KR950034098A - 자기저항성 헤드와 자기저항성 헤드를 제조하는 방법과 직접 액세스 저장장치 - Google Patents

자기저항성 헤드와 자기저항성 헤드를 제조하는 방법과 직접 액세스 저장장치 Download PDF

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Abstract

MR 헤드는 두 도선층과 전기적으로 접속되는 MR 박막을 포함하는 것으로, 두 도선층은 적어도 하나의 두께 및 저항에 대해 비대칭적이다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, MR 헤드는 얇은 도선층상을 확장하여 MR 박막상에서 종료하자만, 두꺼운 도선층상으로는 확장하지 않는 기록 극층을 포함한다. 본 발명의 다른 바람직한 실시예에서, 얇은 도선층은 단일-종단 전치 증폭회로와 접속되고, 두꺼운 도선층은 접지 또는 기준전압과 접속된다.

Description

자기저항성 헤드와 자기저항성 헤드를 제조하는 방법과 직접 액세스 저장장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 MR 헤드의 저면도, 제3도는 제2도에 도시된 MR 헤드의 단면도, 제4도는 차동 전치증폭회로가 구비된 제2도에 도시된 MR 헤드의 개략도.

Claims (21)

  1. 자기저항성 헤드(a magnetoresistive head)에 있어서, 절연층(an insulation layer)과; 상기 절연층상에 마련된 자기저항성 박막(a magnetoresistive film)과; 상기 절연층상에 마련되고, 상기 자기저항성 박막의 제1 단부와 전기적으로 접속되며, 자기매체(a magnetic medium)와 인접하여 위치되는 단부를 갖는 제1도선층(a first lead layer)과; 상기 절연층상에 마련되고, 상기 자시저항성 박막의 제2단부와 전기적으로 접속되며, 상기 자기매체와 인접하여 위치되는 단부를 구비하며, 이 단부의 두께가 상기 도선층의 상기 단부의 두께보다 사전 설정된 크기만큼 더 두꺼운 제2도선층을 포함하는 자기저항성 헤드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1도선층의 상기 단부의 상기 두께는 약 0.1미크론(microns)이거나 또는 0.1미크론 미만인 자기저항성 헤드.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1도선층의 상기 단부의 상기 두께는 상기 제2도선층의 상기 단부의 상기 두께의 약 1/2이거나 또 1/2 미만인 자기저항성 헤드.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1도선층은 상기 제1도선층의 상기 단부보다 더 두꺼운 두께를 갖는 계층 영역(a step portion)을 구비하는 자기저항성 헤드.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1도선층상을 확장하여 상기 자기저항성 박막상에서 종료하지만, 자신은 상기 제2도선층의 상기 단부상으로 확장하지 않는 기록 극층(a write pole layer)을 더 포함하는 자기저항성 헤드.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1도선층은 단일-종단 전치 증폭회로(a single-ended preamplification circuit)와 접속되는 자기 저항성 헤드.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2도선층은 접지(ground) 또는 기준전압(a reference voltage)과 접속되는 자기 저항성 헤드.
  8. 제5항에 있어서, 상기 제1 및 제2도선층은 각각 차동 전치 증폭기(a differential preamplifier)와 접속되는 자기저항성 헤드.
  9. 자기저항성 헤드에 있어서, 절연층과; 상기 절연층상에 마련된 자기 저항성 박막과; 상기 절연층상에 마련되고, 상기 자기저항성 박막의 제1단부와 전기적으로 접속되며, 자기매체와 인접하여 위치되는 단부를 구비하는 제1도선층과; 상기 절연층상에 마련되고, 상기 자기저항성 박막의 제2단부와 전기적으로 접속되며, 자체로 자기매체와 인접하여 위치되는 단부를 구비하고, 이 단부의 전기저항(an electrical resistance)이 상기 제1도선층의 전기저항보다 사진 설정된 크기만큼 더 적은 제2도선층을 포함하는 자기저항성 헤드.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1도선층은 단일-종단 전치 증폭회로와 접속되는 자기저항성 헤드.