KR950034754A - 폴리실리콘 저항을 형성하는 방법 및 이 방법으로부터 제조된 저항 - Google Patents

폴리실리콘 저항을 형성하는 방법 및 이 방법으로부터 제조된 저항 Download PDF

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에이. 프린스로우 더글라스
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Abstract

폴리실리콘 저항(40)은 필드 산화물층(12)과 필드 산화물층(12)의 일부를 덮는 폴리실리콘층(20)을 형성한다. 폴리실리콘층(20)은 선정된 전기 저항값을 갖는다. 질화물/산화물 스택(42)은 폴리실리콘층의 이 선정된 부분을 덮고 선정된 저항값을 달성하기 위해 도펀트를 주입하기 않을 폴리실리콘층(20)의 적어도 하나의 노출된 위치를 형성한다. 실리사이드층(34)는 노출된 위치를 덮는다.

Description

폴리시리콘 저항을 형성하는 방법 및 이 방법으로부터 제조된 저항
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 완전한 저항을 도시한 개념적 단면도.

Claims (20)

  1. 필드 산화물층, 선정된 전기 저항값을 발생하기 위해 상기 필드 산화물층의 일부를 덮는 폴리실리콘층, 상기 선정된 저항값을 결정하기 위해 상기 폴리실리콘층을 주입하기 위한 도펀트, 상기 폴리실리콘층의 선정된 부분을 덮고 상기 폴리실리콘층의 적어도 하나의 노출된 위치를 형성하는 유전층, 및 상기 폴리실리콘층의 상기 적어도 하나의 노출된 위치를 덮는 실리사이드층을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 저항.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유전층은 산화물/질화물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 저항.
  3. 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘층사에 있는 산화물 측별을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 저항.
  4. 제1항에 있어서, 사익 유전층은 상기 폴리실리콘층의 선정된 부분을 부가 도펀트로부터 보호함으로써 상기 폴리실리콘 저항의 길이를 정하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 저항.
  5. 제1항에 있어서, 상기 유전층은 상기 실리시이드층의 일부가 상기 폴리실리콘층을 덮는 것을 차단함으로써 상기 폴리실리콘 저항의 길이를 정하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 저항.
  6. 제1항에 있어서, 사익 도펀트는 비소 도펀트를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 저항.
  7. 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘층, 상기 유전층, 및 상기 실리사이드층을 덮는 금속 레벨 산화물층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 저항.
  8. 폴리실리콘 저항을 형성하는 방법에 있어서, 필드 산화물층을 형성하는 단계, 선정된 전기 저항값을 발생하기 위해 폴리실리콘층으로 상기 필드 산화물층이 일부를 덮는 단계, 상기 선정된 저항값을 설정하기 위해 상기 폴리실리콘층내에 도펀트를 주입하는 단계, 상기 폴리실리콘층의 선정된 부분을 상기 폴리실리콘층의 적어도 하나의 노출된 부분을 형성하는 유전층으로 덮는 단계, 및 상기 폴리실리콘층의 상기 적어도 하나의 노출된 위치를 실리사이드층으로 덮는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 저항 형성 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 덮는 단계는 상기 폴리실리콘층의 선정된 부분을 상기 폴리실리콘층의 적어도 하나의 노출된 위치를 형성하는 산화물/질화물층으로 덮는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 저항 형성 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 폴리실리콘층 위에 측벽을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 저항 형성 방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 폴리실리콘층의 선정된 부분을 유전층을 이용하여 상기 주입 단계의 도펀트로부터 보호함으로써 상기 폴리실리콘 저항의 길이를 정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 저항 형성 방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 폴리실리콘층의 선정된 부분을 유전층을 이용하여 실리사이드층으로부터 보호함으로써 폴리실리콘 저항의 길이를 정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 저항 형성 방법.
  13. 제8하에 있어서, 상기 주입 단계는 상기 선정된 저항값을 결정하기 위해 비소 도펀트를 상기 폴리실리콘층내로 주입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 저항 형성 방법.
  14. 제8하에 있어서, 상기 폴리실리콘층, 상기 유전층, 및 상기 실리사이드층을 금속 레벨 산화물층으로 덮는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 저항 형성 방법.
  15. 폴리실리콘 저항을 형성하는 방법에 있어서, 필드 산화물층을 형성하는 단계, 폴리실리콘층으로 상기 필드 산화물층을 덮는 단계, 상기 폴리실리콘층의 선정된 부분을 포토레지스트 패턴으로 덮는 단계, 폴리실리콘 패턴에 의해 정해진 폴리실리콘의 선정된 부분에 따라 포토레지스트 공정을 이용하여 폴리실리콘 저항을 정하는 단계, 폴리실리콘층에 의해 덮혀지지 않은 상기 필드 산화물층의 부분 내의 폴리시리콘층을 산화물층으로 덮는 단계, 상기 산화물층을 질화물층으로 덮는 단계, 폴리실리콘 저항체를 정하기 위해 상기 질화물층과 상기 산화물층의 선정된 부분을 덮는 단계, 질화물 스택과 질화물 측벽을 생성하기 위해 상기 질화물층을 에칭하는 단계, 및 상기 지롸물 스택과 상기 질화물 측벽에 의해 덮혀지지 않은 상기 폴리시리콘층이 일부 상에 실리사이드층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 저항 형성 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 폴리시릴콘층을 다른 주입물들로부터 보호함으로써 상기 질화물 스택을 이용하여 폴리시리콘 저항의 길이를 정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 저항 형성 방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 질화물 스택에 의해 덮혀진 부분상의 실리사이드층의 형성을 방지함으로써 유전층을 이용하여 폴리실리콘 저항의 길이를 정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 저항 형성 방법.
  18. 제15항에 있어서, 폴리 이어즈 레지스트 스트립 공정을 이용하여 상기 포토레지스트를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 저항 형성 방법.
  19. 제15항에 있어서, 상기 질화물 스택, 상기 질화물 스택에 의해 덮혀지지 않은 폴리실리콘층의 일부, 및 상기 질화물 측벽상에 금속 레벨 산화물층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 저항 형성 방법.
  20. 제15항에 있어서, 상기 도펀트 주입 단계는 상승된 온도 공정을 이용하여 저항의 헤드내로 도펀트를 어닐닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 저항 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950010716A 1994-05-06 1995-05-02 폴리실리콘 저항을 형성하는 방법 및 이 방법으로부터 제조된 저항 KR950034754A (ko)

