스의 영향에 민감하기 때문에 빔체와 금속탄성체 기판은 동일재료로 구성되는 것이 필요하다.

더욱이, 상기 실시예에서는 빔체로서 로버벌 기구가 있는 빔체를 사용한 것에 대하여 기술하였지만 반드시 이것에 한정되는 것만은 아니고, 예를들면 제8a도 및 제8b도에 도시한 바와같이 형상이 상이한 로버벌기구를 갖지 않는 빔체(3a) (3b)를 사용하여도 제8c도에 도시한 바와같이 형상이 상이한 로버벌 기구를 가진 빔체(3c)를 사용한 것도 종다.

다음은 본 발명의 다른 실시예를 도면을 참조하여 설명한다. 더욱이, 이 실시예는 본 발명의 변형센서를 저울에 적용한 것에 대하여 설명한다.

이것은 제9도에 도시한 바와같이 박막 프로세스로 형성되고 볼록마다에 절단분리된 1상의 금속탄성체 기판(2a)(2b)을 로버벌 기구를 가진 빔체(3)의 상하양면에 각각 접착제로 접착 고정하고 있다.

그리고, 제10도에 도시한 바와같이 각 금속탄성체 기판(2a) (2b)에 형성된 스트레인 게이지 회로 패턴으로 구성된 브리지 회로(31)(32)의 입력단자를 저항을 개재하여 직류전원(33)에 접속하고, 그 각 브리지 회로(31) (32)의 출력단자에서의 출력(Vout1, Vout2)을 각각 증폭회로(40)(41)에서 증폭한 후, 그 각 증폭출력(Vout+10, Vout+20)을 가산기(42)로 가산하여 하중에 대응한 출력전압(Vout)을 인출하도록 하고 있다. 그리고 그 출력전압(Vout)을 제11도에 도시한 바와같이 저주과통과픽터(35)를 개재하여 애널로그/디지털 변환기(36)에 공급하고 있다.

상기 애널로그/디지털 변환기(36)는 입력전압에 대응한 카운트 데이터를 출력하는 것으로, 그 카운트 데이터를 마이크로컴퓨터(37)에 공급하고 있다. 상기 마이크로컴퓨터(37)는 입력되는 카운트데이터를 예를들면 그램단위의 중량치 데이터로 정리하여 처리하고, 그 중량치 데이터를 표시장치(38)에 표시되게 하였다.

이 실시예에 있어서도 미리 기판제상에 다수의 스트레인 게이지 회로 패턴을 박막 프로세스에 의하여 형성하고 그것을 블록마다에 분리된 금속탄성체 기판(2a)(2b)을 빔체(3)의 양면에 접착고정시킨 변형센서를 사용하고 있으므로, 상기 실시예와 동일하게 금속탄성체 기판의 양산화가 가능하고, 따라서 변형센서의 양산화가 된다.

또, 2개의 금속탄성체 기판(2a)(2b)을 사용하고, 이 각 금속탄성체 기판(2a) (2b)의 스트레인 게이지 회로 출력을 각각 증폭한 후 가산하여 인출하고 있으므로, 강도를 2배로 향상할 수 있다. 더욱이 사용한 후단의 회로는 1게통으로 되고 코스트의 저감을 도모할 수 있다.

또, 이와같이 로버벌 기구를 가진 빔체(3)와 양면에 금속탄성체 기판(2a) (2b)을 접착 고정하고 있으므로 하중에 대한 직선성을 얻을 수가 있다.

즉, 이렇게 한여 구성된 변형센서(41)의 하부일단을 베이스(42)에 고정하고, 변형센서(41)의 상부 타단에 접시(43)를 설치하여 제12도에 도시한 바와같이 접시(13)의 외측단부에 하중(W)이 부하된 때에는 빔채(3)는 벤딩(구부림)의 영향을 받아서, 금속탄성체 기판(2a)(2b)의 하중(W)에 대한 계기오차 커브는 제13a도 및 제13b도에 도시한 바와같이 서로 반대측으로 팽창한다. 그러나 각 금속탄성체 기판(2a) (2b)의 스트레인 게이지 회로 출력을 가산하여 인출하고 있으므로, 2개의 스트레인 게이지 회로의 직렬회로에서의 출력에 있어서의 계기오차 커브는 제13c도에 도시된 바와같이 서로 상쇄되어서 직선적으로 된다. 여기에서 하중에 대한 계기오차 커브라는 것은 0 그램과 계량치를 직선 근사시킨 값과의 오차를 표시한 것이다.

