KR950012925B1 - 반도체 리이드 프레임 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제 1 도는 일반적인 수직표면 실장형 반도체 패키지의 평면도.
제 2 도는 제 1 도의 수직표면 실장형 반도체 패키지가 다수개 인쇄회로기판상에 실장된 상태도.
제 3 도는 종래 기술의 일 실시예에 따른 리이드 프레임을 사용한 수직실장형 반도체 패키지의 평면도.
제 4 도는 종래 기술의 다른 실시예에 따른 리이드 프레임을 사용한 수직실장형 반도체 패키지의 평면도.
제 5 도는 이 발명에 따른 수직실장형 리이드 프레임의 평면도.
제 6 도는 제 5 도의 리이드 프레임을 사용한 수직실장형 반도체 패키지의 평면도이다.
이 발명은 반도체 리이드 프레임에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 리이드 온 칩(Lead On Chip : 이하LOC라 칭함) 또는 칩 은 리이드(Chip On Lead ; 이하 COL이라 칭함) 등과 같은 반도체 칩 실장방법이 주로 쓰이는 수직실장형 리이드 프레임의 일측에 반도체 칩과 접착되는 더미 리이드(dumy lead)를 형성하여 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 리이드 프레임에 관한 것이다.
최근 반도체 산업의 발달은 반도체 칩의 메모리 용량을 증가시켜 입출력 단자의 수가 증가되고, 신호처리속도 및 소비 전력량의 증가되었으며, 고밀도 실장의 요구등을 가속화시키는 추세에 있다. 이러한 반도체칩의 고집적화 추세는 리이드들의 수를 증가시켜 리이드간의 간격이 감소되 리이드 자체의 크기도 감소시켜 리이드 프레임의 설계 및 제조가 어려워지고 있으며, 그에따라 패키지의 종류, 제조 공정 및 방법에 변화가 요구되고 있다. 또한, 반도체 칩의 신호 처리속도 및 소비전력량의 증가로 반도체 칩 자체에서 다량의 열이 발생되며, 이러한 열을 발산시키기 위하여 열확산이 우수한 재질로된 히트싱크를 반도체 패키지에 따로 설치하거나, 반도체 패키지 몸체를 열전도성이 우수한 물질을 선택하게 되었다. 더욱이 단위 면적당 반도체 칩의 실장 밀도를 향상시키기 위하여 반도체 칩을 인쇄회로기판상에 직접 실장하는 COB(Chip On Board) 방법이나, 적층 패키지 방법등이 개발 사용되고 있어 반도체 패키지의 중요성이 날로 증가하고 있다.
이러한 반도체 패키지는 통상 리이드 프레임의 다이패드상에 반도체 칩을 실장한 후, 몰딩부재로 패키지 몸체를 형성하는 몰딩 패키지가 널리 쓰이고 있다. 이러한 몰딩형 패키지는 다시 수평형과 수직형으로 구별할 수 있다. 상기 수평형 패키지는 메모리 카드나 박형 퍼스컴등의 소형, 박형의 기기에 쓰이며, 패키지의 형태에 따라 리이드들이 몸체의 한 방향으로만 돌출되어 있는 SOP(single in line package)형과, 리이드들이 두방향으로 돌출되어 있는 DIP(dual in line package)형 그리고 상기 리이드들이 네방향 모두에 돌출되어 있는 QFP(quad f1at package)형 등이 있다.
또한 다른 높이의 부품이 섞여 있는 기판의 빈공간을 활용하여 기판의 소형화를 꾀하거나, 주기억장치의 주요부분에 범용 메모리 패키지를 대량으로 사용할 때 기기의 경량화, 대용량화, 고속화를 필요로 하는 경우 수직형 패키지가 최근 주목받고 있다. 이러한 수직형 패키지는 리이드들이 패키지 몸체의 일측에서 돌출되어 양방향으로 절곡되고 기판에 삽입되는 ZIP(zigjag in line package)는 기판에의 양면실장, 기판의 다층배선 및 일괄 리프로우가 곤란한 등의 문제점이 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위하여 개발된 것이 제 1 도에 도시되어 있는 수직표면 실장형 패키지(10 : vertical surface mount package ; 이하 VSMP라 칭함)로서, 외부 리이드(11)들이 패키지 몸체(13)의 한번으로 몰려 돌출되어 절곡되어 있으며, 또한 상기 외부 리이드(11)들의 바깥쪽 양단에서 L자형으로 양방향으로 절곡되어진 지지리이드(13)에 의해 직립 실장된다.
