KR950026865A - 1,3,6-트리알킬하이드로-1,3,6-트리아조신-2-온 및 그의 제조방법 - Google Patents

1,3,6-트리알킬하이드로-1,3,6-트리아조신-2-온 및 그의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950026865A
KR950026865A KR1019950003539A KR19950003539A KR950026865A KR 950026865 A KR950026865 A KR 950026865A KR 1019950003539 A KR1019950003539 A KR 1019950003539A KR 19950003539 A KR19950003539 A KR 19950003539A KR 950026865 A KR950026865 A KR 950026865A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
represented
general formula
trialkylhexahydro
trialkyldiethylenetriamine
here
Prior art date
Application number
KR1019950003539A
Other languages
English (en)
Inventor
히로시 나루세
히데키 미즈타
신이치 우메다
데루유키 나가타
Original Assignee
사또오 아키오
미쓰이도오아쓰 가가쿠 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 사또오 아키오, 미쓰이도오아쓰 가가쿠 가부시키가이샤 filed Critical 사또오 아키오
Publication of KR950026865A publication Critical patent/KR950026865A/ko

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D255/00Heterocyclic compounds containing rings having three nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D249/00 - C07D253/00
    • C07D255/02Heterocyclic compounds containing rings having three nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D249/00 - C07D253/00 not condensed with other rings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration

Landscapes

  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Nitrogen And Oxygen As The Only Ring Hetero Atoms (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)

Abstract

본 발명은 일반식(1)로 표시되는 1, 3, 6-트리알킬헥사하이드로-1, 3, 6-트리아조신-2-온, 및 요소, 포스겐 또는 이산화탄소와 일반식(2)로 표시되는 N,N′,N″-트리알킬디에틸렌트리아민을 반응시킴을 포함하는 일반식(1)로 표시되는 1, 3, 6-트리알킬헥사하이드로-1, 3, 6-트리아조신-2-온의 제조방법에 관한 것이다.
여기서, R은 C1~C8알킬기이다.

Description

1, 3, 6-트리알킬하이드로-1, 3, 6-트리아조신-2-온 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 1, 3, 6-트리메틸헥사하이드로-1, 3, 6-트리아조신-2-온의 IR 스펙트럼을 나타내는 그래프이고,
제2도는 1, 3, 6-트리-n-프로필헥사하이드로-1, 3, 6-트리아조신-2-온의 IR 스펙트럼을 나타내는 그래프이고,
제3도는 1, 3, 6-트리-n-부틸헥사하이드로-1, 3, 6-트리아조신-2-온의 IR 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.

Claims (6)

  1. 하기 일반식(1)료 표시되는 1, 3, 6-트리알킬헥사하이드로-1, 3, 6-트리아조신-2-온:
    여기서, R은 C1~C8알킬기이다.
  2. 하기 일반식(2)로 표시되는 N,N′,N″-트리알킬디에틸렌트리아민을 요소, 포스겐(phosgene) 또는 이산화탄소와 함께 반응시키는 것을 포함하는 일반식(1)로 표시되는 1, 3, 6-트리알킬헥사하이드로-1, 3, 6-2-온의 제조방법:
    여기서, R은 C1~C8알킬기이다.
  3. 일반식(2)로 표시되는 N,N′,N″-트리알킬디에틸렌트리아민과 요소를 반응시킴을 포함하는 일반식(1)로 표시되는 1, 3, 6-트리알킬헥사하이드로-1, 3, 6-트리아조신-2-온의 제조방법:
    여기서, R은 C1~C8알킬기이다.
  4. 제2항에 있어서, 반응이 1단계에서는 160℃ 이하, 2단계에서는 200℃ 이상의 온도에서 진행되는 제조방법.
  5. 제2항에 있어서, 요소에 대한 N,N′,N″-트리알킬디에틸렌트리아민의 몰비가 1.2~1.7인 제조방법.
  6. 제2항에 있어서, 반응이 용매없이 진행되는 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950003539A 1994-03-01 1995-02-23 1,3,6-트리알킬하이드로-1,3,6-트리아조신-2-온 및 그의 제조방법 KR950026865A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP94-31174 1994-03-01
JP3117494 1994-03-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR950026865A true KR950026865A (ko) 1995-10-16

Family

ID=12324085

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950003539A KR950026865A (ko) 1994-03-01 1995-02-23 1,3,6-트리알킬하이드로-1,3,6-트리아조신-2-온 및 그의 제조방법
KR1019950003663A KR100330996B1 (ko) 1994-03-01 1995-02-24 반도체기억장치

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950003663A KR100330996B1 (ko) 1994-03-01 1995-02-24 반도체기억장치

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0670316B1 (ko)
KR (2) KR950026865A (ko)
CN (1) CN1058488C (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012019149A1 (de) 2012-09-27 2014-03-27 Epg (Engineered Nanoproducts Germany) Ag Robustes, von der Einwirkung katalytisch aktiver Substanzen unabhängiges Bindemittel zur Anwendung in der Öl und Gas fördernden Industrie
DE102012019150A1 (de) 2012-09-27 2014-03-27 Epg (Engineered Nanoproducts Germany) Ag Bindemittel für die Verfestigung von Formationen bei der Erdöl- und Erdgasproduktion
KR101974388B1 (ko) 2017-06-23 2019-05-02 (주)에니켐텍 알킬 디에틸렌 트리아민 유도체 및 이의 제조방법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1184766B (de) * 1962-06-15 1965-01-07 Bayer Ag Verfahren zur Herstellung von cyclischen Harnstoffen
DE2952125A1 (de) * 1979-12-22 1981-06-25 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zur herstellung von 3,5-bis-carbalkoximethyl-1,3,5-triaza-2,4,6-trioxocycloheptanen

Also Published As

Publication number Publication date
KR950034774A (ko) 1995-12-28
EP0670316B1 (en) 1997-09-03
CN1058488C (zh) 2000-11-15
EP0670316A1 (en) 1995-09-06
KR100330996B1 (ko) 2002-08-14
CN1111624A (zh) 1995-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950003267A (ko) 아미노-치환된 티오에테르의 제조방법
KR830005286A (ko) 실라잔 폴리머의 제조방법
DE59810363D1 (de) Verfahren zur herstellung von triazolinthion-derivaten
KR950008489A (ko) 1,3,5-트리아진의 제조방법
KR970065513A (ko) N-메틸-n'-니트로구아니딘의 제조 방법
KR860008144A (ko) 1,3- 디알킬 -2- 이미다졸리디논의 제조방법
KR950026865A (ko) 1,3,6-트리알킬하이드로-1,3,6-트리아조신-2-온 및 그의 제조방법
KR940018368A (ko) 알킬 2-알킬-4-플루오로메틸티아졸카르복실레이트의 제조방법
KR920019757A (ko) 1-카르바모일피라졸의 제법
KR940019719A (ko) 트리알킬실릴 니트릴의 제조방법
KR960007572A (ko) 1,2,4- 트리아진-3,5-디온의 제조방법
KR940002224A (ko) 2-클로로-5-아미노메틸-피리딘의 제조방법
KR960029324A (ko) 5-치환된 2-클로로피리딘의 제조방법
KR930009994A (ko) 3-펜옥시-1-아제티딘카복스아미드를 합성하는 우레아융합법
KR880000409A (ko) 환상요소 제조방법
KR920019795A (ko) 5, 6, 11, 12-테트라티오테트라센의 제조방법
KR860000268A (ko) N-벤조일-n'-피리미디닐옥시페닐 우레아 화합물류의 제조방법
KR970021058A (ko) 개선된 2-클로로아크릴로니트릴의 제조 방법
KR930009917A (ko) 질화 붕소의 신규 제조방법 및 이에 의해 수득된 질화 붕소
KR950003273A (ko) 클로로메틸피리딘의 제조방법
KR920000698A (ko) N, n- 디부틸아미노페놀류의 제조방법
KR910016673A (ko) 히드록시페닐프로피오네이트의 제조방법
KR950014059A (ko) 피발로일 히드라지드의 제조방법
ATE265425T1 (de) Verfahren zur herstellung von n-(5-amino-2-cyano- 4-fluor-phenyl)-sulfonamiden
KR970010736A (ko) 2-메틸-4-메톡시아닐린의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application