또, 제14도에 도시한 바와같이 접시(43)의 내측잔부에 하중(W)이 부하되었을 때에는 빔체(3)은 벤딩의 영향을 받아, 금속탄성체 기판(2a)(2b)의 하중(W)에 대한 계기오차 커브는 이번에는 제12도의 대와는 반대로 팽창한다. 즉, 제15a도 및 제15b도에 도시한 바와같이 팽창한다. 그러나, 이 경우도 각 금속탄성체기판(2a)(2b)의 스트레인 게이지 회로 출력을 가산하여 인출하고 있으므로, 2개의 스트레인 게이지 회로의 직렬회로에서의 출력에 있어서의 계기오차 커브는 제15c도에 도시한 바와같이 서로 상쇄되어서 직선적으로 된다.

이처럼 빔체(3)의 양면에 금속탄성체 기판(2a)(2b)을 접착 고정하고, 출력을 가산하여 인출하므로써 하중에 대한 직선성을 얻을 수 있다. 따라서, 하중을 접시(43)의 어느 위치에 부하해도 하중에 대한 직선성이 얻어지고 정확한 계량이 가능하다.

상기 실시예에서는 각 금속탄성체 기판(2a) (2b)에 형성된 스트레인 게이지 회로 패턴으로 구성된 브리지회로(31)(32)의 출력단자에서의 출력(Vout1, Vout2)을 각각 증폭회로(40)(41)에서 증폭시킨후, 그 각 증폭출력(Vout10, Vout20)을 가산기(42)로 가산하여 인출하도록 하였지만, 제16도에 도시한 바와같이 각 브리지 회로(31)(32)의 출력단자에서 개개로 출력전압(Vout1, Vout2)을 인출하고, 이 출력전압(Vout1, Vout2)을 제17도에 도시한 바와같이 애널로그 스위치(39)에 공급하고, 그 애널로그 스위치(39)에서 출력전압(Vout1, Vout2)을 증폭회로(34)에 선택적으로 공급하도록 하여도 된다.

이 경우는 마이크로컴퓨터(37)의 개개의 출력전압(Vout1, Vout2)에 대응하는 카운트 데이터를 넣은 후 양방의 카운트 데이터를 가산 처리하여 중량치를 산출하여 하중에 대한 직선성을 얻을수가 있다. 더욱이 애널로그 스위치(39)를 전환하는 속도는 접시(43)에 하중이 부하되고서부터 중량치가 확정될 때까지 계량기의 규격에 의하여 1초 이내에 할수 있어서 그것에 대응할 수 있는 속도로 할 필요가 있다. 즉 50∼100msec 정도로 할 필요가 있다.

상기 각 실시예에 있어서 금속탄성체 기판(2)(2a)(2b)을 빔체(3)의 표면에 접착 고정하는 경우에 빔체(3)의 변형부 위치가 스트레인 게이지 회로의 스트레인 게이지가 위치하도록 접착 또는 접합 고정할 필요가 있어서 그 위치 결정이 번거롭게 된다.

그리하여 제18도 및 제19도에 도시한 바와같이 빔체(3)에 있어서의 금속탄성체 기판(2)의 접착면 또는 접합면에 단차부(18)를 형성하고, 금속탄성체 기판(2)을 빔체(3)에 접착 또는 접합 고정하는 경우에 금속탄성체 기판(2)의 일단을 단차부(18)에 맞닿게 하여 위치 결정하고, 그때 빔체(3)의 변형부 위치에 스트레인 게이지 회로의 스트레인 게이지가 위치하도록 되어 있으면 금속탄성체 기판(2)의 빔체(3)에 대한 접착 또는 접합 고정이 용이하게 되고, 더욱이 빔체(3)의 변형부 위치와 스트레인 게이지 회로의 스트레인 게이지와의 위치 맞춤을 정밀하게 할 수 있다.