이러한 VSMP는 제 2 도에 도시되어 있는바와 같이, 인쇄회로기판(14)상에 밀집되게 실장할 수 있으며, 표면 실장형이므로 상기 인쇄회로기판(14)의 다층배선이 가능하고, 기판상의 양면실장이 가능하며, 상기 외부리이드(11)들의 다른 부품들과의 일괄 리프로우가 가능한 등의 장점이 있다.
상술한 일반적인 수직실장형 반도체 패키지들은 통상 실장되는 반도체 칩의 크기가 작아 본딩패드가 주변에 형성되어 있는 반도체 칩은 다이패드상에 실장되며, 본딩패드가 칩의 중앙에 물려 있는 반도체 칩의 경우 COL 및 LOC 등의 방법이 사용된다.
이러한 반도체 칩이 실장되는 종래 수직실장형 반도체 패키지(15)의 일실시예가 제 3 도에 도시되어 있다. 중앙부에 다수개의 본딩패드들이 형성되어 있는 반도체 칩(16)과, 일정간격으로 상기 반도체 칩(16)의 상하양방향으로 형성되어 상기 반도체 칩(16)의 상부에 부착되어 있는 다수의 내부 리이드(17)들과, 상기 반도체 칩(16)상에 형성되어 있는 본딩패드와 상기 내부리이드(17)를 연결하는 와이어(18)들과, 상기 내부리이드(17)들과 반도체 칩(16)을 감싸 보호하는 패키지 몸체(19)와, 상기 패키지 몸체(19)의 일변에서 외부로 돌출되어 있는 외부리이드(20)들과, 상기 수직실장형 반도체 패키지(15)를 지지하도록 상기 외부리이드(20)들의 바깥쪽 양단에서 L자형으로 양방향으로 절곡되어 있는 지지리이드(20)를 구비하여 직립 실장된다. 이때 상기의 반도체 칩(16)의 크기가 비교적 작은 경우이며, 메모리 용량의 확대에 따라 반도체 칩의 크기가 증가하면 반도체 칩 상부로의 내부리이드 형성이 어려워진다.
제 4 도는 종래 수직실장형 반도체 패키지(22)의 다른 실시예로서, 반도체 칩(23)이 제 3 도의 경우 보다큰 경우로서, 반도체 패키지(22) 내부의 공간이 작으므로 반도체 칩(23)상에 부착되는 내부 리이드(24)들이 주로 외부 리이드(25)의 돌출 방향으로 배열되어 있다.
상술한 종래의 수직실장형 반도체 리이드 프레임은 중앙부에 본딩패드들이 형성되어 있는 반도체 칩이 COL 또는 LOC의 방법으로 내부 리이드들과 접착되어 몰딩된다. 이때 상기 내부 리이드들은 외부 리이드들의 방향으로 형성되어 있어 결과적으로 리이드들이 한쪽에 물려있게 된다. 그러므로 몰딩공정시 캐비티내로의 몰딩수지의 유입 압력이 불균일하여 상기 내부 리이드들과 와이어들의 변형이 일어나 단락 및 단선등의 불량이 발생되어 반도체 패키지의 신뢰성이 떨어지는 문제점이 있다.
따라서 이 발명의 목적은 몰딩공정시 몰딩수지의 유입압력의 불균형에 의해 내부 리이드 및 와이어의 변형을 방지하여 수직실장형 반도체 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 리이드 프레임을 제공함에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 이 발명은 외부 리이드 패키지 몸체의 일측으로 돌출되어 있는 수직실장형 반도체 패키지에 사용되는 반도체 리이드 프레임에 있어서, 패키지 몸체의 일측에 돌출되도록 형성되어 있는 외부 리이드들과 상기 외부 리이드와 연결되며 반도체 칩 중심부에 형성되어 있는 본딩패드들과 와이어로 연결되어지고 반도체 패키지의 일측에 편중되도록 형성되어 있는 내부 리이드들과, 상기 쏘포트바에 의해 지지되며 상기 반도체 패키지의 타측에서 상기 반도체 칩의 일측을 지지하도록 형성되어 있는 더미리이드를 구비하는 반도체 리이드 프레임을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 이 발명에 따른 반도체 리이드 프레임을 상세히 설명한다.
