KR960001926A - 충전 수단용 자성 입자, 및 그를 포함하는 전자 사진 장치, 프로세스 카트리지 및 화상 형성 방법 - Google Patents

충전 수단용 자성 입자, 및 그를 포함하는 전자 사진 장치, 프로세스 카트리지 및 화상 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 인가 전압에 의해 전자 사진 감광 부재를 충전시키기 위하여 전자 사진 감광 부재와 접촉 배치된 충전 수단에 용이되는 하기 일반식(1)로 나타내어지는 페라이트 성분의 입자로서 제공되는 자성 입자에 관한 것이다.
식 중, A는 Li2O MnO 및 MgO로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 산화물 성분이고, B는 A와는 다른 1종 이상의 금속 산화물 성분이고, X, Y 및 Z는 몰비를 나타내는 숫자로서, 각각 0.2X0.95, 0.01Y0.5, X+Y≤1 및 0≤Z0.79를 만족시키는 값이다.
본 발명의 자성 입자는 감광 부재의 오염 또는 핀홀로의 누출 등의 문제를 일으킴이 없이 특히 주입 충전에 있어서 우수한 충전 성능을 가진다.

Description

충전 수단용 자성 입자, 및 그를 포함하는 전자 사진 장치, 프로세스 카트리지 및 화성 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 화상 형성 장치의 일례를 나타낸 개략도.
제2도는 본 발명에 적합하게 사용되는 자성 입자의 체적 저항률 측정 장치의 개략도.

Claims (36)