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Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5930638A (en) * 1993-07-12 1999-07-27 Peregrine Semiconductor Corp. Method of making a low parasitic resistor on ultrathin silicon on insulator
TW297158B (ko) * 1994-05-27 1997-02-01 Hitachi Ltd
US6001663A (en) * 1995-06-07 1999-12-14 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus for detecting defect sizes in polysilicon and source-drain semiconductor devices and method for making the same
US5670891A (en) * 1995-06-07 1997-09-23 Advanced Micro Devices, Inc. Structures to extract defect size information of poly and source-drain semiconductor devices and method for making the same
US6236101B1 (en) * 1997-11-05 2001-05-22 Texas Instruments Incorporated Metallization outside protective overcoat for improved capacitors and inductors
KR100257079B1 (ko) * 1997-12-05 2000-05-15 김영환 반도체소자 및 이의 제조방법
US6165861A (en) * 1998-09-14 2000-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Integrated circuit polysilicon resistor having a silicide extension to achieve 100% metal shielding from hydrogen intrusion
US6100154A (en) * 1999-01-19 2000-08-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Using LPCVD silicon nitride cap as a barrier to reduce resistance variations from hydrogen intrusion of high-value polysilicon resistor
US6117789A (en) * 1999-04-02 2000-09-12 United Microelectronics Corp. Method of manufacturing thin film resistor layer
TW471163B (en) * 2000-08-17 2002-01-01 United Microelectronics Corp Manufacturing method and structure of thin film resistor having a high resistance value
US6647614B1 (en) * 2000-10-20 2003-11-18 International Business Machines Corporation Method for changing an electrical resistance of a resistor
KR100767540B1 (ko) * 2001-04-13 2007-10-17 후지 덴키 홀딩스 가부시끼가이샤 반도체 장치
US6586311B2 (en) 2001-04-25 2003-07-01 Advanced Micro Devices, Inc. Salicide block for silicon-on-insulator (SOI) applications
US6727133B1 (en) * 2002-11-21 2004-04-27 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit resistors in a high performance CMOS process
US6933546B2 (en) 2003-03-17 2005-08-23 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor component
US6900502B2 (en) 2003-04-03 2005-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Strained channel on insulator device
US6882025B2 (en) * 2003-04-25 2005-04-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Strained-channel transistor and methods of manufacture
US6867433B2 (en) 2003-04-30 2005-03-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor-on-insulator chip incorporating strained-channel partially-depleted, fully-depleted, and multiple-gate transistors
JP2004342821A (ja) * 2003-05-15 2004-12-02 Renesas Technology Corp 半導体装置
US20050012087A1 (en) * 2003-07-15 2005-01-20 Yi-Ming Sheu Self-aligned MOSFET having an oxide region below the channel
US6936881B2 (en) * 2003-07-25 2005-08-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Capacitor that includes high permittivity capacitor dielectric
US6940705B2 (en) 2003-07-25 2005-09-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Capacitor with enhanced performance and method of manufacture
US7078742B2 (en) * 2003-07-25 2006-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Strained-channel semiconductor structure and method of fabricating the same
US7101742B2 (en) * 2003-08-12 2006-09-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Strained channel complementary field-effect transistors and methods of manufacture
US7112495B2 (en) * 2003-08-15 2006-09-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Structure and method of a strained channel transistor and a second semiconductor component in an integrated circuit
US20050035369A1 (en) * 2003-08-15 2005-02-17 Chun-Chieh Lin Structure and method of forming integrated circuits utilizing strained channel transistors
US20050035410A1 (en) * 2003-08-15 2005-02-17 Yee-Chia Yeo Semiconductor diode with reduced leakage
US7071052B2 (en) * 2003-08-18 2006-07-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Resistor with reduced leakage
US7112535B2 (en) * 2003-09-30 2006-09-26 International Business Machines Corporation Precision polysilicon resistor process
US7888201B2 (en) 2003-11-04 2011-02-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor-on-insulator SRAM configured using partially-depleted and fully-depleted transistors
US6806136B1 (en) * 2004-02-17 2004-10-19 Episil Technologies, Inc. Method of forming a semiconductor device having a capacitor and a resistor
KR100556350B1 (ko) * 2004-05-10 2006-03-03 동부아남반도체 주식회사 반도체 소자 및 그 제조방법
US7034364B2 (en) * 2004-05-25 2006-04-25 Texas Instruments Incorporated Reduced finger end MOSFET breakdown voltage (BV) for electrostatic discharge (ESD) protection
US7060612B2 (en) * 2004-08-26 2006-06-13 International Business Machines Corporation Method of adjusting resistors post silicide process
US20060057813A1 (en) * 2004-09-15 2006-03-16 Cheng-Hsiung Chen Method of forming a polysilicon resistor
US7285472B2 (en) * 2005-01-27 2007-10-23 International Business Machines Corporation Low tolerance polysilicon resistor for low temperature silicide processing
US7241663B2 (en) * 2005-04-19 2007-07-10 Texas Instruments Incorporated Maskless multiple sheet polysilicon resistor
US20070096260A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-03 International Business Machines Corporation Reduced parasitic and high value resistor and method of manufacture
US7645660B2 (en) * 2005-12-21 2010-01-12 Stmicroelectronics, Inc. Method for manufacturing high-stability resistors, such as high ohmic poly resistors, integrated on a semiconductor substrate
US8026556B2 (en) * 2006-04-21 2011-09-27 Nxp B.V. Adjustible resistor for use in a resistive divider circuit and method for manufacturing
US7393701B2 (en) * 2006-12-05 2008-07-01 International Business Machines Corporation Method of adjusting buried resistor resistance
US8558278B2 (en) 2007-01-16 2013-10-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Strained transistor with optimized drive current and method of forming
US7973552B2 (en) * 2007-12-04 2011-07-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. On-die terminators formed of coarse and fine resistors
US7943961B2 (en) 2008-03-13 2011-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Strain bars in stressed layers of MOS devices
US7785979B2 (en) * 2008-07-15 2010-08-31 International Business Machines Corporation Integrated circuits comprising resistors having different sheet resistances and methods of fabricating the same
US8242876B2 (en) 2008-09-17 2012-08-14 Stmicroelectronics, Inc. Dual thin film precision resistance trimming
US7808051B2 (en) 2008-09-29 2010-10-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Standard cell without OD space effect in Y-direction
US20100164001A1 (en) * 2008-12-30 2010-07-01 Joodong Park Implant process for blocked salicide poly resistor and structures formed thereby
US8400257B2 (en) 2010-08-24 2013-03-19 Stmicroelectronics Pte Ltd Via-less thin film resistor with a dielectric cap
US8436426B2 (en) 2010-08-24 2013-05-07 Stmicroelectronics Pte Ltd. Multi-layer via-less thin film resistor
US8659085B2 (en) 2010-08-24 2014-02-25 Stmicroelectronics Pte Ltd. Lateral connection for a via-less thin film resistor
US8927909B2 (en) 2010-10-11 2015-01-06 Stmicroelectronics, Inc. Closed loop temperature controlled circuit to improve device stability
US8809861B2 (en) 2010-12-29 2014-08-19 Stmicroelectronics Pte Ltd. Thin film metal-dielectric-metal transistor
US9159413B2 (en) 2010-12-29 2015-10-13 Stmicroelectronics Pte Ltd. Thermo programmable resistor based ROM
JP5850671B2 (ja) * 2011-08-15 2016-02-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
US8981527B2 (en) * 2011-08-23 2015-03-17 United Microelectronics Corp. Resistor and manufacturing method thereof
US8526214B2 (en) 2011-11-15 2013-09-03 Stmicroelectronics Pte Ltd. Resistor thin film MTP memory
US10229966B2 (en) 2016-12-30 2019-03-12 Texas Instruments Incorporated Semiconductor resistor structure and method for making

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3864817A (en) * 1972-06-26 1975-02-11 Sprague Electric Co Method of making capacitor and resistor for monolithic integrated circuits
US4021789A (en) * 1975-09-29 1977-05-03 International Business Machines Corporation Self-aligned integrated circuits
US4212684A (en) * 1978-11-20 1980-07-15 Ncr Corporation CISFET Processing including simultaneous doping of silicon components and FET channels
US4210465A (en) * 1978-11-20 1980-07-01 Ncr Corporation CISFET Processing including simultaneous implantation of spaced polycrystalline silicon regions and non-memory FET channel
US4467519A (en) * 1982-04-01 1984-08-28 International Business Machines Corporation Process for fabricating polycrystalline silicon film resistors
US4466179A (en) * 1982-10-19 1984-08-21 Harris Corporation Method for providing polysilicon thin films of improved uniformity
US5010032A (en) * 1985-05-01 1991-04-23 Texas Instruments Incorporated Process for making CMOS device with both P+ and N+ gates including refractory metal silicide and nitride interconnects
JP3024143B2 (ja) * 1989-06-19 2000-03-21 ソニー株式会社 半導体装置の製法
US5135882A (en) * 1989-07-31 1992-08-04 Micron Technology, Inc. Technique for forming high-value inter-nodal coupling resistance for rad-hard applications in a double-poly, salicide process using local interconnect
US5079177A (en) * 1989-09-19 1992-01-07 National Semiconductor Corporation Process for fabricating high performance bicmos circuits
JP3082923B2 (ja) * 1989-12-26 2000-09-04 ソニー株式会社 半導体装置の製法
US5231042A (en) * 1990-04-02 1993-07-27 National Semiconductor Corporation Formation of silicide contacts using a sidewall oxide process
US5169794A (en) * 1991-03-22 1992-12-08 National Semiconductor Corporation Method of fabrication of pnp structure in a common substrate containing npn or MOS structures
US5285102A (en) * 1991-07-25 1994-02-08 Texas Instruments Incorporated Method of forming a planarized insulation layer
US5182627A (en) * 1991-09-30 1993-01-26 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Interconnect and resistor for integrated circuits
US5236857A (en) * 1991-10-30 1993-08-17 Texas Instruments Incorporated Resistor structure and process
EP0541122B1 (en) * 1991-11-08 1997-09-24 Nec Corporation Method of fabricating a semiconductor device with a polycrystalline silicon resistive layer
US5384278A (en) * 1992-11-16 1995-01-24 United Technologies Corporation Tight control of resistor valves in a SRAM process
US5395783A (en) * 1993-02-16 1995-03-07 Texas Instruments Incorporated Electronic device and process achieving a reduction in alpha particle emissions from boron-based compounds essentially free of boron-10
US5424239A (en) * 1994-02-01 1995-06-13 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating precisely matched polysilicon resistors

Also Published As

Publication number Publication date
EP0681320B1 (en) 2001-10-04
TW284913B (ko) 1996-09-01
DE69522992T2 (de) 2002-04-25
DE69522992D1 (de) 2001-11-08
JPH0846139A (ja) 1996-02-16
US5656524A (en) 1997-08-12
EP0681320A1 (en) 1995-11-08

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