TW300282B - - Google Patents

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Description

經濟部中央橾準局貝工消费合作社印装 A7 B7 五、發明説明(/ ) 本發明的物品是一種用於光學系统•尤其是具有綱狀瓛光系 统的微石版印隳的投膨_光裝置的照明設儀。 鞴投影曝光裝置可以製造不闻的微晶片•其使用的期狀瓛蔽 物的形吠•可Μ有所S別•因此在綱狀媒上的照明斑點需有一可 變的•精確的界限•否則便會發生曝光繕誤•裝置苕僑可能的設 置於接近綱狀嬢的位置·♦妨腰其搡作,而且畲使光作用無法 滿足在离解析度的结構中所霈的邊緣斜度•巳知的方法是在照明 光路中•額外設置一中間埸平面•使網狀遮蔽系统能在該處被精 確的定位,其所需的額外适鏡因像域、孔徑、均勻性、及消色差 的闞係成本甚高且需要額外的構築空間。 « EP 0 297 161 A1提及的投影曝光裝置,在照明光路中設有 光導體玻璃椿,在玻璃棒之後可設置一分度干涉濾光片•設置此 «片是為了提高均勻性,而不是為了«向。 本發明的目的在於製造一種品質較高·附加费用較低的網狀 邃蔽条統。 具有申請専利範醒1之特微的照明設備即有達到上述目的· 在此照明装置中有一集光用的玻璃棒且網狀遮蔽系统設置於玻瓏 棒的出口蟠•在埴種照明設備中通常Μ蜂窵狀的聚光鑰使光嬢的 分佈更加均勻•另一種方法是Μ玻瑱棒產生逭種使光嬢分佈均勻 的作用。玻瑱棒的出口纗設有一癒用於網狀遮光糸統的中間壜平 面,因此無霱採取額外的措施Μ產生一中間場平面。 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS > Α4規格(Π0Χ297公釐} 83.3.10*000 (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印装 3〇〇282 at _B7_ 五、發明説明(;) 申請専利範圈附羼項中實施例具有多項優點,申請専利範圏 2.3.13〜19項的装置,在専利登記DE 44 21 053.1 "照明设備” 中亦有提及(兩項専利皆在同一天提出•且登記人與發明人均相 同)。 申睛専利範圃4〜12項的裝置在専利登記DE 43 42 424(1993 年12月13日)中*亦有提及· Μ上兩個専利登記的公開說明内容 亦為本専利登記之公開說明的一部分。 底下配合_形作逭一步的說明。 圖1 :具有變焦距Axicon之實施例示意_ 圖2a:具有可調式鏡組以選擇照明方式之實施例的供視_ 圖2b :圖2a之實施例的上視圔 圈1亦包含於上述同時提出的兩偁專利登記中。 _1所示為具有發明之特徽的_明設備,·用於可解析至01. u· Μ下的投影石版印刷,如用於積分霣路的製造。 i線波長為365η·的水銀坦(1)設置於一機圆形鏡面(12)的焦 距上,此橢圓形縯面將水銀燈光集中於另一焦距(121)。 與一般通例不同的是•此照明裝置的光檷(13)設於焦點(12Ό 之外,且快門位置至钃圓形鏡面(12)頂點的距雛比焦點(121>至 機圆形鏡面頂點的距離大5Χ〜20Χ(最好是10Χ) ·如此一來•此處 形成的第二光源會更為均勻•而且照明在光學映象上的部分相干 作用會獲得改菩•因不需為此目的加設額外的混合系统·埴種措 MS即使對傳統照明設備亦值得採用。 本紙張尺度Λ用中BIB家嫌拿(CNS) A4说格f 210X297公鰲) (請先閲讀背面之注f項再填寫本頁) -裝. 訂 經濟部中央揉準局βί工消费合作社印«. A7 B7 五、發明説明(多) 另一種可能是採用紫外媒笛射作為光源。 