KR950006339B1 - 표면결정성 석출물 발생방지를 위한 bpsg층 형성방법 - Google Patents

표면결정성 석출물 발생방지를 위한 bpsg층 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950006339B1
KR950006339B1 KR1019910020548A KR910020548A KR950006339B1 KR 950006339 B1 KR950006339 B1 KR 950006339B1 KR 1019910020548 A KR1019910020548 A KR 1019910020548A KR 910020548 A KR910020548 A KR 910020548A KR 950006339 B1 KR950006339 B1 KR 950006339B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bpsg layer
bpsg
forming
layer
forming method
Prior art date
Application number
KR1019910020548A
Other languages
English (en)
Other versions
KR930011118A (ko
Inventor
현일선
양근모
박성기
전영호
손기근
Original Assignee
현대전자산업주식회사
정몽헌
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 현대전자산업주식회사, 정몽헌 filed Critical 현대전자산업주식회사
Priority to KR1019910020548A priority Critical patent/KR950006339B1/ko
Publication of KR930011118A publication Critical patent/KR930011118A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR950006339B1 publication Critical patent/KR950006339B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

표면결정성 석출물 발생방지를 위한 BPSG층 형성방법
제1도는 본 발명의 제1실시예에 의해 BPSG층을 형성한후 그 상부에 얇은 산화막을 형성하고 열공정을 실시한 상태의 단면도.
제2도는 본 발명의 제2실시예에 의해 BPSG층을 형성하되 농도가 다른 다층의 BPSG층으로 형성한후 열공정을 실시한 상태의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판(또는 절연층) 2 : BPSG층
2' : 다층구조의 BPSG층 3 : 얇은 산화막.
본 발명은 고집적 반도체 소자의 제조공정에서 절연 및 평탄화막으로 사용되는 BPSG층(Boro Phosphosilicate Glass Film)을 증착한다음, 열공정을 실시할때 BPSG층 표면에 결정성 석출물(Devitrification)이 발생되는 것을 방지하기 위한 BPSG층형성방법에 관한 것으로, 특히 BPSG층 상부면에 얇은 산화막을 형성하거나, 농도가 차이나는 다층구조의 BPSG층으로 형성하는 방법에 관한것이다.
소자의 고집적화에 따라 스택구조의 셀을 갖는 소자에서는 단차(Topology)가 심각해지고 얇은 접합(shallow Junction)을 위하여 고온에서의 열공정이 제한되어가고 있는 추세이다.
이러한 경향에 맞추어 저온에서 유동성질을 갖는 물질을 평탄화용으로 이용하게 되었으며 그중에 PSG (Phospho Silicate Glass) 또는 BPSG층등의 도포된 산화막이 각광을 받았다.
그러나, 소자의 집접도가 커짐에 따라 보다 낮은 온도에서 원활한 평탄화를 얻기 위하여 도포된 물질에 도핑원소를 과다하게 첨가하게 되었으며 이러한 도핑원소들이 열공정을 거치는 동안 외부로 확산(out-diffusion)되어 산화성물질인 O2와 반응하여 필름표면에 결정성 석출물이 발생되는 현상을 일으킨다. 이 결정성 석출물은 추후공정의 금속시각공정에서 패턴닝 불량 및 스트링거(Striger)를 유발시켜 소자의 불량에 결정적인 영향을 준다.
이러한 결정성 석출물이 발생되는 것을 방지하기 위하여 종래 및 현재개발되는 기술추세는 LP CVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)에서 AP CVD(Atomospheric Pressure Chemical Vapor Deposition)로 증착장비를 전환하거나, 과도한 도핑원소의 사용을 제한하거나, BPSG층 증착 및 플로우(Flow) 공정을 인-시투(In-Situ)로 진행하는 방법등이 있다.
그러나, 본 발명은 BPSG층이 열공정을 실시할때 BPSG층 내부의 붕소(Boron) 또는 인(Phosphorus) 원소들이 표면으로 빠져나와 O2와 결합하여 결정성 석출물을 발생시키는 것을 방지하기 위하여 또한, 붕소 또는 인 원소들의 확산을 억제하기 위하여 BPSG층 상부면에 얇은 산화막을 증착하거나 BPSG층의 농도차이가 나는 다층구조로 증착하는 BPSG층 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
제1도는 본 발명의 제1실시예에 의해 기판(1) 또는 절연층 또는 도전층 상부에 예정된 두께의 BPSG층 (2)을 형성한다음, 얇은 산화막(3)을 형성한후, 열공정을 실시한 상태의 단면도이다. 여기서 원하는 BPSG층(2)의 평탄화를 얻기 위해서는 적절하게 얇은 산화막(3)의 두께를 조절하면 된다.
제2도는 본 발명의 제1실시예에 의해 기판(1) 또는 절연층 또는 도전층 상부에 다층구조의 BPSG층(2')을 형성하되, 저부에는 불순물(B 또는 P)의 농도를 고농도의 BPSG층으로 형성하고 상부로 올라가면서 점차적으로 불순물 농도를 저농도의 BPSG층으로 형성한 상태의 단면도이다. 여기서 다층구조의 BPSG층(2')의 원하는 정도의 평탄화를 얻기 위해서는 각각의 농도가 다른 BPSG층의 조성비를 조절하면 된다.
상기한 바와같이 본 발명에 의하면 BPSG층의 결정성 석출물이 발생하는 것을 방지함으로서 포토공정의 포토레지스트의 접착력을 향상시키고, 금속식각공정에서 금속패터닝을 용이하게 실시할 수 있어 반도체 소자의 수율을 향상시킬 수 있다.