더욱이, 빔체(3)에 대하여 금속탄성체 기판을 제9도에 도시한 바와같이 양면에 접착 또는 접합 고정하는 경우에는 그 양면에 단차부를 형성하면 된다.

또, 제20도 및 제21도에 도시한 바와같이 빔체(3)의 동일면에 있어서 금속탄성체 기판(2)이 일단을 맞닿게하는 단차부(18)의 반대측에 그 단차부(18)에서의 거리가 금속탄성체 기판(2)의 길이보다도 층분한 위치에 다른 단차부(19)를 형성하고, 이 각 단차부(18)(19)의 사이에 금속탄성체 기판(2)을 접착 고정하도록 하면 금속탄성체 기판(2)이나 각 단부(18)(19)에 의하여 외부로부터 보호받게 되어 제조중에 외부로부터의 충격에 의하여 금속탄성체 기판(2)이 벗겨지는 등의 사고를 방지할 수 있다.

더욱이, 이 경우 단차부(19)에 대하여서는 빔체(3)와 일체로 된 것이 아니고, 별도 부재를 빔체(3)의 표면에 첨부하여 형성하여도 된다.

더욱이, 상기 각 실시예에 있어서는 탄성체 기판으로서 금속탄성체 기판을 사용하였지만 반드시 이것에 한정되는 것은 아니고, 세라믹 기판을 사용하여도 되고, 이 경우에는 빔체(3)의 재료에 의하여 유리 접착할 수도 있다.

또, 금속탄성체 기판(2)을 빔체(3)의 변형부 위치에 고정할 경우에, 기판(2)을 빔체(3)에 핀 걸어맞춤용 구멍을 형성하고, 그 구멍에 기판 및 빔체와 동일한 열팽창계수를 가진 핀을 삽입하여 접합하여도 된다.

이상, 본 발명에 의하면 간단하게 양산화를 도모할 수가 있고, 따라서 대폭적인 코스트 저하 및 품질의 안정을 도모할 수가 있다.

Claims (4)

1. 스트레인 게이지 회로 패턴(1)이 형성된 금속 또는 세라믹의 탄성체 기판(2)을, 그 기판(2)과 동일한 열팽창계수를 가지는 빔체(3)의 변형부 위치에 상기 스트레인 게이지 회로 패턴(1)의 스트레인 게이지부가 위치하도록 접합 또는 접합하는 것을 특징으로 하는 변형센서.
2. 제1항에 있어서, 빔체(3)에 있어서의 탄성체 기판(2)의 접착면 또는 접합면에 그 탄성체 기판(2)의 일단을 위치 결정하는 단차부를 형성하는 것을 특징으로 하는 변형센서.
3. 금속 또는 세라믹의 탄성체 기판(2)상에 다수개의 스트레인 게이지 회로 패턴(1)을 형성한 후, 개개의 스트레인 게이지 회로 패턴(1)을 기판과 함께 절단 분리하고, 빔체(3)의 변형부 위치에 상기 스트레인 게이지 회로 패턴(1)의 스트레인 게이지부가 위치하도록 절단 분리한 기판(2)을 접착 또는 접합하여 제조하는 것을 특징으로 하는 변형센서의 제조방법.
4. 제1항에 기재된 변형센서를 이용하는 로드셀 저울에 있어서, 증폭회로(40,41)가 변형센서의 스트레인 게이지 회로 패턴(1)의 출력을 증폭하고, 증폭된 출력이 가산기(42)에서 가산되구 애널로그/디지털 변환기(36)가 그 출력들의 합을 디지털치로 변환하여 중량치를 얻는 것을 특징으로 하는 로드셀 저울.