KR950019927A - 폴리실리콘 식각용액 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 폴리실리콘 식각용액에 관한 것으로, 핀형구조의 캐패시터 전하저장전극 형성시 불순물이 도핑된 도프(doped)폴리실리콘과 불순물이 도핑안된 언도프(undoped)폴리실리콘을 적층하여 선택적으로 식각함에 의해 핀형구조를 이루도록 할 때, 폴리실리콘은 식각용액으로 NH4OH에 H2O2와 순수(DI)을 적정비율로 혼합하여 도프 폴릴실리콘과 언도프 폴리실리콘을 선택적으로 용이하게 식각할 수 있는 폴리실리콘 식각용액에 관해 기술된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1E도는 본 발명의 폴리실리콘 식각용액을 사용하여 핀형 구종의 캐패시터 전하저장 전극을 형성하는 단계를 도시한 단면도.
Claims (3)
- 선택적으로 폴리실리콘을 식각하는 폴리실리콘 식각용액에 있어서, 폴리실리콘 식각용액인 NH4OH에 H2O2와 순수물(DI)을 혼합한 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 식각용액.
- 제1항에 있어서, 상기 NH4OH+H2O2+DI의 식각용액에서 NH4OH양이 많을 경우 폴리실리콘은 빨리 식각되며, NH4OH양에 비하여 H2O2+DI의 양이 많을 경우 폴리실리콘은 느리게 식각되어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 식각용액.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘 식각용액에 사용되는 온도는 40~100℃인 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 식각용액.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930031169A KR950019927A (ko) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | 폴리실리콘 식각용액 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019930031169A KR950019927A (ko) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | 폴리실리콘 식각용액 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR950019927A true KR950019927A (ko) | 1995-07-24 |
Family
ID=66853425
Family Applications (1)
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| KR1019930031169A KR950019927A (ko) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | 폴리실리콘 식각용액 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR950019927A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200086180A (ko) | 2019-01-08 | 2020-07-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 실리콘 막 식각액 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법 |
-
1993
- 1993-12-30 KR KR1019930031169A patent/KR950019927A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200086180A (ko) | 2019-01-08 | 2020-07-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 실리콘 막 식각액 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법 |
| US11168253B2 (en) | 2019-01-08 | 2021-11-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Silicon layer etchant composition and method of forming pattern by using the same |
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