KR950031994A - 유리 납산화물이 없는 납 페로브스카이트 기재의 세라믹 조성물 - Google Patents
유리 납산화물이 없는 납 페로브스카이트 기재의 세라믹 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950031994A KR950031994A KR1019950000442A KR19950000442A KR950031994A KR 950031994 A KR950031994 A KR 950031994A KR 1019950000442 A KR1019950000442 A KR 1019950000442A KR 19950000442 A KR19950000442 A KR 19950000442A KR 950031994 A KR950031994 A KR 950031994A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- bacuo
- precursor
- oxide
- sintering
- composition
- Prior art date
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract 9
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract 3
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract 11
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract 10
- FFWQPZCNBYQCBT-UHFFFAOYSA-N barium;oxocopper Chemical compound [Ba].[Cu]=O FFWQPZCNBYQCBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 4
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
- C04B35/497—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1254—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
본 발명은 소결보조제로서 일반식 BaCuO2의 바륨구리산화물과 혼합되어 있는 Pb(Mg⅓Nb⅔)O3또는 이것의 산화전구물질을 포함하는 세라믹 조성물을 제공한다.
본 발명의 조성물은 여하한 납 산화물도 함유하지 않고, 유전율이, 예를 들어 8000 이상으로 높고, 그리고 유전손율도, 예를 들어, 3%이하로 낮다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (16)
- 소결보조제로 작용하는 일반식 BaCuO2의 바륨구리산화물과 혼합되어 있는 Pb(Mg⅓Nb⅔)O3또는 이것의 산화전구물질을 포함하고, BaCuO2의 소결보조제 대 Pb(Mg⅓Nb⅔)O3또는 이것의 산화전구물질의 중량비는 0.0033 내지 0.01 : 1인 세라믹 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 조성물은 적어도 하나의 큐리점 쉬프터를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
- 제2항에 있어서, 큐리점 쉬프터는 PbTiO3, Pb(Zn⅓Nb⅔)O3또는 Pb(Fe½Nb½) O3인 것을 특징으로 하는 조성물.
- 제2항 또는 제3항에 있어서, 큐리점 쉬프터는 Pb(Mg⅓Nb⅔)O3또는 이것의 산화전구밀전을 기준으로 20중량%까지의 양으로 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 조성물.
- 일반식 BaCuO2의 바륨구리산화물을 소결보조제로 사용하는 것으로 이루어지며, BaCuO2소결보조제 대 Pb(Mg⅓Nb⅔)O3또는 이것의 산화전구물질의 중량비는 0.0033 내지 0.01 : 1인, Pb(Mg⅓Nb⅔)O3또는 이것의 산화 전구물질의 소결방법.
- 제5항에 있어서, Pb(Mg⅓Nb⅔)O3또는 이것의 산화 전구물질은 1050℃ 이하의 온도에서 소결되는 것을 특징으로 하는 소결방법.
- 제5항에 있어서, Pb(Mg⅓Nb⅔)O3또는 이것의 산화 전구물질은 적어도 하나의 큐리점 쉬프터를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 소결방법.
- 제7항에 있어서, 큐리점 쉬프터는 PbTiO3, Pb(Zn⅓Nb⅔)O3또는 Pb(Fe½Nb½)O3인 것을 특징으로 하는 소결방법.
- Pb(Mg⅓Nb⅔)O3또는 이것의 산화 전구물질 대 일반식 BaCuO2의 바륨구리산화물인 소결보조제의 중량비를 0.0033 내지 0.01 : 1로 하고서 전자를 후자와 함께 소결함으로써 제조되는 실질적으로 여하한 납산화물도 없는 소결 세라믹체.
- 제9항에 있어서, 상기 소결 세라믹체는 적어도 하나의 큐리점 쉬프터를 포함하는 것을 특징으로 하는 소결 세라믹체.
- 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 소결 세라믹체는 유전율이 8000이상이고 유전 탄젠트는 3%이하인 소결 세라믹체.
- 소결보조제로 작용하는 일반식 BaCuO2의 바륨구리산화물과 혼합되어 있는 Pb(Mg⅓Nb⅔)O3또는 이것의 산화전구물질을 포함하고, BaCuO2소결보조제 대 Pb(Mg⅓Nb⅔)O3또는 이것의 산화전구물질의 중량비는 0.0033 내지 0.01 : 1인 세라믹 조성물의 소성 유전층 및 융점 1180℃ 이하의 금속 또는 합금제 내부전극을 구비하는 다층 커패시터.
- 제12항에 있어서, 내부전극은 은팔라듐 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층 커패시터.
- 제13항에 있어서, 내부전극은 70% 은/30% 팔라듐 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층 커패시터.
- 제13항에 있어서, 내부전극은 90% 은/10% 팔라듐 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층 커패시터.
