KR950028089A - 다중처리 소성/냉각 장치 - Google Patents
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Abstract
반도체 웨이퍼를 처리하는 다중 처리 소성/냉각 장치이며, 대략 웨이퍼의 직경과 같은 개방 밑을 가진 절연 하우징, 하우징 안쪽의 일련의 수직 가스흐름통로를 가진 가열소성판, 가스흐름통로와 교통하는 소성판과 하우징간의 충만실, 충만실과 교통하는 하우징의 통기공, 웨이퍼를 그것이 소성판에 근접한 상태에 있는때 가두는 차폐물, 소성판 아래의 냉각판, 및 웨이퍼를 소성판과 냉각판 간에 이동시키는 리프트로 이루어진다. 본 발명은 웨이퍼를 단지 최소로 다룸에 의하여 간의 기계적 이동의 범위를 최소화함에 의하여 제조공정의 일정시간의 처리량을 증대시키고, 소성 사이클과 냉각 사이클의 시간의 정확한 제어를 허락하며, 또, 웨이퍼와 소성판간의 공기 이동을 최소화함에 의하여 균일 가열의 웨이퍼를 산출한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 개략도;
제2도는 본 발명의 내부구조를 보이는 사시도;
제3도는 제2도의 3-3선의 단면도;
제4도는 제2도의 4-4선의 단면도; 그리고
제5도는 다섯의 소성/냉각 장치를 지닌 모듈의 약도이다.
Claims (8)
- 반도체 웨이퍼 처리 장치로서, 웨이퍼 지지수단이 웨이퍼를 받아들여 사실상 수평으로 놓이도록 향하게 하고, 웨이퍼의 부분을 균일하게 가열하는 웨이퍼 가열 수단이 일반적으로 편평한 표면부를 함유하여 웨이퍼가 상기 가열 수단과 근접한 상태에 가져와 질때, 밀접하여 사이띄인 관계의 상태로 웨이퍼를 직면하게 되고; 웨이퍼의 부분을 균일하게 냉각하는 웨이퍼 냉각수단이 일반적으로 편평한 표면부를 함유하여 웨이퍼가 상기 냉각수단과 근접한 상태에 가져와질때, 밀접하여 사이띄인 관계의 상태로 웨이퍼를 직면하게 되고 상기 가열수단과 상기 냉각 수단은 하나가 다른 것의 위로 사실상 위치되고 있으며; 리프트 수단이 상기 웨이퍼 지지수단과 접속되어 웨이퍼를 수직으로 맞추므로, 웨이퍼가 교대로 상기 가열수단 및 상기 냉각수단과 근접하여 가져와지는, 다중처리 소성/냉각 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 가열수단이 사실상 상기 냉각 수단의 위로 배치된 다중처리 소성/냉각 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 가열수단이 또한, 절연 하우징이 상기 평행한 표면을 가두고 있고; 상기 하우징은 개방 밑을 함유하고 있고 또 복수의 통기공을 또한 가진 상벽을 가진 윗부분을 함유하고 있으며, 상기 개방밑이 웨이퍼와 대략 같은 직경이고; 상기 편평 표면이 소성판의 밑표면이고 상기 소성판이 전기 저항 가열기를 가지고 있고 또 그를 통하는 복수의 수직으로 연장하는 가스흐름 통로를 가지고 있으며, 상기 소정판이 그들 상기 하우징의 상벽으로부터 사이띄어지고, 상기 충만실이 상기 하우징의 통기공과 또 상기 가스흐름통로와 교통하며; 그리고 웨이퍼가 상기 소성판이 수직 근접상태로 가져와 지는때 웨이퍼를 가두는 하향으로 연장하는 차폐물에 의해 웨이퍼가 문으로서 작용하고, 상기 충만실이 상기 차폐물의 내측 벽을 따라 연장하고, 상기 차폐물이 상기 충만실과 교통하는 복수의 작은 구멍을 가진, 다중처리 소성/냉각 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 냉각수단이 냉각유체의 순환을 위해 그를 통하는 통로를 가진 냉각판을 더 함유하고, 웨이퍼를 지지하기 위해 그의 윗표면에 복수의 지지핀을 가지고 있는 다중처리 소성/냉각 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 리프트 수단이 리프트와 상기 냉각 판 아래에 배치된 리프트 플랫폼을 더 함유하고, 상기 웨이퍼 지지수단이 복수의 사실상 수직 지주를 포함하며, 각각의 상기 지주가 웨이퍼를 지지하는 절연선단을 가지고 있고, 상기 냉각판이 그를 통하는 일련의 시실상 수직 통로를, 상기 냉각 판을 상기 지주들의 이동을 수용하기 위해 가지고 있는 다중체 소성/냉각 장치.