제 5 도 및 제 6 도는 이 발명에 따른 반도체 리이드 프레임(30) 및 그를 이용한 반도체 패키지(40)의 평면도로서, 함께 연계하여 설명한다. 먼저 일정간격으로 형성되어 있는 내부 및 외부 리이드(31),(32)들로 구성되어지는 리이드(33)들이 상기 리이드 프레임(30)의 일측에 편중되도록 형성되어 있으며, 상기 리이드 프레임(30)의 타측에 써포트 바(34)로 지지되는 사각형상의 더미 리이드(35)가 형성되어 있다. 상기 리이드(33)들의 외곽 양측에 상기 반도체 패키지(40)를 직립시키기 위한 지지리이드(36)들이 상기 리이드(33)보다 길게 형성되어 있으며, 이러한 구성요소들이 모두 싸이드바(37)에 연결되어 리이드 프레임(30)을 구성한다. 이때 상기 더미 리이드(35)는 단순히 상기 써포트바(34)를 변형시켜 형성할 수도 있다.
중앙부에 본딩패드들이 형성되어 있는 반도체 칩(41)이 상기 더미 리이드(35) 및 내부 리이드(31)들의 하부에 부착되며, 상기 본딩패드들과 내부 리이드(31)들이 와이어(42)로 연결되어 진다. 그다음 통상의 에폭시 몰딩 컴파운드(epoxy moulding compound)등과 같은 몰딩부재를 사용하여 상기 반도체 칩(41), 내부리이드(31), 더미 리이드(35) 및 와이어(42)를 감싸 보호되도록 패키지 몸체(43)를 형성한다. 이때 상기 더미 리이드(35)가 일측에 형성되어 있으므로 몰딩 부재의 유입 압력이 균형을 이루게 되어 내부 리이드(31)및 와이어(42)의 변형이 발생하지 않는다. 그다음 상기 싸이드바(37) 및 댐바(도시되지 않음)를 제거한 후, 상기 패키지 몸체(43)의 일측에 돌출되어 있는 외부 리이드(32)들을 한 방향으로 절곡하여 표면실장에 적합하도록 하고, 상기 지지 리이드(36)들을 각각 양방향으로 L자 형상으로 절곡하여 수직 실장형 반도체 패키지(40)를 형성한다. 반도체 칩이 내부 리이드 및 더미 리이드의 하부에 실장되는 경우를 예로 들었으나, 상기 반도체칩은 내부 리이드 및 더미 리이드의 상부에 실장될 수 있음은 물론이다.
상술한 바와 같이 이 발명은 내부 리이드들이 일측에 편중되게 형성되는 수직실장형 반도체 패키지에 사용되는 반도체 리이드 프레임의 타측에 반도체 칩과 접착되는 더미 리이드를 별도로 형성하였다. 따라서 이발명은 수직실장형 반도체 페키지가 내부 리이드들의 편중에 의해 몰딩공정시 몰딩부재의 유입압력 불균형을 방지하여 반도체 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다. 또한 상기 더미 리이드가 반도체 칩의 열을 방출시키는 히트 싱크의 역할을 수행하므로 별도의 히트 싱크를 형성하지 않아도 되는 이점이 있다.
Claims (4)
- 외부 리이드가 패키지 몸체의 일측으로 돌출되어 있는 수직실장형 반도체 패키지에 사용되는 반도체리이드 프레임에 있어서, 패키지 몸체의 일측에 돌출되도록 형성되어 있는 외부 리이드들과 상기 외부 리이드와 연결되며 반도체 칩 중심부에 형성되어 있는 본딩패드들과 와이어로 연결되어지고 반도체 패키지의 일측에 편중되도록 형성되어 있는 내부 리이드들과, 상기 반도체 패키지의 타측에서 상기 반도체 칩의 일측을 지지하도록 형성되어 있는 더미 리이드를 구비하는 반도체 리이드 프레임.
- 제 1 항에 있어서, 상기 더미 리이드를 지지하는 써포트바를 구비하는 반도체 리이드 프레임.
- 제 1 항에 있어서, 상기 더미 리이드가 써포트바의 변형으로 형성되어 있는 반도체 리이드 프레임.
- 제 1 항에 있어서, 상기 더미 리이드 및 내부 리이드의 상부 또는 하부에 반도체 칩이 실장되는 반도체리이드 프레임.
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US6048744A (en) * | 1997-09-15 | 2000-04-11 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit package alignment feature |
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US6991960B2 (en) * | 2001-08-30 | 2006-01-31 | Micron Technology, Inc. | Method of semiconductor device package alignment and method of testing |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5150194A (en) * | 1991-04-24 | 1992-09-22 | Micron Technology, Inc. | Anti-bow zip lead frame design |
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