KR950034097A - 내열성이 개선된 자기저항효과소자 - Google Patents

내열성이 개선된 자기저항효과소자 Download PDF

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Abstract

도체층과 자성체층이 교호로 적층되어 이루어지는 인공격자막구조의 자기저항효과막, 또는 자성체층과 도체층과 자성체층이 이 순으로 적층되어 이루어지는 스핀벌브구조의 자기저항효과막에 있어서, 도체층의 주성분을 Cu, Ag, Cr에서 선택되는 원소로 하고, 이들 주성분인 원소에 대한 고용(固溶)상한이 실온에 있어서 1%이하의 첨가원소를 도체층에 0.1-30원자% 첨가시킨다. 또는, 자성체층의 주성분을 Fe, Co 또는 Ni 으로 하고, 이들 주성분인 원소에 대한 고용상한이 실온에 있어서 1% 이하의 첨가원소를 자성체층에 0.1~30원자% 첨가시킨다. 또한, 열전도율이 2W/mK이상인 기판을 사용하여 내열성을 개선할 수 있다.

Description

내열성이 개선된 자기저항효과소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명을 적용한 인공격자막구조의 자기저항효과막의 일예를 나타낸 요부 확대단면도, 제2도는 본발명을 적용한 자기저항효과막의 제작에 사용한 스피터링장치의 일구성예를 나타낸 개략사시도, 제3도는 도체층의 주성분이 Cu 인 인공격자막구조의 자기저항효과막에 열처리를 행했을 때의 자기저항변화율의 변화를 도체층에의 Ag의 첨가량을 변화시켜 측정한 결과를 나타낸 특성도.

Claims (30)

