KR960006717B1 - 디램셀의 저장전극 제조방법 - Google Patents
디램셀의 저장전극 제조방법 Download PDFInfo
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내용 없음
Description
제1A도 내지 제1B도는 종래기술에 의해 디램셀의 저장전극을 제조하는 단계를 도시한 단면도.
제2A도 내지 제2D도는 본 발명에 의해 디램셀의 저장전극을 제조하는 단계를 도시한 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 실리콘기판 2 : 필드산화막
3 : 워드라인 4 : 내부절연막
5 : 저장전극용 폴리실리콘층 5A,5B : 폴리실리콘층 패턴
6A : 포지티브 감광막패턴 7A : 네가티브 감광막패턴.
본 발명은 반도체 소자의 디램셀의 저장전극 제조방법에 관한 것으로, 특히 캐패시터 용량을 증대시키기 위해 저장전극의 일정 상부표면을 식각하여 저장전극의 가장자리에 돌출부를 형성하는 디램셀의 저장전극 제조방법에 관한 것이다.
반도체소자 제조분야에서 단위셀의 크기는 다이면적(die size)을 결정하는 가장 기초작업이 된다.
아울러, 소자의 집적도가 향상됨에 따라 단위셀 면적을 줄이기 위한 기술이 필요하며 향후 소자개발의 관건으로 작동하고 있다. 특히, 디램소자에 있어서 캐패시더의 용량을 확보하는 기술은 중요한 기술이며, 단위셀의 면적을 결정하는 첫번째 요소이다.
아울러, 단위셀의 면적이 하나의 웨이퍼에서 생산되는 다이수와 직결될 수가 있어 다이생산에 지대한 영향을 주게된다.
종래기술에 의해 디램셀의 스택형 저장전극 제조단계를 도시된 제1A도 및 제1B도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
제1A도는 실리콘기판(1) 상부에 필드산화막(2)을 형성하고, 워드라인(3) 및 소오스, 드례인(도시안됨)을 갖는 MOSFET를 형성한 후, 전체구조 상부에 내부절연막(4)을 형성하고, 실리콘기판(1)이 노출된 콘택홀을 형성하고, 저장전극용 폴리실리콘층(5)을 증착한 다음, 그 상부에 지장전극 마스크용 감광막패턴(6)을 형성한 단면도이다.
제1B도는 제1A도 공정후 노출된 저장전극용 폴리실리콘층(5)을 식각하여 저장전극용 폴리실리콘층 패턴(5A)을 형성한 단면도이다.
상기한 저장전극을 단일층의 폴리실리콘층 패턴으로서 측면이 수직형상이고, 상부면이 평탄하게 되어 캐패시터로 작용되는 면적이 대부분 평면으로서 캐패시터 용량을 증가시키기 위해서는 셀 사이즈가 증가되어야 한다.
따라서, 본 발명은 종래의 셀 사이즈를 그대로 유지하면서 캐패시터 용량을 증대시키기 위해 저장전극 일정두께를 식각하여 저장전극의 표면적을 증대시키는데 그 목적이 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
제2A도는 제1A도와 같이 실리콘기판(1)의 예정된 상부에 필드사화막(2), 워드라인(3), 내부절연막(4), 저장전극용 폴리실리콘층(5)을 적층한 후, 전체적으로 포지티브 감광막(6)을 도포하고, 저장전극 마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 포지티브 감광막패턴(6A)을 형성한 상태의 단면도이다.
제2B도는 노츌된 저장전극용 폴리실리콘층(5)을 식각하여 저장전극용 폴리실리콘층 패턴(5A)을 형성하고, 상부의 포지티브 감광막패턴(6A)을 제거한 단면이다.
제2C도는 전체구조 상부에 네가티브 감광막(7)을 도포하고, 저장전극 마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 제2A도 또는 반대극성의 네가티브 감광막대패턴(7A)을 형성한 단면도이다.
여기에서 주지할 점은 포지티브와 네가티브 감광막을 도포하고, 저장전극 마스크를 이용한 노광 및 현상공정을 실시하면 감광막이 제거되는 부분과 제거되지 않는 부분의 경계면에서 빛의 간섭현상등에 의해 일정부분 겹치게 된다. 그로인하여 제2C도에서 네가티브 감광막패턴(7A)이 저장전극용 폴리실리콘층 패턴(5A)과 일정부분 겹치게 된다.
제2D도는 노출된 저장전극용 폴리실리콘층 패턴의 일정두께를 식각하여 가장자리가 돌출된 폴리실리콘층패턴(5A)을 형성하고, 상기 네가티브 감광막패턴(7A)을 제거한 단면도로서, 저장전극으로 사용되는 폴리시리콘충(5B)의 표면적이 증대된 것을 도시한다.
상기한 바와 같이 본 발명에 의하면 저장전극의 일정부분을 극성이 다른 감광막패턴을 이용하여 제거함으로써 저장전극의 표면적을 증대시킬 수 있다.
Claims (1)
- 디렘셀의 저장전극 제조방법에 있어서, 실리콘기판 상부에 형성된 내부절연막 상부에 콘택홀을 통해 실리콘 기판에 콘택되는 저장전극용 폴리실리콘층을 증착하는 단계와, 저장전극용 폴리실리콘층 상부에 포지티브 감광막을 도포하고, 저장전극 마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 포지티브 감광막패턴을 형성하는 단계와, 노출된 저장전극용 폴리실리콘층을 식각하여 저장전극 폴리실리콘층 패턴을 형성하고, 포지티브 감광막패턴을 제거하는 단계와, 다시 전체구조 상부에 네가티브 감광막을 도포하고 상기의 저장전극 마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 네가티브 감광막패턴을 형성하는 단계와, 노출된 저장전극용 폴리실리콘층패턴의 소정두께를 식각하여 가장자리가 돌출되게한 저장전극용 폴리실리콘층 패턴을 형성하고, 네가티브감광막패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디램셀의 저장전극 제조방법.
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