KR950019951A - 레티클-마스킹시스템을 갖는 광학시스템용 조명장치 - Google Patents

레티클-마스킹시스템을 갖는 광학시스템용 조명장치 Download PDF

Info

Publication number
KR950019951A
KR950019951A KR1019940029834A KR19940029834A KR950019951A KR 950019951 A KR950019951 A KR 950019951A KR 1019940029834 A KR1019940029834 A KR 1019940029834A KR 19940029834 A KR19940029834 A KR 19940029834A KR 950019951 A KR950019951 A KR 950019951A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exposure
beams
light source
lighting
axicons
Prior art date
Application number
KR1019940029834A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100334147B1 (ko
Inventor
방글러 요하네스
Original Assignee
뮐러-리스만, 카. 그나찌히
칼-짜이스-슈티프퉁 트레이딩 에즈 칼 짜이스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 뮐러-리스만, 카. 그나찌히, 칼-짜이스-슈티프퉁 트레이딩 에즈 칼 짜이스 filed Critical 뮐러-리스만, 카. 그나찌히
Publication of KR950019951A publication Critical patent/KR950019951A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100334147B1 publication Critical patent/KR100334147B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70066Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70075Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70108Off-axis setting using a light-guiding element, e.g. diffractive optical elements [DOEs] or light guides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70141Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/702Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70583Speckle reduction, e.g. coherence control or amplitude/wavefront splitting

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)

Abstract

본 발명은, 광학시스템 특히 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용의 조명장치에 관한 것으로서, 광통합을 위한 유리봉(5)을 구비하고, 레티클마스킹시스템(REMA)(51)을 상기 유리봉(5)의 출구단에 설치하였다.

Description

레티클-마스킹시스템을 갖는 광학시스템용 조명장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 줌악시콘(zoon-zxicon)을 갖는 일 실시예의 개략도.

Claims (20)

  1. 레티클-마스킹시스템(51)을 갖는 공학시스템 특히 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용의 조명장치에 있어서, 광통합을 위한 유리봉(5)을 마련하고, 상기 레티클마스킹시스템(51)을 상기 유리봉(5)의 출구단에 설치한 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  2. 제1항에 있어서, 광원(1)과 유리봉(5)사이에 악시콘(24)을 구비한 대물렌즈(2)가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  3. 제2항에 있어서, 두개의 악시콘(22,23)을 구비하여, 상기 두 악시콘(22,23)의 간격을 조절함으로써 통상의 조명 및 다양한 기하학적 형태의 환상개구조명 혹은 다극조명이 무단으로 설정가능한 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  4. 제1항에 있어서, 광원(1′)과 유리봉(5′)사이에 간섭계수(σ)의 조절이 간으한 통상의 조명, 환상개구조명 및 둘 혹은 네개의 방향으로 이루어진 대칭적 경사조명을 포함한 다양한 조명방식을 선택적으로 처리하는 장치가 마련되어 있고, 상기 장치는, 상기 광원(1′)으로부터 방출된 비임들을 둘 혹은 네개의 입체각영역으로부터 분리포집하는 수단(21′-24′)과, 상기 포집된 비임들의 형성 혹은 차광을 위한 수단(31′-34′)과, 상형성될 레티클(10′)용의 레티클평면으로 변환되는 동공평면(93′)의 섹터들에 대한 비임들의 상형성을 위한 반사경기구(511′-514′,521-524′,531′,533′;6′)와, 상기 비임들의 이미지가 상기 동공평면(93′)내에서 반경방향 및 방사방향에서 이동될 수 있도록 하는 조절수단(541′-544′)을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 포집수단(21′-24′) 혹은 상기 포집된 광원의 형성 또는 차광수단(31′-34′)은 광도체(31′-34′)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 조절수단(541′-544′)은 상기 광도체(31′-34′)의 출구들의 위치를 조절하는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 조절수단(541′-544′)은 상기 반사경기구(511′-533′)의 부재들을 조절하는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  8. 제4항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 동공평면(93′)내의 상기 비임들의 이미지는, 대칭적 경사조명이나 통상의 조명에 접합하도록 치수결정되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  9. 제4항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 비임들의 이미지크기의 변경수단이 상기 동공평면내에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  10. 제4항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 비임들의 이미지형상의 변경수단이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  11. 제4항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 비임들은 환상세스먼트형상으로 나타나는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  12. 제1항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 광원은 레이저인 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  13. 제1항, 제2항, 또는 제3항에 있어서, 두개의 악시콘(22,23)을 구비하며, 상기 두악시콘(22,23)은 비임경로내에서 상호 직접 연속하여 있고 둘간의 간격이 조절이 가능하며, 한악시콘(22)은 오목형이고 제2악시콘(23)은 볼록형이며, 상기 두 악시콘(22,23)의 첨부는 동일방향인 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 악시콘(22,23)은 제조기술적으로 만들 수 있고, 기능적으로 유용한 동일한 첨각(α)을 갖는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  15. 제13항에 있어서, 상기 악시콘(22,23)들의 간격은 접촉할 때까지 감소될 수 있는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  16. 제13항에 있어서, 상기 악시콘(22,23)들은 원추형인 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  17. 제13항에 있어서, 상기 악시콘(22,23)들은 피라미드형인 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  18. 제1항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 줌기능을 갖는 대물렌즈(2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  19. 제1항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 램프반사경의 촛점내에 있는 광원(1)을 구비하며, 제2광원을 형성하는 블라인드(13)가 상기 램프반사경(12)의 촛점(121)의 외부에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
  20. 제1항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 레티클마스킹시스템(51)은 경사지게 설치된 블라인드판을 구비하는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 프로젝션-노광설비용 조명장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940029834A 1993-12-13 1994-11-14 레티클-마스킹시스템을갖는광학시스템용조명장치 KR100334147B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP4342424.4 1993-12-13
DE4342424A DE4342424A1 (de) 1993-12-13 1993-12-13 Beleuchtungseinrichtung für eine Projektions-Mikrolithographie- Belichtungsanlage
DEG9409744.5 1994-06-17
DE9409744U DE9409744U1 (de) 1993-12-13 1994-06-17 Beleuchtungseinrichtung für ein optisches System mit einem Reticle-Markierungssystem