- 제5항에 있어서, 웨이퍼가 상기 소정판에 근접한 상태일때 웨이퍼와 상기 소성판간의 수직 이탈이 0.010인치 미만이며, 웨이퍼가 상기 냉각판에 근접한 상태 일때 웨이퍼와 상기 냉각판 간의 수직이탈이 0.010인치 미만인 다중 소성/냉각장치.
- 반도체 웨이퍼 처리장치로서, 복수의 사실상 수직 지주가 웨이퍼를 받아들여 사실상 수평으로 놓이도록 향하게 하고; 상기 지주들과 접속된 리프트가 상기 지주상의 웨이퍼를 올리고 내리고; 가열을 위해 웨이퍼를 받아들이는 상기 지주위로 절연하우징이 배치되고, 상기 하우징이 개방 밑을 가지며 복수의 통기공을 가진 윗부분을 함유하고, 상기 위부분이 상벽을 또한 가지고, 상기 밑 구멍이 웨이퍼와 대략같은 직경이고, 상기 하우징은 하향으로 연장하는 차폐물의 수단에 의해 그에 한정하고 있고, 소성판이 웨이퍼와 대면하는 사실상 편평한 밑표면을 가지고, 상기 소성판의 전기 저항 가열기를 가지며, 또 복수의 수직으로 연장하는 그를 통한 가스흐름 통로를 가지고, 상기 소성판은 상기 하우징의 상벽으로부터 그들 사이에 충만실을 형성하도록 사이띄어 있고, 상기 충만실이 상기 하우징의 통기공과 또 상기 가스흐름통로와 교통하고, 상기 충만실이 상기 차폐물의 내측벽을 따라 또한 연장하며, 상기 차폐물은 상기 충만실과 교통하는 복수의 작은 구멍을 가지고; 냉각판이 상기 소성판 아래에 배치되고, 상기 냉각판은 냉각유체의 순환을 위해 그를 통하는 통로를 가지고 또 웨이퍼를 지지하기 위해 그의 윗표면에 복수의 지지핀을 가지며, 상기 냉각 판이 상기 냉각판을 통한 상기 지주의 이동을 수용하기 위해 그를 통하는 복수의 사실상 수직 통로를 가지며; 상기 리프트는 상기 냉각판 아래에 배치되고 있고, 상기 리프트는 상기 지주에 고정된 수평의 리프트 플랫폼을 가지고 있어 웨이퍼를 올리고 내릴수 있으므로 웨이퍼가 교대로 상기 소성판 및 상기 냉각판에 근접 상태로 되는, 다중처리 소성/냉각 장치.
- 제7항에 있어서, 웨이퍼가 상기 소성판에 근접한 상태인 때 웨이퍼와 상기 소성판 간의 수직이탈이 0.010인치 미만이며, 웨이퍼가 상기 냉각판에 근접한 상태인때 웨이퍼와 상기 냉각판 간의 수직 이탈이 0.010인치 미만인 다중처리 소성/냉각 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US220,235 | 1994-03-30 | ||
US08/220235 | 1994-03-30 | ||
US08/220,235 US5431700A (en) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | Vertical multi-process bake/chill apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950028089A true KR950028089A (ko) | 1995-10-18 |
KR0184922B1 KR0184922B1 (ko) | 1999-03-20 |
Family
ID=22822673
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950007077A KR0184922B1 (ko) | 1994-03-30 | 1995-03-30 | 다중처리 소성/냉각 장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5431700A (ko) |
EP (1) | EP0675526B1 (ko) |
JP (1) | JPH07335659A (ko) |
KR (1) | KR0184922B1 (ko) |
DE (1) | DE69528101T2 (ko) |
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- 1994-03-30 US US08/220,235 patent/US5431700A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-03-29 DE DE69528101T patent/DE69528101T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-03-29 EP EP95400699A patent/EP0675526B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-30 JP JP7073219A patent/JPH07335659A/ja active Pending
- 1995-03-30 KR KR1019950007077A patent/KR0184922B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69528101D1 (de) | 2002-10-17 |
EP0675526B1 (en) | 2002-09-11 |
JPH07335659A (ja) | 1995-12-22 |
KR0184922B1 (ko) | 1999-03-20 |
DE69528101T2 (de) | 2003-05-22 |
EP0675526A1 (en) | 1995-10-04 |
US5431700A (en) | 1995-07-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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