KR950005308B1 - 폴리아세탈 수지 조성물 구조체 및 그 제조방법 - Google Patents

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Description

폴리아세탈 수지 조성물 구조체 및 그 제조방법

제1도는 종래 중합체 혼합 시스템의 구조체의 개략도.

제2도는 본 발명에 따른 구조체의 개략도.

제3도는 본 발명에 따른 구조체(실시예 1)의 산 분해후 입자로 이루어진 구조(망상 구조)의 전자 현미경사진이다.

[발명분야]

본 발명은 매트릭스로서의 폴리아세탈 수지와 그안에 분산된 열가소성 폴리스티렌 수지로 이루어져 망상구조를 이루는 조성물의 구조체와 그 제조방법에 관한 것이며 간단한 공정으로 저렴하게 형성될 수 있고 폴리아세탈의 특성을 보유하며 특히 성형 수축이 경감되고 표면 특성과 기타 특성이 향상된 성형 수지 물품을 제공한다.

[관련 기술의 설명]

폴리아세탈 수지는 뛰어난 성형성, 기계적 성질면에서 균형을 이룬 성질, 내열성, 내약품성, 내마모성등 및 플라스틱 재료에 있어 우수한 내피로도 때문에 대표적인 엔지니어링 플라스틱으로서 광범위한 분야에 사용된다. 그러나 이용분야가 넓어짐에 따라 비용 감소가 요망되고 수지 성능에 대한 요건이 특수화되는 경향이 있다. 그러한 요건중 하나는 성형 수축을 경감시키는 것이다. 이것은 폴리아세탈 수지가 높은 결정화도로 인하여 성형 수축 정도가 크기 때문인데, 이것은 흔히 정밀 부품, 벽이 얇은 부품 및 대형부분 따위의 적용에서 문제를 일으켜 성형 수축이 예상되는 경우 정교한 몰드 디자인을 행하는 것이 필요하게 된다.

상기한 폴리아세탈 수지의 요건에 대처하기 위한 수단으로 다른 비결정성 수지를 혼입하려는 시도가 있어 왔다. 그 한예는 폴리스티렌 수지를 혼입하는 것으로 이루어진다. 이 방법은 폴리스티렌 수지가 저렴하므로 바람직하다. 그러나 폴리아세탈 수지와 열가소성 폴리스티렌 수지의 중합체 혼합물은 폴리아세탈 수지 고유의 특성이 현저히 저하되는 결점이 있다.

일본 특허공개 제38463/1989호에는 상기한 문제점을 해소하는데 점도가 높은 특정한 폴리스티렌 수지를 사용하는 것이 효과적이라고 개시되어 있다. 이 방법은 여전히 만족스럽지 못하고 더 나아가 흔히 조성물의 제조 및 성형시에 바람직스럽지 못한 문제를 일으키는, 조성물의 점도 증가를 초래한다.

[발명의 개요]

본 발명의 목적은 폴리스티렌 수지와 폴리아세탈 수지의 경우 양 성분들의 분산 형태를 개선시켜 상기 결점들을 해소하고 성형 수축정도가 낮고 가격이 저렴하며 실용성이 뛰어난 성형 수지 물품을 제공하는 것이다.

상기 목적을 고려하여, 본 발명자들은 열가소성 폴리스티렌 수지와 폴리아세탈 수지의 중합체 혼합물의 경우 분산 형태에 관해 예의 연구한 결과 망상 구조를 제공하는 폴리아세탈 수지에 분산된 폴리스티렌 수지로 이루어지는 구조체는, 특정한 충전제를 함께 사용하고 용융 혼련시에 각 성분간의 상대적인 표면장력을 조절함으로써 형성되며, 이와 같이 얻은 망상 구조체는 성형 수축정도가 낮고 기타 특성이 뛰어남을 발견하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

따라서 본 발명은 폴리아세탈 수지(A)와 폴리스티렌 수지(B)가 상호 침투하여 망상 분산을 이루는 폴리아세탈 수지 조성물 구조체를 형성하는 방법에 관한 것이며, 이것은 용융 혼련온도에서 적어도 성분 B의 표면장력보다 더 큰 표면장력을 가지고 평균입경이 0.05 내지 50㎛인 충전제(C)가 매트릭스로서 성분 A와 성분 B를 용융 혼련할 때 하기식(1)과 (2)의 관계를 만족시키는 양으로 혼입되는 것으로 이루어진다 :

B/(A+B)=0.05 내지 0.5(중량으로) (1)

C/(B+C)=0.1 내지 0.7(중량으로) (2)

[발명의 상세한 설명]

먼저 본 발명에 따른 상호 침투 망상 구조체의 분산 형태에 대해 기술한다. 제1도는 매트릭스로서 폴리아세탈 수지(A)의 양보다 비교적 더 적은 양의 열가소성 폴리스티렌 수지(B)가 입자화 형태 또는 얇은 조각으로 갈라진 형태로 분산된, 종래 중합체 혼합물 시스템에서의 분산형태를 나타내는 개략도이다.