鏑頭(2>由第一透鏡姐(2Ό凹形第一 Axic〇n(22),凸形第二 AxiC〇n(23)及第二種透鏑組(24)構成,調節物(231)及(241)容 許Axicon(23)及第二種通鏑姐(24)的一個透鏡作_向移動· Μ 調整Axicon(22,23)的間距Μ及改變環形孔徑的特徽•壤到變焦 距作用,改變照亮的光瞳直按•即相干度(<r)。 在光瞳中間面(3)之後•為第二鏡頭(4),經此物鏑可使光線 被導入長度約0.5公尺的玻璃棒(5) ·玻瑱棒(5>的出口處設有一 中間埸平面•其内設有一可取代傅統REMA (鋼狀遮蔽)糸統的遮蔽 糸統(51) >瑄樣作的好處是無需如一般裝置為REMA系统再設置額 外的中間場平面及透鏡組。 網狀遮蔽糸铳(51)的其它構造方式與一般精密櫬械構造相同 ,但要注意的是,限制線應精確的在一平面上伸展,一項有利的 構造是具有與光學軸對稱的斜向光柵切割•如此,可有效的自照 明設備的光路中除去其表面反射。 鏡頭(6)與遮蔽系統(51)在網線(7)(遮蔽物、石版印刷托板) 上形成中間埸平面•且含有可在其中設置濾光鏞或光檷的第一透 嫌姐(61)和光瞳中間平面(62) ·第二及第三透鏡姐(63及65)及其 間的折媒式反射鏡(64),此反射鏡可使大型照明設備(約3公尺長) 水平安裝*並使網線(7)位於水平位置。 在圔2a在2b中的光源(1Ί為一水銀燈•它發出的光埭由4個 涵蹵大空間角度範園的聚光鏡(21·〜24’)加以收集,因此大部份 的光線都被導至4個光導管(31’〜34’)·光専管(31’〜34Ί構成 横截面轉換器•其出口面的形狀為環塊形。為了使出口面的光強 度更加均勻,光導管(31'〜34)可以由均勻混合的單一纖维組成 •其入口蹰面亦可與光媒分佈相配合。 本紙張尺摩i*用中W两家揀車f CNS ) 2丨0X297公籥) ------^-----j-裝-- (請先W讀背面之注項再填寫本頁) -St 經濟部中央梂準局貝工消费合作社印製 A7 __B7_ 五、發明説明(弘) 另一種方式是K具有光嬢擴張鏡組及三後鏡的雷射裝罝來照亮 光導管(31’〜34·),此處使用的笛射可Μ是一種紫外嬢放射的Exciter 雪射。 光導管(31·〜34)的出口面各建接一犟元的缯霣器縯組(4Γ 〜44 ·)第一折線式反射鏡(511’〜514’)及第二折線式反射鏡(521’ 〜524’)埴些覃元及與其連接的光導管(3Γ〜34')的終蟠可由伺 腹驅動裝置(541·〜544’)作徑向及方位的調節*控制器(100Ί可 控制伺眼騮動裝置(54Γ〜544’)。 經由聚束反射鏑(6 |)可將來自4個折線式反射鏡(521'〜52 4·)的光媒*反射至玻璃棒(7·)的入口面(7Γ) *此入口面(71’) 位於照明設備的一個光_平面Ρ内•旦埴4個單元•可各依伺臌驅 動裝置(541’〜544’)的位置各照亮入口面的1/4面積,由4個聚光 縯(21’〜24’)聚集的4道光束即轅此方式組成一有效的第二光源。 玻璃棒(7')的出口面(72·)有一埸平面F·按照本發明的方式 *在此場平面內設有一綱狀遮蔽糸統(8’)(即一可調節的光植)藉 調節物(81')可按需要調節網狀遮蔽系统(REMA)。 將網狀遮蔽系统(8')設置於此位置,相較於目前應用的方法 ,可節省為網狀遮蔽系铳額外設一場平面的花费。 接下來的中間成象系統為一具有一光瞳平面Ρ (93’)的鏡頭(9 ')在光瞳平面之前有一中間遮蔽糸統(9Γ)·之後有一平面鏡構 成的光線折射器(93’)。鏞頭後接著在場平面F内待照亮的期線 (10)。 在專利登記DE-P 43 42 424中含有圓2a及2b,並有相W敎述》 接下來的投影物鏡及待照明的封娀紙皆為已知之裝置,故在 鼷形中未予鰌出。 si 1 丨η r>on (請先閲讀背面之注$項再填苑本頁) -裝. 1訂

