KR880004509A - 후막 커패시터 - Google Patents

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KR880004509A
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다까아끼 야쓰모도
오사무 후루까와
노부오 이와세
미쯔오 하라다
마사오 세가와
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가부시끼가이샤 도시바
아오이죠이찌
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Abstract

내용 없음

Description

후막 커패시터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 구체적 실시예에 따른 후막 커패시터의 단면도.
제2도는 본 발명의 다른 구체적 실시예에 따른 후막 커패시터의 소결하기전 상태의 단면도.
제3도는 본 발명의 또 다른 구체적 실시예에 따른 후막 커패시터의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1,11 : 기판 2a,2b : 전극
3,3a,3b : 강유전체층 4 : 후막 커패시터
5 : 팁 커패시터 12a,12b : 전극용 금속 페이스트
13a,13b : 강유전체 페이스트
14 : 무기 바인더를 첨가하지 않은 강유전체 페이스트

Claims (14)

  1. 퍼로브스카이트 구조로된 강유전체 무기 화합물과 강유전체 무기 화합물의 소결 온도이하에서 액상이 되는 공정 조성을 갖는 무기 바인더로 된 강유전체 소결층과, 이 강유전체 소결층 양면에 적어도 두개의 전극을 구비한 것을 특징으로 하는 후막 커패시터.
  2. 제1항에 있어서, 강유전체 소결층내에서 무기 바인더가 강유전체 무기 화합물의 입계에 존재하는 것을 특징으로 하는 후막 커패시터.
  3. 제1항에 있어서, 강유전체 소결층내에서 무기 바인더가 강유전체로 무기 화합물의 결정내로 확산되는 것을 특징으로 하는 후막 커패시터.
  4. 제1항에 있어서, 강유전체 소결층내에서 무기 바인더는 강유전체 무기 화합물의 입계 및 결정내에 존재하는 것을 특징으로 하는 후막 커패시터.
  5. 제1항에 있어서, 강유전체 무기 화합물들은 Pb(Fe1/2Nb2/3)O3-Ba(Cu1/2W1/2)O3, BaTiO3, PbTiO3및 (Pb,Ba) {(Zn1/3Nb2/3)(Mg1/3Nb2/3)Ti}O3로 구성된 화합물 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 후막 커패시터.
  6. 제1항에 있어서, 무기 바인더는 PbO-CuO, PbO-WO3, PbO-Nb2O5, PbO-Fe2O3, PbO-ZnO, PbO-TiO2, PbO-CaO, PbO-Sb2O3, BaO-WO3, Nb2O3-TiO2, TiO-MgO 및 PbO-MgO로 구성된 공전 조성물 그룹으로 선택되는 것을 특징으로 하는 후막 커패시터.
  7. 제6항에 있어서, 무기 바인더는 소결되는 동안 산화에 의해서 공정 조성물로 변환되는 조성물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 후막 커패시터.
  8. 제1항에 있어서, 강유전체 소결층은 무기 바인더를 소량 함유한 중간층과 그 중간층 위와 아래에 형성되며 무기 바인더를 대량 함유한 층들로된 것을 특징으로 하는 후막 커패시터.
  9. 절연기판상에 형성된 제1금속 전극층과, 제1전극층 상에 직접 쌓아올려지며 퍼로브스카이트 구조를 갖는 강유전체 무기 화합물 및 강유전체 무기 화합물들의 소결 온도 이하에서 액상이 되는 공정 조성을 갖는 무기 바인더로 주로 구성된 강유전체 소결층과, 및 강유전체 소결층 상에 직접 형상된 제2금속 전극층을 구비한 것을 특징으로 하는 후막 커패시터.
  10. 제9항에 있어서, 절연 기판과 제1금속 전극층 사이에 개재된 강유전체 소결층을 또한 구비한 것을 특징으로 하는 후막 커패시터.
  11. 절연기판상에 헝성된 제1금속 전극층과, 제1금속 전극층 상에 직접 쌓아올려지며 퍼로브스카이트 구조를 갖는 강유전체 무기 화합물 및 강유전체 무기 화합물의 소결 온도이하에서 액상이 되는 공정 조성을 갖는 무기 바인더로 주로 구성된 강유전체 소결층과, 및 강유전체 소결층 상에 직접 형성된 제2의 금속 전극층을 구비한 후막 커패시터에 있어서, 후막 커패시터를 원하는 소정의 크기의 팁으로 잘라서 된 것을 특징으로 하는 후막 커패시터.
  12. 제11항에 있어서, 강유전체 소결층과 제2금속 전극층으로 구성된 적어도 하나의 다층 구조체를 제2의 금속 전극층상에 쌓아서 된 것을 특징으로 하는 후막 커패시터.
  13. 제11항에 있어서, 절연기판과 제1금속 전극층 사이에 개재된 강유전체 소결층을 구비한 것을 특징으로 하는 후막 커패시터.
  14. 후막법으로 제조된 제1항에 따른 후막 커패시터를 고온에서 에이징 처리하여 얻어지는 것을 특징으로 하는 후막 커패시터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870010596A 1986-09-24 1987-09-24 후막 커패시터 KR900005443B1 (ko)

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JP225532 1986-09-24
JP22553286 1986-09-24
JP61-225532 1986-09-24
JP253208 1986-10-24
JP25320886 1986-10-24
JP61-253208 1986-10-24
JP62-72105 1987-03-26
JP62072105A JPS63226013A (ja) 1986-09-24 1987-03-26 厚膜コンデンサの製造方法
JP72105 1987-03-26

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KR880004509A true KR880004509A (ko) 1988-06-07
KR900005443B1 KR900005443B1 (ko) 1990-07-30

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100379771B1 (ko) * 2000-10-06 2003-04-11 한국과학기술연구원 고분자 물질을 이용한 유전체 후막 제조 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100379771B1 (ko) * 2000-10-06 2003-04-11 한국과학기술연구원 고분자 물질을 이용한 유전체 후막 제조 방법

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KR900005443B1 (ko) 1990-07-30

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