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제2도선층은 접지 또는 기준전압과 접속되는 자기저항성 헤드.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제2도선층의 상기 단부는 상기 제1도선층보다 더 두꺼운 두께를 갖는 자기저항성 헤드.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1도선층의 상기 단부의 상기 두께는 약 0.1미크론이거나 또는 0.1미크론 미만인 자기저항성 헤드.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1도선층의 상기 단부의 상기 두께는 상기 제2도선층의 상기 단부의 상기 두께의 약 1/2이거나 또는 1/2미만인 자기저항성 헤드.
  15. 제12항에 있어서, 상기 제1도선층상을 확장하여 상기 자기저항성 박막상에서 종료하지만, 자신은 상기 제2도선층의 상기 단부상으로 확장하지 않는 기록 극층을 더 포함하는 자기저항성 헤드.
  16. 자기저항성 헤드를 제조하는 방법에 있어서, (a) 자기저항성 박막을 절연층의 제1영역상에 증착(deposite)하는 단계와; (b) 제1도선층을 상기 절연층의 제2영역상에 증착하여,상기 제1도선층이 상기 자기저항성 박막의 제1단부와 전기적으로 접속되고, 상기 제1도선층은 자기매체와 인접하여위치되는 단부를 갖는 단계와; (c) 제2도선층을 상기 절연층의 제3영역상에 증착하여, 상기 제2도선층이 상기 자기저항성 박막의 제2단부와 전기적으로 접속되고, 상기 제2도선층은 상기 자기매체와 인접하여 위치되는 단부를 갖는 단계를 포함하며, 상기 제2도선층을 증착하는 상기 단계는 상기 제1도선층의 상기 단부보다 사전 설정된 크기만큼 더 두꺼운 두께를 갖도록 상기 제2도선층의 상기 단부를 형성하는 부단계(substep)를 포함하는 자기저항성 헤드를 제조하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 단계 (b)는, (b1)는 상기 제1도선층의 상기 단부보다 더 두꺼운 두께를 갖는 계층 영역을 상기 제1도선층에 형성하는 부단계를 포함하는 자기저항성 헤드를 제조하는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 제2도선층의 상기 단부의 상기 두께는 상기 제1도선층의 상기 계층 영역의 상기 두께와 거의 동일한 자기저항성 헤드를 제조하는 방법.
  19. 제16항에 있어서, (d) 상기 제1도선층상을 확장하여 상기 자기저항성 박막상에서 종료하는 기록 극층을 증착하여, 상기 기록 극층이 상기 제2도선층의 상기 단부상으로 확장하지 않는 단계를 더 포함하는 자기저항성 헤드를 제조하는 방법.
  20. 직접 액세스 저장장치(a direct access storage device)에 있어서, 하우징(housing)과; 상기 하우징에 장착되어 축(axis)을 중심으로 회전하는 적어도 하나의 디스크(at least one disk)와; 상기 축 주위로 한 형태(a pattern)로 배열되며,데이타를 상기 적어도 하나의 디스크 표면상에 저장하는 다수의 트랙(tracks)과; 자기 저항상성 헤드와; 상기 자기저항성 헤드와 동작가능하도록 접속되어, 상기 디스크의 상기 표면에 관하여 상기 자기저항성 헤드를 이동시키는 액츄에이터(an actuator)를 포함하며, 상기 자기저항성 헤드는, 절연층과, 상기 절연층상에 마련되는 자기저항성 박막(a magnetoresistive film)과, 상기 절연층상에 마련되고, 상기 자기저항성 박막의 제2단부와 전기적으로 접속되며, 상기 디스크의 상기 표면과 인접하여 위치되는 단부를 구비하며, 이 단부의 두께가 상기 제1도선의 상기 단부의 두께보다 더 두꺼운 제2도선층을 포함하는 직접 엑세스 저장장치.
  21. 자기저항성 헤드에 있어서, 자기저항성 박막과; 상기 자기저항성 박막의 제1단부와 전기적으로 접속되며, 자기매체와 인접하여 위치되는 단부를 갖는 제1도선층과; 상기 자기저항성 박막의 제2단부와 전기적으로 접속되고, 상기 자기매체와 인접하여 위치되는 단부를 구비하며, 이단부의 전기저항이 상기 제1도선층의 상기 단부의 전기저항보다 사전 설정된 크기만큼 더 적은 제2도선층과; 상기 제1도선층과 전기적으로 접속되는 단일 -종단 전치 증폭회로를 포함하는 자기저항성 헤드.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950013854A 1994-05-31 1995-05-30 자기저항 헤드와 자기저항 헤드 제조방법과 직접 액세스 저장 장치 KR0167816B1 (ko)

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