Claims (1)

  1. 3〇〇282 Α8 Β8 CS D8 年 、申請專利範圍 申請發明第8311〇967號申請專利範圍修正本 85 年 I 一種用於光學系統的照明設備,特別係指在一微石板印刷 之投影曝光裝置中,具有一網狀遮蔽系統(51)及一光源 5 (M’),其特徵在於該裝置包括有一用於聚集光線之玻璃 俸(5,7'),且該網狀遮系統(51)係設置在該玻璃棒(5,7,)之 出口端。 2·根據申請專利範圍第1項之照明設備,其中該光源(1)及該 玻璃棒(5)之間設置有一具有Axicon(24)之鏡頭(2)。 10 3.根據申請專利範圍第2項之照明設備,該照明設備具有二 套Axicon(22,23),其中藉由調節該等Axicon(22,23)及傳統 式照明及環孔徑照明或多極照明,以設定不同之幾何形 狀。 經濟部中央梂準局負工消费合作社印装 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4.根據申請專利範圍第1項之照明設備,其中在該光源(1,)及 15 該玻璃棒(7’)間設置有一裝置,以選擇性地設定不同的照 明方式,包括傳統式照明、具可調節干涉性因素(σ )之環孔 照明及由2個或4個方向對稱之斜向照明,其中 -具有裝置(2 Γ-24’)以分別自2個或4個空間角度範圍內聚 集由光源(Γ)發射之光束; 20 -具有裝置(3Γ-34’)以使被聚集之光束漸隱或成形; -具有反射鏡裝置.(511’-514’,521’-524’,531’,533,,6’)以使 光束在與待成像網線(10’)之網線平面共軛之光瞳平面 (93’)之扇彤區域上成像; •具有調節裝置(5 II’-5 I4’)使光束在光瞳平面(93’)之成像 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS > A4規格(21〇><2的公釐) 經濟部中央梯率局負工消費合作社印装 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 可做徑向性及方位性之調節。 5.根據申請專利範圍第4項之照明設備,其中該聚集光束之 裝置(2Γ-24,)或使被聚集光束漸隱或成形之裝置(31’·34’) 爲光導管(3Γ-34’” 5 6.根據申請專利範圍第4項之照明設備,其中該調節裝置 (54Γ-544,)可調節該光導管(3Γ-34’)之出口。 7. 根據申請專利範圍第4項之照明設備,其中該調節裝置 (54Γ-544’)可調節部份反射鏡裝置(51Γ-533’)。 8. 根據申請專利範圍第4項至第7項任一項所述之照明設備, 10 其中該光束在該光瞳平面(93’)上之成像尺寸,應使其對傳 統照明或對稱斜向照明不會產生掃瞄移動。 9. 根據申請專利範圍第4項之照明裝置,其中包括一改變光 束在光瞳平面上成像圖形大小之裝置。 10. 根據申請專利範圍第4項之照明裝置,其中包括一具有改 15 變光束形狀之裝置。 11. 根據申請專利範圍第4項之裝置,其中該光束係以環塊狀 發射。 12. 根據申請專利範圍第4項之照明設備,其中係以雷射做爲 光源= 20 13.根據申專利範圍第1項,第2項或第3項之照明設備,特別 係指在一種用於微石板印刷之投影曝光裝置,其中在光學 路徑上之Axicon(22,23)分別爲一前裝置及一後裝置,其間 無任何元件,該等Axicon間之距離係可調節者,其中之一 Axic〇n(22)爲凹透型,另一 AxiCcrti(23)爲凸透型,該等 -2- 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS > A4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 A8 B8 C8 _______ 六、申請專利範圍 Axicon(22,23)之頂點都在同一方向。 K根據申請專利範圍第13項之照明設備,其中在可行之製 造技術下.該等Axicon(22,23)可製造成具有相同之頂角 (α )。 5 15.根據申請專利範圍第13項之照明設備,其中該等 Axicon(22,23)間之距離(d23)可縮小至二者接觸爲止= 16. 根據申請專利範圍第13項之照明設備,其中該等 Axicon(22,23)均爲圓錐形》 17. 根據申請專利範圍第13項之照明設備,其中該等 10 Axicon(22,23)均爲菱形。 18. 根據申請專利範圍第1項之照明設備,其中該鏡頭(2)具有 改變焦距之功能= 19. 根據申請專利範圍第1項之照明設備,其在該燈鏡之焦距 處具有一光源(1),其中在該燈鏡(12)另一焦距之外,設置有 15 一光柵(13)以形成第二光源。 20. 根據申請專利範圍第1項之照明設備,其中包括一遮光板, 以使該網狀遮蔽系統設置成傾斜狀。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印裝 -3· 本紙張纽適财_家梂準(CNS > A4胁(210X297公釐)
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6285443B1 (en) 1993-12-13 2001-09-04 Carl-Zeiss-Stiftung Illuminating arrangement for a projection microlithographic apparatus
DE19520563A1 (de) * 1995-06-06 1996-12-12 Zeiss Carl Fa Beleuchtungseinrichtung für ein Projektions-Mikrolithographie-Gerät
DE19548805A1 (de) 1995-12-27 1997-07-03 Zeiss Carl Fa REMA-Objektiv für Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen
US7130129B2 (en) 1996-12-21 2006-10-31 Carl Zeiss Smt Ag Reticle-masking objective with aspherical lenses
DE10132988B4 (de) * 2001-07-06 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage
DE10251087A1 (de) * 2002-10-29 2004-05-19 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungseinrichtung für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3750174T2 (de) * 1986-10-30 1994-11-17 Canon K.K., Tokio/Tokyo Belichtungseinrichtung.
NL8801348A (nl) * 1988-05-26 1989-12-18 Philips Nv Belichtingsstelsel.
US5305054A (en) * 1991-02-22 1994-04-19 Canon Kabushiki Kaisha Imaging method for manufacture of microdevices

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DE9409744U1 (de) 1994-09-15

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