KR960012370A - 반도체 장치의 산화막 형성방법 - Google Patents
반도체 장치의 산화막 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960012370A KR960012370A KR1019940025178A KR19940025178A KR960012370A KR 960012370 A KR960012370 A KR 960012370A KR 1019940025178 A KR1019940025178 A KR 1019940025178A KR 19940025178 A KR19940025178 A KR 19940025178A KR 960012370 A KR960012370 A KR 960012370A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- oxide film
- semiconductor device
- high pressure
- forming
- ozone
- Prior art date
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
본 발명은 초고집적(VLSI)소자에 사용되는 절연막을 고압에서 산소기체 대신에 오존/산소 혼합기체와 자외선(UV : Ultra violet)을 사용하여 형성하는 절연막 형성방법에 관한 것으로서, 특히 종래의 절연막 형성 방법보다 급속한 성장속도를 얻거나 또는 양질의 절연막을 저온에서 형성할 수 있는 반도체 장치의 절연막 형성방법에 관한 것이다. 본 발명은 고압이 오존 분위기에서 산화막을 성장하는 것인데, 오존의 강한 산화력을 이용하여 플라즈마 방전과 같은 고에너지를 이용하지 않고도 저온에서 짧은 시간에 정공 트랩의 감소된 양질의 산화막을 성장할 수 있으며, 자외선(UV)조사에 으하여 더욱 낮은 온도에서 산화막 성장이 가능하게 되는 것이 특징이다. 오존의 발생은 오존발생기(ozonizer)에 산소를 유입(flow)시켜 오존(O3)과 산소(O2)의 비를 10% 정도로 하여 반응로에 주입시킨다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 오존고압 산화방법에 의해 필드절연막이 형성된 반도체 장치의 부분 단면도이다.
Claims (4)
- 반도체 장치의 산화막 형성방법에 있어서, 상기 산화막을 오존의 강한 산화력을 이용한 고압의 오존산화방법(High Pressare Ozone Oxidation)에 의해 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 산화막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 장치의 활성영역과 필드영역을 격리(isolation)하기 위한 필드(field)산화막이 새부리 형상(bird'beak)이 제거될 수 있도록 약 800℃의 저온에서, 산화력이 강한 고압의 오존 분위기에서 성장시키는 것을 특징으로 한느 고압의 오존산화방법을 이용한 반도체 장치의 산화막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 장치의 게이트 절연막이 채널영역이 불순물 재분포를 최대한 억제하여 짧은 채널효과(short channel effect)를 억제시키고, 절연막 중의 정공 트랩(trap)을 감소시키며 절연파괴 전압을 향상시킬 수 있도록 700℃의 저온에서 산화력이 강한 고압의 오존분위기에서 성장시키는 것을 특징으로 하는 고압의 오존산화방법을 이용한 반도체 장치의 산화막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막 성장속도를 가속시키며 더욱 낮은 온도에서 산화막을 성장시킬 수 있도록 고압의 오존산화방법에 병행하여 자외선(UV)조사를 부가한 방법으로 산화막을 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 산화막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940025178A KR960012370A (ko) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 반도체 장치의 산화막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940025178A KR960012370A (ko) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 반도체 장치의 산화막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960012370A true KR960012370A (ko) | 1996-04-20 |
Family
ID=66766704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940025178A KR960012370A (ko) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 반도체 장치의 산화막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960012370A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100409033B1 (ko) * | 2002-05-20 | 2003-12-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
-
1994
- 1994-09-30 KR KR1019940025178A patent/KR960012370A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100409033B1 (ko) * | 2002-05-20 | 2003-12-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3737277B2 (ja) | 半導体デバイスを製造する方法 | |
| US6888204B1 (en) | Semiconductor devices, and methods for same | |
| JP4317523B2 (ja) | 半導体装置及びこれの製造方法 | |
| KR930005122A (ko) | 반도체 장치의 게이트 산화막 형성법 | |
| US20060024972A1 (en) | Silicon recess improvement through improved post implant resist removal and cleans | |
| JPS618931A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4156500B2 (ja) | 基板上にナノ積層体を形成する方法 | |
| KR960012370A (ko) | 반도체 장치의 산화막 형성방법 | |
| JPS5587483A (en) | Mis type semiconductor device | |
| JPS632371A (ja) | 半導体装置 | |
| KR20000017498A (ko) | 고 품질 초박막 게이트 산화물을 위해 제어가능한 산화 기술 | |
| JP2001015504A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6453462A (en) | Manufacture of thin film transistor | |
| CN105280503A (zh) | 提高横向导电结构SiC MOSFET沟道迁移率的方法 | |
| JPS54161889A (en) | Insulated gate type field effect transistor | |
| JPH07263436A (ja) | シリコン基板の酸化方法 | |
| KR960016829B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR950011989B1 (ko) | 게이트 산화막 형성방법 | |
| JPS5790960A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH06208965A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR960026432A (ko) | 게이트 산화막 형성 방법 | |
| KR940016871A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| JPS5739579A (en) | Mos semiconductor device and manufacture thereof | |
| JPS61187329A (ja) | 化合物半導体素子の製造方法及び製造装置 | |
| JPS6356916A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |