KR950019951A - 레티클-마스킹시스템을 갖는 광학시스템용 조명장치 - Google Patents

레티클-마스킹시스템을 갖는 광학시스템용 조명장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 광학시스템 특히 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용의 조명장치에 관한 것으로서, 광통합을 위한 유리봉(5)을 구비하고, 레티클마스킹시스템(REMA)(51)을 상기 유리봉(5)의 출구단에 설치하였다.

Description

레티클-마스킹시스템을 갖는 광학시스템용 조명장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 줌악시콘(zoon-zxicon)을 갖는 일 실시예의 개략도.

Claims (20)

  1. 레티클-마스킹시스템(51)을 갖는 공학시스템 특히 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용의 조명장치에 있어서, 광통합을 위한 유리봉(5)을 마련하고, 상기 레티클마스킹시스템(51)을 상기 유리봉(5)의 출구단에 설치한 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  2. 제1항에 있어서, 광원(1)과 유리봉(5)사이에 악시콘(24)을 구비한 대물렌즈(2)가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  3. 제2항에 있어서, 두개의 악시콘(22,23)을 구비하여, 상기 두 악시콘(22,23)의 간격을 조절함으로써 통상의 조명 및 다양한 기하학적 형태의 환상개구조명 혹은 다극조명이 무단으로 설정가능한 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  4. 제1항에 있어서, 광원(1′)과 유리봉(5′)사이에 간섭계수(σ)의 조절이 간으한 통상의 조명, 환상개구조명 및 둘 혹은 네개의 방향으로 이루어진 대칭적 경사조명을 포함한 다양한 조명방식을 선택적으로 처리하는 장치가 마련되어 있고, 상기 장치는, 상기 광원(1′)으로부터 방출된 비임들을 둘 혹은 네개의 입체각영역으로부터 분리포집하는 수단(21′-24′)과, 상기 포집된 비임들의 형성 혹은 차광을 위한 수단(31′-34′)과, 상형성될 레티클(10′)용의 레티클평면으로 변환되는 동공평면(93′)의 섹터들에 대한 비임들의 상형성을 위한 반사경기구(511′-514′,521-524′,531′,533′;6′)와, 상기 비임들의 이미지가 상기 동공평면(93′)내에서 반경방향 및 방사방향에서 이동될 수 있도록 하는 조절수단(541′-544′)을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 포집수단(21′-24′) 혹은 상기 포집된 광원의 형성 또는 차광수단(31′-34′)은 광도체(31′-34′)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 조절수단(541′-544′)은 상기 광도체(31′-34′)의 출구들의 위치를 조절하는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 조절수단(541′-544′)은 상기 반사경기구(511′-533′)의 부재들을 조절하는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  8. 제4항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 동공평면(93′)내의 상기 비임들의 이미지는, 대칭적 경사조명이나 통상의 조명에 접합하도록 치수결정되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  9. 제4항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 비임들의 이미지크기의 변경수단이 상기 동공평면내에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  10. 제4항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 비임들의 이미지형상의 변경수단이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  11. 제4항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 비임들은 환상세스먼트형상으로 나타나는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  12. 제1항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 광원은 레이저인 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  13. 제1항, 제2항, 또는 제3항에 있어서, 두개의 악시콘(22,23)을 구비하며, 상기 두악시콘(22,23)은 비임경로내에서 상호 직접 연속하여 있고 둘간의 간격이 조절이 가능하며, 한악시콘(22)은 오목형이고 제2악시콘(23)은 볼록형이며, 상기 두 악시콘(22,23)의 첨부는 동일방향인 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 악시콘(22,23)은 제조기술적으로 만들 수 있고, 기능적으로 유용한 동일한 첨각(α)을 갖는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  15. 제13항에 있어서, 상기 악시콘(22,23)들의 간격은 접촉할 때까지 감소될 수 있는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  16. 제13항에 있어서, 상기 악시콘(22,23)들은 원추형인 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  17. 제13항에 있어서, 상기 악시콘(22,23)들은 피라미드형인 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  18. 제1항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 줌기능을 갖는 대물렌즈(2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  19. 제1항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 램프반사경의 촛점내에 있는 광원(1)을 구비하며, 제2광원을 형성하는 블라인드(13)가 상기 램프반사경(12)의 촛점(121)의 외부에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  20. 제1항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 레티클마스킹시스템(51)은 경사지게 설치된 블라인드판을 구비하는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6285443B1 (en) 1993-12-13 2001-09-04 Carl-Zeiss-Stiftung Illuminating arrangement for a projection microlithographic apparatus
DE19520563A1 (de) * 1995-06-06 1996-12-12 Zeiss Carl Fa Beleuchtungseinrichtung für ein Projektions-Mikrolithographie-Gerät
DE19548805A1 (de) 1995-12-27 1997-07-03 Zeiss Carl Fa REMA-Objektiv für Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen
US7130129B2 (en) 1996-12-21 2006-10-31 Carl Zeiss Smt Ag Reticle-masking objective with aspherical lenses
DE10132988B4 (de) * 2001-07-06 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage
DE10251087A1 (de) * 2002-10-29 2004-05-19 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungseinrichtung für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3750174T2 (de) * 1986-10-30 1994-11-17 Canon K.K., Tokio/Tokyo Belichtungseinrichtung.
NL8801348A (nl) * 1988-05-26 1989-12-18 Philips Nv Belichtingsstelsel.
US5305054A (en) * 1991-02-22 1994-04-19 Canon Kabushiki Kaisha Imaging method for manufacture of microdevices

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Publication number Publication date
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KR950019950A (ko) 1995-07-24
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KR100334147B1 (ko) 2002-11-23
DE59406271D1 (de) 1998-07-23
DE4342424A1 (de) 1995-06-14
TW300282B (ko) 1997-03-11
DE9409744U1 (de) 1994-09-15

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