- 제13항 또는 제14항에 있어서, 유전층들은 각기 그 두께가 0.001인치 또는 그 미만인 것을 특징으로 하는 다층 커패시터.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW088109520A TW372947B (en) | 1994-01-13 | 1995-01-12 | Lead perovskite based ceramic compositions without any free lead oxide |
TW084100230A TW369514B (en) | 1994-01-13 | 1995-01-12 | A method of sintering Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 or the oxide precursors thereof without using lead oxide |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/182,705 US5461014A (en) | 1994-01-13 | 1994-01-13 | Lead perovskite based ceramic compositions without any free lead oxide |
US08/182705 | 1994-01-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950031994A true KR950031994A (ko) | 1995-12-20 |
Family
ID=22669655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950000442A KR950031994A (ko) | 1994-01-13 | 1995-01-12 | 유리 납산화물이 없는 납 페로브스카이트 기재의 세라믹 조성물 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5461014A (ko) |
EP (1) | EP0663375B1 (ko) |
JP (1) | JPH07309661A (ko) |
KR (1) | KR950031994A (ko) |
AT (1) | ATE164370T1 (ko) |
DE (1) | DE69501833T2 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100645753B1 (ko) * | 2001-05-29 | 2006-11-13 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 압전 자기 조성물, 압전 세라믹 소자 및 압전 자기조성물의 제조방법 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5704810A (en) * | 1994-02-03 | 1998-01-06 | Nippon Carbide Kogyo Kabushiki Kaisha | Electrical connector with filter |
DE4436392C2 (de) * | 1994-10-12 | 2002-10-31 | Fraunhofer Ges Forschung | Metallniobate und/oder Tantalate, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie deren Weiterverarbeitung zu Perowskiten |
US5792379A (en) * | 1997-03-27 | 1998-08-11 | Motorola Inc. | Low-loss PZT ceramic composition cofirable with silver at a reduced sintering temperature and process for producing same |
US5872071A (en) * | 1997-10-07 | 1999-02-16 | National Science Council | Low-fire dielectric composition and its use in laminated microwave dielectric ceramic elements |
US6011683A (en) * | 1997-12-29 | 2000-01-04 | Texas Instruments Incorporated | Thin multilayer ceramic capacitors |
CN112090421A (zh) * | 2020-09-01 | 2020-12-18 | 山西晋环科源环境资源科技有限公司 | 一种钙钛矿型锆酸钙复合材料的制备方法及应用 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2736688C2 (de) * | 1977-08-16 | 1986-02-20 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zur Herstellung eines Dielektrikums mit Perowskitstruktur |
US4287075A (en) * | 1978-04-17 | 1981-09-01 | Tdk Electronics Co., Ltd. | High dielectric constant type ceramic composition consisting essentially of Pb(Fe1/2 Nb1/2)O3 -Pb(Mg1/3 Nb2/3)O3 -Pb(Mg1/2 W1/2)O3 |
JPS55119306A (en) * | 1979-03-07 | 1980-09-13 | Tdk Electronics Co Ltd | High dielectric porcelain composition |
GB2126575B (en) * | 1982-08-03 | 1985-11-13 | Standard Telephones Cables Ltd | Ceramic capacitors and dielectric compositions |
GB2179037A (en) * | 1985-08-14 | 1987-02-25 | Stc Plc | Dielectric compositions |
US5011803A (en) * | 1990-01-10 | 1991-04-30 | Kemet Electronics Corporation | Lead magnesium niobate ceramic dielectrics having low sintering temperatures |
WO1992000930A1 (en) * | 1990-07-13 | 1992-01-23 | Cookson Group Plc | Sintering aid |
JPH04188504A (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
GB9025802D0 (en) * | 1990-11-28 | 1991-01-09 | Cookson Group Plc | Improved sintering aid |
-
1994
- 1994-01-13 US US08/182,705 patent/US5461014A/en not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-01-11 EP EP95300155A patent/EP0663375B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-01-11 DE DE69501833T patent/DE69501833T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-01-11 AT AT95300155T patent/ATE164370T1/de not_active IP Right Cessation
- 1995-01-12 KR KR1019950000442A patent/KR950031994A/ko not_active Application Discontinuation
- 1995-01-12 JP JP7003158A patent/JPH07309661A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100645753B1 (ko) * | 2001-05-29 | 2006-11-13 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 압전 자기 조성물, 압전 세라믹 소자 및 압전 자기조성물의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07309661A (ja) | 1995-11-28 |
DE69501833D1 (de) | 1998-04-30 |
US5461014A (en) | 1995-10-24 |
EP0663375B1 (en) | 1998-03-25 |
DE69501833T2 (de) | 1998-10-22 |
ATE164370T1 (de) | 1998-04-15 |
EP0663375A1 (en) | 1995-07-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR920702797A (ko) | 강 유전체를 구비한 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
KR920018788A (ko) | 자기콘덴서 및 그 제조방법 | |
US5036424A (en) | Multilayer ceramic capacitive element | |
KR100203928B1 (ko) | 모놀리틱 세라믹 커패시터 및 이의 제조 방법 | |
EP0986076A3 (en) | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic parts | |
KR860008955A (ko) | 세라믹 조성물 및 그 제조 방법 | |
KR950031994A (ko) | 유리 납산화물이 없는 납 페로브스카이트 기재의 세라믹 조성물 | |
US4752858A (en) | Multi-layer ceramic capacitor | |
US4985381A (en) | Dielectric ceramic composition | |
JPH025019B2 (ko) | ||
US5231558A (en) | Multilayer ceramic capacitor and method of manufacture thereof | |
US3160944A (en) | Electrical circuit elements | |
KR940022598A (ko) | 유전분체적층 콘덴서의 제조법 | |
JP2705221B2 (ja) | セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
CA1255891A (en) | Ceramic composition for dielectric in multilayer capacitors | |
JP2853088B2 (ja) | 複合容量を有するセラミックブロック | |
JP2850355B2 (ja) | セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
JP3039117B2 (ja) | 積層型粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサ | |
KR880004509A (ko) | 후막 커패시터 | |
SU1021676A1 (ru) | Керамический материал | |
KR930014639A (ko) | 입계형 반도성 자기 콘덴서 | |
KR940002878A (ko) | 적층형 세라믹 커패시터의 제조방법 | |
KR930012638A (ko) | 티탄산바륨계 고유전율 세라믹 유전체 조성물 | |
JPH0244691A (ja) | エレクトロルミネセンス発光素子の製造方法 | |
KR930012634A (ko) | 산화지르코늄, 산화망간 및 산화동을 함유한 고유전율 티탄산 바륨계 세라믹 유전체 조성물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |