KR950012145A - 음성형 포토레지스트 조성물 및 에칭방법 - Google Patents

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KR950012145A
KR950012145A KR1019940025536A KR19940025536A KR950012145A KR 950012145 A KR950012145 A KR 950012145A KR 1019940025536 A KR1019940025536 A KR 1019940025536A KR 19940025536 A KR19940025536 A KR 19940025536A KR 950012145 A KR950012145 A KR 950012145A
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KR
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photoresist composition
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negative photoresist
carbon atoms
novolak resin
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KR1019940025536A
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히로시 요시모토
타다요시 고꾸보
Original Assignee
오오니시 미노루
후지샤신 필름 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 우수한 분해능과 감광도를 가지며 현상액 잔류물에 기인되는 미세한 결함이 없는 음성형 포토 레지스트 조성물에 관한 것이다.
포토레지스트 조성물은 (1) 하기 식(I) 또는 (Ⅱ)로 표시되는 감광성 s-트리아진 화합물, (2) 노볼락 수지, (3) 산가교 화합물, 및 (4) 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르 및/또는 그의 에스테르를 함유한다.
식중, R1및 R2는 동일하거나 상이할 수 있으며, 각각 1~3개의 탄소원자를 갖는 하로알킬기 또는 할로알케닐기를 나타내고 ; R3는 수소원자 또는 메틸기를 나타내며 ; R4는 치환될 수도 있는 6~15개의 탄소원자를 갖는 아릴기 또는 1~3개의 환을 갖는 이종환식기를 나타내고 ; n은 1 또는 2를 나타낸다.

Description

음성형 포토레지스트 조성물 및 에칭방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (6)

  1. (1) 하기 식(I) 또는 (Ⅱ)로 표시되는 감광성 s-트리아진 화합물, (2) 노볼락 수지, (3) 산가교 화합물, 및 (4) 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르 및/또는 그의 에스테르로 구성되는 음성형 포토레지스트 조성물.
    식중, R1및 R2는 동일하거나 상이할 수 있으며, 각각 1~3개의 탄소원자를 갖는 할로알킬기 또는 할로알케닐기를 나타내고 ; R3는 수소원자 또는 메틸기를 나타내며 ; R4는 치환될 수도 있는 6~15개의 탄소원자를 갖는 아릴기 또는 1~3개의 환을 갖는 이종환식기를 나타내고 ; n은 1 또는 2를 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 식(I) 또는 (Ⅱ)로 표시되는 화합물은 포토레지스트 조성물이 총 고체 함유량을 기준으로하여 0.001~4O중량%의 양으로 함유됨을 특징으로 하는 음성형 포토레지스트 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 산가교 화합물은 노볼락 수지의 중량을 기준으로 하여 0.001~3O중량%의 양으로 함유됨을 특징으로 하는 음성형 포토레지스트 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 노볼락 수지는 1,000~30,000의 중량 평균 분자량을 가짐을 특징으로 하는 음성형 포토레지스트 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 노볼락 수지는 포토레지스트 조성물의 총 고체 함유량을 기준으로 하여 4O중량% 이상의 양으로 함유됨을 특징으로 하는 음성형 포토레지스트 조성물,
  6. (1) 포토레지스트를 기판상에 코우팅하는 단계 ; (2) 코우팅된 포토레지스트를 패턴노출시킨 다음 굽기공정을 행하는 단계 ; (3) 기판의 미노출 부분에서 포토레지스트릅 제거하여 기판상에 레지스트 패턴을 남기기 위해 상기 포토레지스트를 현상하는 단계 및 (4) 기판을 웰-에칭(wet-etching)하는 단계로 구성되며, 상기 포토레지스트 조성물은 (1) 하기 식(I) 또는 (Ⅱ)로 표시되는 감광성 S-트리아진 화합물, (2)노볼락 수지, (3) 산가교 화합물, 및 (4) 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르 및/또는 그의 에스테르로 구성되는 음성형 포토레지스트 조성물임을 특징으로 하는 에칭방법.
    식중, R1및 R2는 동일하거나 상이할 수 있으며, 각각 1~3개의 탄소원자를 갖는 할로알킬기 또는 할로알케닐기를 나타내고 ; R3는 수소원자 또는 메틸기를 나타내며 ; R4는 치환될 수도 있는 6~15개의 탄소원자를 갖는 아릴기 또는 1~3개의 환을 갖는 이종환식기를 나타내고 ; n은 1 또는 2를 나타낸다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940025536A 1993-10-07 1994-10-06 음성형 포토레지스트 조성물 및 에칭방법 KR950012145A (ko)

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JP5251778A JPH07140653A (ja) 1993-10-07 1993-10-07 ネガ型フオトレジスト組成物及びエツチング方法

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