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950019951A true KR950019951A (ko) 1995-07-24
KR100334147B1 KR100334147B1 (ko) 2002-11-23

Family

ID=6504852

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940029833A KR100333566B1 (ko) 1993-12-13 1994-11-14 프로젝션-마이크로리소그래피-노광설비용조명장치
KR1019940029834A KR100334147B1 (ko) 1993-12-13 1994-11-14 레티클-마스킹시스템을갖는광학시스템용조명장치

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940029833A KR100333566B1 (ko) 1993-12-13 1994-11-14 프로젝션-마이크로리소그래피-노광설비용조명장치

Country Status (3)

Country Link
KR (2) KR100333566B1 (ko)
DE (4) DE4342424A1 (ko)
TW (2) TW311182B (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19520563A1 (de) * 1995-06-06 1996-12-12 Zeiss Carl Fa Beleuchtungseinrichtung für ein Projektions-Mikrolithographie-Gerät
US6285443B1 (en) 1993-12-13 2001-09-04 Carl-Zeiss-Stiftung Illuminating arrangement for a projection microlithographic apparatus
DE19548805A1 (de) 1995-12-27 1997-07-03 Zeiss Carl Fa REMA-Objektiv für Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen
US7130129B2 (en) 1996-12-21 2006-10-31 Carl Zeiss Smt Ag Reticle-masking objective with aspherical lenses
DE10132988B4 (de) * 2001-07-06 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage
DE10251087A1 (de) * 2002-10-29 2004-05-19 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungseinrichtung für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3750174T2 (de) * 1986-10-30 1994-11-17 Canon Kk Belichtungseinrichtung.
NL8801348A (nl) * 1988-05-26 1989-12-18 Philips Nv Belichtingsstelsel.
US5305054A (en) * 1991-02-22 1994-04-19 Canon Kabushiki Kaisha Imaging method for manufacture of microdevices

Also Published As

Publication number Publication date
DE59407337D1 (de) 1999-01-07
DE4342424A1 (de) 1995-06-14
TW300282B (ko) 1997-03-11
DE59406271D1 (de) 1998-07-23
TW311182B (ko) 1997-07-21
KR100334147B1 (ko) 2002-11-23
KR950019950A (ko) 1995-07-24
KR100333566B1 (ko) 2002-11-30
DE9409744U1 (de) 1994-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100450556B1 (ko) 투사형-마이크로리소그래피장치용조명장치
KR970003882B1 (ko) 사진석판술용 노광 장치의 조명 시스템
JP3559330B2 (ja) レチクルマスキングシステムを有する光学系の照明手段
US5675401A (en) Illuminating arrangement including a zoom objective incorporating two axicons
KR100411833B1 (ko) 공간적으로분리된수직및수평이미지평면을지니며포토리도그래피기법에서사용하는조명장치
KR100517215B1 (ko) 부분 간섭성을 공간적으로 조정가능한 광학소자, 이미징 장치 및 포토리소그래피 장치
KR100597471B1 (ko) 네개의 거울을 지니는 초 자외선 투영 광학 시스템
JP3158691B2 (ja) 露光装置及び方法、並びに照明光学装置
JPS60232552A (ja) 照明光学系
JP2002203784A5 (ko)
JPH04369209A (ja) 露光用照明装置
KR900008299A (ko) 조명방법 및 그 장치와 투영식 노출방법 및 그 장치
JPH06214318A (ja) 反射型ホモジナイザーおよび反射型照明光学装置
KR100384551B1 (ko) 조광시스템
WO2006021419A2 (en) Illumination system of a microlithographic exposure apparatus
DE60222786D1 (de) Zoomvorrichtung, insbesondere zoomvorrichtung für eine beleuchtungsvorrichtung einer mikrolithographie-projektionsvorrichtung
KR100823405B1 (ko) 노광장치 및 디바이스 제조 방법
US5359388A (en) Microlithographic projection system
KR950019951A (ko) 레티클-마스킹시스템을 갖는 광학시스템용 조명장치
GB2040431A (en) Illumination system for photo-copying devices
KR950015638A (ko) 개량된 해상도 특성을 갖는 스텝 앤드 리피트 노출 시스템
JP3303322B2 (ja) 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JP2001033875A (ja) 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP2914035B2 (ja) 輪帯光束形成方法および照明光学装置
KR950001868A (ko) 조명장치 및 동장치를 사용하는 노광장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130404

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140403

Year of fee payment: 13

EXPY Expiration of term