  1. 기판과, 자성체층과, 상기 기판과 상기 자성체층 사이에 배설되어 주성분을 가지는 도체층으로 이루어지는 자기저항소자에 있어서, 열전도율이 2W/mK 이하인 기판과 주성분에 잘 고용(固溶)되지 않는 첨가원소를 갖지 않은 도체층을 가지는 다른 유사한 소자에 비하여 소정 온도에 있어서 자기저항효과가 더 큰 것을 특징으로 하는 자기저항소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판의 열전도율이 2W/mK 이상인 것을 특징으로 하는 자기저항소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판의 열전도율이 4W/mK 이상인 것을 특징으로 하는 자기저항소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판의 열전도율이 17W/mK 이상인 것을 특징으로 하는 자기저항소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기판의 열전도율이 148W/mK 이상인 것을 특징으로 하는 자기저항소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 도체층은 상기 주성분에 잘 고용되지 않는 첨가원소로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기저항소자.
  7. 제1항에 있어서, 도체층의 주성분이 Cu이고, 도체층에 함유되는 첨가원소가 Ag, B, Bi, C, Co, Fe, Hg, Ir, Mo, Na, Nb, Pb, V, Pt, Zr에서 선택되는 원소인 것을 특징으로 하는 자기저항소자.
  8. 제1항에 있어서, 도체층의 주성분이 Ag이고, 도체층에 함유되는 첨가원소가 Be, Bi, Co, Cr, Cu, Fe, Ge, Ir, Ni, Pb, Si, U에서 선택되는 원소인 것을 특징으로 하는 자기저항소자.
  9. 기판과, 자성체층과, 상기 기판과 상기 자성체층을 분리하는 도체층으로 이루어지는 자기저항소자에 있어서, 290℃에 있어서 자기저항변화율이 3% 이상인 것을 특징으로 하는 자기저항소자.
  10. 기판과, 자성체층과, 상기 기판과 상기 자성체층을 분리하는 도체층으로 이루어지는 자기저항소자에 있어서, 상기 도체층은 주성분의 원소와 첨가원소로 이루어지고, 도체층에 첨가원소가 없는 유사한 소자보다 290℃에 있어서, 자기저항변화율이 더 큰 것을 특징으로 하는 자기저항소자.
  11. 기판과, 자성체층과, 상기 자성체층과 상기 기판을 분리하는 도체층으로 이루어지는 자기저항 소자에 있어서, 도체층이 Cu, Ag, Cr에서 선택되는 원소를 주성분으로 하고, 또한 이들 주성분인 원소에 대한 고용상한이 실온에 있어서 1.0% 이하의 첨가원소를 0.1~30원자% 함유하는 것을 특징으로 하는 자기저항효과소자.
  12. 제11항에 있어서, 상기 기판의 열전도율이 2W/mK 이상인 것을 특징으로 하는 자기저항효과소자.
  13. 제11항에 있어서, 상기 다층자기저항효과막이 상기 자성체막과 상기 도체막이 교호로 적층된 인공격자막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기저항효과소자.
  14. 제11항에 있어서, 상기 다층자기저항효과막이 상기 자성체막과 상기 도체막이 이 순으로 적층된 스핀벌브막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기저항효과소자.
  15. 제11항에 있어서 도체층의 주성분이 Cu이고, 도체층에 함유되는 첨가원소가 Ag, B, Bi, C, Co, Fe, Hg, Ir, Mo, Na, Nb, Pb, V, Pt, Zr에서 선택되는 원소인 것을 특징으로 하는 자기저항효과소자.
  16. 제11항에 있어서, 도체층의 주성분이 Ag이고, 도체층에 함유되는 첨가원소가 Be, Bi, Co, Cr, Cu, Fe, Ge, Ir, Ni, Pb, Si, U에서 선택되는 원소인 것을 특징으로 하는 자기저항효과소자.
  17. 자성체층과 도체층으로 이루어지는 다층자기저항효과막이 기판상에 형성되어 이루어지는 자기저항효과소자에 있어서, 자성체층이 Fe, Co 또는 Ni을 주성분으로 하고, 또한 이들 주성분인 원소에 대한 고용상한이 실온에 있어서 1% 이하의 첨가원소를 0.1~30원자% 함유하는 것을 특징으로 하는 자기저항효과소자.
  18. 제17항에 있어서, 상기 기판의 열전도율이 2W/mK 이상인 것을 특징으로 하는 자기저항효과소자.
  19. 제17항에 있어서, 상기 다층자기저항효과막이 상기 자성체막과 상기 도체막이 교호로 적층된 인공격자막으로 이루어지는 것을특징으로 하는 자기저항효과소자.
  20. 제17항에 있어서, 상기 다층자기저항효과막이 상기 자성체막과 상기 도체막이 이 순으로 적층된 스핀벌브막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기저항효과소자.
  21. 제17항에 있어서, 자성체층에 첨가되는 첨가원소가 Ag, B, Bi, C, Cr, Co, Fe, Hg, Ir, Mo, Na, Nb, Pb, V, Pt, Zr에서 선택되는 원소인 것을 특징으로 하는 자기저항효과소자.
  22. 자성체층과 도체층으로 이루어지는 다층자기저항효과막이 기판상에 형성되어 이루어지는 자기저항효과소자에 있어서, 상기 기판의 열전도율이 2W/mK 이상인 것을 특징으로 하는 자기저항효과소자.
  23. 제22항에 있어서, 상기 기판의 열전도율이 2W/mK 이상인 것을 특징으로 하는 자기저항효과소자.
  24. 제22항에 있어서, 상기 기판의 열전도율이 4W/mK 이상인 것을 특징으로 하는 자기저항효과소자
  25. 제22항에 있어서, 상기 기판의 열전도율이 17W/mK 이상인 것을 특징으로 하는 자기저항효과소자
  26. 제22항에 있어서, 상기 기판의 열전도율이 148W/mK 이상인 것을 특징으로 하는 자기저항효과소자
  27. 제22항에 있어서, 상기 소자는 상기 자성체막과 상기 비자성막이 교호로 적층된 인공격자막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기저항효과소자.
  28. 제22항에 있어서, 상기 소자는 상기 자성체막, 상기 비자성막, 상기 자성체막이 이 순으로 적층된 스핀벌브막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기저항효과소자.
  29. 제22항에 있어서, 상기 비자성막이 Cu, Ag, Cr에서 선택되는 최소한 1종을 주성분으로 하는 것임을 특징으로 하는 자기저항효과소자.
  30. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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