  1. 하기 일반식 (1)로 나타내어지는 페라이트 성분을 포함하는 인가 전압에 의해 전자 사진 감광 부재를 충전시키기 위하여 전자 사진 감광 부재와 접촉 배치된 충전수단용 자성 입자.
    식 중, A는 Li2O, MgO로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 산화물 성분이고, B는 A와 다른 1종 이상의 금속 산화물 성분이고, X,Y 및 Z는 몰비를 나타내는 숫자로서, 각각 0.2〈X〈0.95, 0.01〈Y〈0.5, X+Y≤1 및 0≤Z≤0.79를 만족시키는 값이다.
  2. 제1항에 있어서, A가 MnO인 자성입자.
  3. 제1항에 있어서 B는 Na2O, K2O, CaO, SrO, Al2O3, Sio2및 Bi2O3로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 산화물 성분인 것인 자성입자.
  4. 제3항에 있어서, B는 Na2O, K2O, CaO 및 SrO로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 산화물 성분인 것인 자성 입자.
  5. 제4항에 있어서, Y 및 Z는 관계식 Y〉Z를 만족시키는 것인 자성 입자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 자성 입자는 평균 입자 크기가 5내지 100㎛인 것인 자성 입자.
  7. 제1항 또는 5항에 있어서, 상기 감광 부재는 전하 주입층을 포함하는 표면층을 갖는 것인 자성 입자.
  8. 제7항에 있어서, 상기 자성 입자는 체적 저항률 1×104내지 1×109ohm.cm인 것인 자성 입자.
  9. 제7항에 있어서, 상기 전하 주입층은 체적저항률이 1×108내지 1×1015ohm.cm인 것인 자성 입자.
  10. 전자 사진 감광 부재와, 이 감광 부재에 대향하는 위치에 충전 수단, 화상 방향 노출 수단 및 현상 수단이 순차적으로 배치되어 이루어지고, 상기 충전 수단은 수용된 전압에 의해 감광 부재를 충전시키도록 감광 부재에 접촉 가능하게 배치되며 하기 일반식(1)로 나타내어지는페라이트 성분을 포함하는 자성 입자로 이루어진 충전 부재를 포함하는 것인 전자 사진 장치.
    식 중 A는 Li2O, MnO 및 MgO로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 산화물 성분이고, B는 a와는 다른 1종 이상의 금속 산화물 성분이고, X,Y 및 Z는 몰비를 나타내는 숫자로서, 각각 0.2〈X〈0.95, 0.01〈Y〈0.5, X+Y≤1 및 0≤Z,0.79를 만족시키는 값이다.
  11. 제10항에 있어서, A가 MnO인 장치.
  12. 제10항에 있어서, B는 Na2O, K2O, CaO, SrO, Al2O3, SiO2및 Bi2O3로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 산화물 성분인 것인 장치.
  13. 제12항에 있어서, B는 Na2O, K2O, CaO 및 SrO,로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 산화물 성분인 것인 장치.
  14. 제13항에 있어서, Y 및 Z는 관계식 Y〉Z를 만족시키는 것인 장치.
  15. 제10항에 있어서, 상기 자성 입자는 평균 입자 크기가 5내지 100㎛인 것인 장치.
  16. 제10항 또는 제14항에 있어서, 상기 감광 부재는 전하 주입층을 포함하는 표면층을 갖는 것인 장치.
  17. 제16항에 있어서 상기 자성 입자는 체적 저항률이 1×104내지 1×109ohm.cm인 것인 자성 입자.
  18. 제16항에 있어서, 상기 전하 주입층은 체적저항률이 1×108내지 1×1015ohm.cm인 것인 자성 입자.
  19. 전자 사진 감광 부재 및 충전 수단과, 현상 수단 및 세정 수단으로부터 선택되는 1종 이상의 부재를포함하고, 상기 충전 수단은 수용된 전압에 의해 감강 부재를 충전시키도록 감광 부재와 접촉 가능하게 배치되며 하기 일반식(1)로 나타내어지는페라이트 성분을 포함하는 자성 입자로 이루어진 충전 부재를 포함하는 것이고, 상기 전자 사진 감광 부재 및 충전 수단과, 현상 수단 및 세정 수단으로부터 선택된 1종 이상의 부재는 일체적으로 지지되어 전자 사진 장치 본체에 탈착가능하게 장착될 수 있는 카트리지를 형성하는 것인 프로세스 카트리지.
    식 중 A는 Li2O, MnO 및 MgO로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 산화물 성분이고, B는 a와는 다른 1종 이상의 금속 산화물 성분이고, X,Y 및 Z는 몰비를 나타내는 숫자로서, 각각 0.2〈X〈0.95, 0.01〈Y〈0.5, X+Y≤1 및 0≤Z,0.79를 만족시키는 값이다.
  20. 제19항에 있어서, A가 MnO인 프로세스 카트리지.
  21. 제19항에 있어서, B는 Na2O, K2O, CaO, SrO, Al2O3, SiO2및 Bi2O3로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 산화물 성분인 것인 프로세스 카트리지.
  22. 제21항에 있어서, B는 Na2O, K2O, CaO 및 SrO,로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 산화물 성분인 것인 프로세스 카트리지.
  23. 제22항에 있어서, Y 및 Z는 관계식 Y〉Z를 만족시키는 것인 프로세스 카트리지.
  24. 제19항에 있어서, 상기 자성 입자는 평균 입자 크기가 5내지 100㎛인 것인 프로세스 카트리지.
  25. 제19항 또는 제23항에 있어서, 상기 감광 부재는 전하 주입층을 포함하는 표면층을 갖는 것인 프로세스 카트리지.
  26. 제25항에 있어서 상기 자성 입자는 체적 저항률이 1×104내지 1×109ohm.cm인 것인 프로세스 카트리지.
  27. 제25항에 있어서, 상기 전하 주입층은 체적저항률이 1×108내지 1×1015ohm.cm인 것인 프로세스 카트리지.
  28. 하기 일반식(1)로 나타내어지는 페라이트 성분으로 이루어지는 자성 입자를 포함하며 감광 부재와 접촉 배치된 충전 부재에 전압을 인가함으로써 전자 사진감광 부재를 충전시키는 단계; 충전된 감광 부재를 화상 방향으로 노출시켜서 감광 부재 위에 정전 화상을 형성하는 단계; 및 정전 화상을 현상하는 단계를 포함하는 화상 형성방법.
    식 중 A는 Li2O, MnO 및 MgO로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 산화물 성분이고, B는 A와는 다른 1종 이상의 금속 산화물 성분이고, X,Y 및 Z는 몰비를 나타내는 숫자로서, 각각 0.2〈X〈0.95, 0.01〈Y〈0.5, X+Y≤1 및 0≤Z,0.79를 만족시키는 값이다.
  29. 제28항에 있어서, A가 MnO인 방법.
  30. 제28항에 있어서, B는 Na2O, K2O, CaO, SrO, Al2O3, SiO2및 Bi2O3로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 산화물 성분인 것인 방법.
  31. 제30항에 있어서, B는 Na2O, K2O, CaO 및 SrO,로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 산화물 성분인 것인 방법.
  32. 제31항에 있어서, Y 및 Z는 관계식 Y〉Z를 만족시키는 것인 방법.
  33. 제28항에 있어서, 상기 자성 입자는 평균 입자 크기가 5내지 100㎛인 것인 방법.
  34. 제28항 또는 제32항에 있어서, 상기 감광 부재는 전하 주입층을 포함하는 표면층을 갖는 것인 방법.
  35. 제34항에 있어서 상기 자성 입자는 체적 저항률이 1×104내지 1×109ohm.cm인 것인 방법.
  36. 제25항에 있어서, 상기 전하 주입층은 체적저항률이 1×108내지 1×1015ohm.cm인 것인 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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