Claims (1)

  1. 반도체 제조공정에서 절연 및 평탄화용 박막으로 사용되는 BPSG층 형성방법에 있어서, BPSG층을 형성하되, BPSG층의 저부에는 불순물의 농도를 고농도로 하고, 상부로 올라 갈수록 불순물의 농도를 저농도로 갖는 다층 BPSG층으로 형성한다음, 열공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 표면결정성 석출물 발생 방지를 위한 BPSG층 형성방법.
KR1019910020548A 1991-11-19 1991-11-19 표면결정성 석출물 발생방지를 위한 bpsg층 형성방법 KR950006339B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910020548A KR950006339B1 (ko) 1991-11-19 1991-11-19 표면결정성 석출물 발생방지를 위한 bpsg층 형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910020548A KR950006339B1 (ko) 1991-11-19 1991-11-19 표면결정성 석출물 발생방지를 위한 bpsg층 형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR930011118A KR930011118A (ko) 1993-06-23
KR950006339B1 true KR950006339B1 (ko) 1995-06-14

Family

ID=19323040

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910020548A KR950006339B1 (ko) 1991-11-19 1991-11-19 표면결정성 석출물 발생방지를 위한 bpsg층 형성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR950006339B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6169026B1 (en) 1995-11-20 2001-01-02 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Method for planarization of semiconductor device including pumping out dopants from planarization layer separately from flowing said layer
KR100262400B1 (ko) * 1995-11-20 2000-09-01 김영환 반도체 소자의 평탄화방법
KR20030067379A (ko) * 2002-02-08 2003-08-14 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 층간 절연막 평탄화 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR930011118A (ko) 1993-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6614098B1 (en) Semiconductor devices and fabrication thereof
US3967310A (en) Semiconductor device having controlled surface charges by passivation films formed thereon
JPH0226374B2 (ko)
JPS61214555A (ja) 半導体装置
KR950006339B1 (ko) 표면결정성 석출물 발생방지를 위한 bpsg층 형성방법
EP0420590B1 (en) Process for forming deposited film and process for producing semiconductor device
JPH1092764A (ja) 半導体素子のポリサイド層形成方法
JPH0547758A (ja) 半導体装置の層間絶縁膜の形成方法
JPS5951549A (ja) 集積回路装置の製造方法
US4727048A (en) Process for making isolated semiconductor structure
US5324536A (en) Method of forming a multilayered structure
JPH0528501B2 (ko)
JP2707538B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR100252915B1 (ko) 반도체소자의 배선구조 및 형성방법
JPH03157925A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3069866B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3270245B2 (ja) 半導体装置とその製造方法
JPS58222539A (ja) 半導体集積回路の製造方法
JPS6320383B2 (ko)
JPS6161698B2 (ko)
KR940008375B1 (ko) 반도체 소자의 제조방법
KR0172541B1 (ko) 다층 금속 배선 형성방법
JPH0324066B2 (ko)
JPH03237744A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5968950A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100524

Year of fee payment: 16

LAPS Lapse due to unpaid annual fee