KR950012769A - 반도체 소자 - Google Patents

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Abstract

“로 사이드(low-side)”레터벌 DMOST(lateral Depletion MOS Transistor)(LDMOST)를 가진 RESURF 형식의 반도체 소자는 우세한 제1전도형의 반도체 몸체(1) 및 제2전도형인 표면(2)와 인접하는 표면(3)을 포함한다. LOMOST는 표면 영역(3)에 제공되고 그 내부에 제2전도형의 소소스 영역(6)을 가진 제1전도형의 후면 게이트 영역(5) 및 소오스 영역(6)과 후면 게이트 영역(5)의 에지사이에 정의된 채널 영역(7)을 포함한다. 제2전도형의 드레인 영역(8)은 후면 게이트 영역(5)과는 얼마간 떨어져서 존재한다. 제1전도형의 분리 영역(15)은 표면 영역(3)내의 LDMOST 주위에 제공되고, 상기 분리 영역은 표면(2)과 인접하고 반도체 몸체(1)로 확장된다. 제1전도형의 하나이상의 항복 전압 상승 구역(9,99)은 드레인 영역(8)과 후면 게이트 영역(5)사이 및 드레인 영역(8)과 분리 영역(15)사이에 제공된다. 표면(2)은 절연층(17)을 갖추고 있으며 상기 절연층 상단에 전도체 트랙(25)이 확장되고 상기 전도체 트랙은 드레인 영역(8)에 연결되며 전압 상승 구역(99) 및 분리 영역(15)상으로 확장한다. 본 발명에 따르면, 후면 게이트 영역(5)을 형성하는 구역 및 후면 게이트(5)와 드레인 영역(8)사이에 위치하고, 후면 게이트 영역(5)에 가장 인접한 제1항복 전압 상승 구역(9A)중 적어도 하나(9A 혹은 5)는, 다른 구역로 돌출하는 적어도 하나의 돌출부분(35)을 가지고 있으며, 상기 돌출부분이 있는 두 구역사이의 거리를 돌출부분이 없는 두 구역사이의 거리보다 짧고, 제1항복 전압 상승 구역(9A)은 전도체 트랙(25)이 위로 확장하는 항복 전압 상승 구역(99)에 연결되어 있지 않다.
후면 게이트 영역(5)과 제1항복 전압 상승 구역(9A)사이의 전하의 교환이 상기 돌출부분(35)을 통해서 발생할 수 있으며, 이에 의해 반도체 소자의 빠른 스위칭이 촉진되는 반면에 후면 게이트/소오스 영역(6,5)과 반도체 몸체(1)사이의 누설 전류는 발생하지 않는다.
* 선택도 : 제1도

Description

반도체 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 개략도,
제2도는 제1도에 도시된 반도체 소자의 라인 Ⅱ-Ⅱ에 따른 횡단도,
제3도는 제1도에 도시된 반도체 소자의 라인 Ⅲ-Ⅲ에 따른 횡단도.

Claims (7)

  1. 로 -사이드 레터럴 DMOST(low-side lateral Depletion MOS Transistor)(LOMOST)를 가진 RESURF(REduced SURface Field) 형식의 반도체 소자로서, 상기 반도체 소자는 우세한 제1전도형의 반도체 몸체(a semiconductor body of predminantly al first conductivity type)와 표면 영역(a surface region)을 포함하며, 상기 표면 영역은 제1전도형과 반대인 2전도형의 표면과 인접하며, 표면의 서로 접하는 면에서 반도체 몸체와 제1 p-n 접합을 형성하며, 상기 LDMOST는 표면 영역에 제공된 제1 p-n 접합을 형성하며, 상기 LDMOST는 표면 영역에 제공된 제1전도형 표면 영역의 형태로 된 후면 게이트 영역(a back gate region) 및 소오스 영역과 후면 게이트 영역의 에지사이에 정의된 채널 영역, 후면 게이트 영역으로 부터 얼마간 떨어져 위치하는 제2전도형 표면 영역의 형태로 된 드레인 영역을 포함하며, 제1전도형 분리 영역이 LDMOST주위의 표면 영역에 제공되어 상기 표면과 인접하고 반도체 몸체로 확장되며, 제2전도형의 하나이상의 항복 전압 상승 구역(breakdown voltae raising zones)이 드레인 영역과 후면 게이트 영역 및 드레인 영역과 분리 영역사이에 제공되고, 상기 항복 전압 상승 구역은 상기 표면과 인접하고, 상기 표면은 절연층으로 이루어지고 그 상단에 전도체 트랙이 확장되어 드레인 영역에 연결되며, 전압 상승 구역과 분리 영역으로 확장함에 있어서, 상기 후면 게이트 영역을 형성하는 구역 및 상기 후면 게이트와 상기 드레인 영역사이에 위치하고, 상기 후면 게이트 영역에 가장 인접한 제1항복 전압 상승 구역중 적어도 하나는 다른 구역으로 돌출하는 적어도 하나의 돌출부분을 가지고 있으며, 상기 돌출부분이 있는 두 구역사이의 거리는 돌출부분이 없는 상기 구역사이의 거리보다 짧고, 상기 제1항복 전압 상승 구역은, 상기 전도체 트랙이 위로 확장하는 항복 전압 상승 구역에 연결되어 있지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 후면 게이트와 드레인 영역사이에 위치한 모든 항복 전압 상승 구역은 그 상단에 전도체 트랙이 확장하는 항복 전압 상승 구역과는 연결되어 있지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  3. 제1 또는 제2항에 있어서, 상기 후면 게이트와 드레인 영역사이에 위치한 항복 전압 상승 구역과 그 상단에 전도체 서로가 확장하는 항복 전압 상승 구역사이의 측면 거리는 5㎛이상되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  4. 제1 내지 3항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 후면 게이트와 드레인 영역사이에 위치한 항복 전압 상승 구역과 그 상단에 전도체 선로가 확장하는 항복 전압상승 구역사이의 측면 거리는 약 10㎛가 되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  5. 제1 내지 4항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 유전체 절연층(a dielectris insulating layer) 및 전도성 필드 플레이트(a conductive field plate)는 후면에 게이트와 드레인 영역사이에 위치한 항복 전압 상승 구역과 그 상단에 전도체 트랙이 확장하는 항복 전압 상승 구역사이의 표면에 제공되고, 상기 필드는 채널 영역 상단에 제공된 소오스 영역 혹은 게이트 전극(gate electrode)에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  6. 제1 내지 5항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 후면 게이트와 드레인 영역 사이에 위치한 항복 전압 상승 구역으로부터 전도체 트랙의 인접하는 에지까지의 측면 거리는 5㎛이상인 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  7. 제1 내지 6항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 절연층은 실리콘 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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