KR950025941A - 반도체소자의 리소그래피 공정마진 검사방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 리소그래피 공정마진 검사방법에 관한것으로서, 반도체 웨이퍼내의 각각의 다이에대한 노광공정시 노광에너지 및 포커스를 각각 X-Y축으로 변화시켜 노광을 진행한 후, 공정결함 검사장치로 공정결함의 분포를 확인하고, 공정결함이 가장 작은 최적의 공정조건을 측정 선택하였으므로, 공정 마진의 평가가 용이하고, 손쉽게 반도체 제조공정을 빨리 셋업(Set up)할 수 있고, 공정결함 검사장치를 이용한 새로운 반도체 제조 공정의 임의의 공정 조건에서 결함수의 파악이 가능하여 제품의 생산 단가를 절감할 수 있으며, 기존의 공정결함 검사장치, 예를들어 패턴 비교방식 및 패턴대 데이타 비교방식 결함검사장치에 공정결함 검출 기능을 첨가하여 용이하게 공정마진을 검사할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 다른 리소그래피 공정마진 검사방법을 진행하기 위하여 노광에너지 및 포커스를 X-Y축으로 변화시켜 노광한후 공정결함의 분포를 나타낸 반도체 웨이퍼의 평면도.
Claims (1)
- 반도체 웨이퍼내의 각각의 다이를 순차적으로 노광할 때, 노광에너지 및 포커스를 각각 X-Y축으로 변화시켜 노광하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼의 다이들의 공정결함의 분포를 검사하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼에서 공정결함의 수가 소정 기준치 이하로 분포하는 다이들 중에서 중앙 부분에 위치하는 다이의 노광에너지 및 포커스를 최적 공정조건으로 선택하는 공정을 포함하는 반도체소자의 리소그래피 공정마진 검사방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940001938A KR970011652B1 (ko) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 반도체소자의 리소그래피 공정마진 검사방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940001938A KR970011652B1 (ko) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 반도체소자의 리소그래피 공정마진 검사방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR950025941A true KR950025941A (ko) | 1995-09-18 |
KR970011652B1 KR970011652B1 (ko) | 1997-07-12 |
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ID=19376686
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019940001938A KR970011652B1 (ko) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 반도체소자의 리소그래피 공정마진 검사방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR970011652B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2738609A3 (en) * | 2009-07-01 | 2018-01-17 | Nikon Corporation | Exposure condition determining method and surface inspection apparatus |
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1994
- 1994-02-03 KR KR1019940001938A patent/KR970011652B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
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KR970011652B1 (ko) | 1997-07-12 |
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