한편 제2도는 본 발명의 상호 침투 망상 구조체의 개략도이다. 이 구조체에서 특정한 충전제(C)는 열가소성 폴리스티렌 수지(B)에 둘러싸여 있고 폴리사에탈 수지(A)와 열가소성 폴리스티렌 수지(B)는 함께 망상으로 얽힌 구조를 형성하여 열가소성 폴리스티렌 수지(B)의 함량이 낮음에도 불구하고 실질적으로 연속적인 상이 형성된다.

즉, 본 발명에서 효과적인 양의 열가소성 폴리스티렌 수지 B와 폴리아세탈 수지 A의 적어도 일부 및 일반적으로 대부분은 연속적으로 상호 분산된다. 본 발명은 이러한 분산 형태를 특징으로 하고 종래 폴리스티렌 수지 혼합물의 불가피한 결점, 즉 빈약한 분산성으로 인한 결점을 제거한다. 상기한 분산 구조체는 그것을 적당한 크기로 분쇄 또는 절단하고 매트릭스로서의 성분 A를 산 용액으로 분해하여 제거함으로써 확인될 수 있다. 성분 B가 망상 분산체를 형성할 경우 그것의 형태는 매트릭스 A를 분해 및 제거한 후에도 변하지 않는다.

한편 성분 B가 입자화된 형태 또는 얇은 조각으로 갈라진 형태로 분산될 경우 그 형태는 알아볼 수 없을 정도로 깨진다. 더욱이 매트릭스의 분해후 적당한 시이브로 분리를 행함으로써 망상부분을 실질적으로 정량적으로 측정하는 것도 가능하다.

본 발명의 성분들을 이하 기재한다.

본 발명에서 성분 A로 사용되는 폴리아세탈 수지는 옥시메틸렌기 (-CH₂O-)를 주 구성 단위로 하여 이루어지는 중합체 화합물이고 폴리옥시메틸렌 호모 폴리머와 옥시메틸렌 단위외에 기타 구성 성분을 소량 함유한 코폴리머, 테트폴리머 및 블록 코폴리머중 어느 것이라도 될 수 있으며 이 분자는 선형 구조이거나 분지쇄 또는 가교결합구조일 수 있다. 중합도는 특히 제한되는 것은 아니고 중합체가 성형가능한 정도이다(예컨대 216g의 하중(荷重)하, 190℃에서의 용융 유속(MFR)이 1.5 내지 70이다).

본 발명에서 성분 B로 사용되는 폴리스티렌 수지는 주로 스티렌으로 구성된 공지의 것이고 라디칼 중합 또는 이온 중합으로 제조되며 중합, 용액 중합, 현탁 중합, 에멀션 중합등으로 상업적 규모로 제조되는 어떤 폴리스티렌 수지도 사용할 수 있다. 또한 본 발명의 폴리스티렌 수지(B)는 폴리스티렌만이거나, 주성분인 스티렌과 비닐화합물 또는 디엔화합물 따위의 기타 반응성 단량체와의 공중합체일 수 있다. 폴리스티렌, 폴리-α-메틸스티렌 또는 주성분인 폴리스티렌 또는 폴리-α-메틸스티렌과 메타크릴 에스테르, 아크릴로 니트릴, 부타디엔, 염소화에틸렌등과의 공중합체가 특히 바람직하다.

성분 A와 B는 하기식(3)으로 나타낸 관계를 만족시키는 점도를 가지는 것이 바람직하다 :

MFR(B)/MFR(A)=1/3 내지 50 (3)

여기서 MFR(A)는 ASTM D-1238에 따른 2160g의 하중하, 190℃에서의 폴리아세탈 수지의 용융 유속이고 MFR(B)는 ASTM D-1238에 따른 5000g의 하중하, 200℃에서의 폴리스티렌 수지의 용융 유속이다.

식(3)의 값은 특히 1/2 내지 25가 바람직하다.

본 발명에서 상기한 MFR의 관계에 있어서 폴리아세탈 수지 A의 점도에 대한 폴리스티렌 B의 점도 비는 일본 특허공개 제38463/1989호에서의 값보다 더 낮다(즉 MFR(B)/MFR(A)값이 더 크다).

이것은 본 발명의 망상 분산을 얻는데 상당히 바람직하고 점도 작용으로 인한 성형의 어려움을 피할 수 있게 한다.

본 발명에서 성분 A와 B의 혼합비는 성분 A와 B의 총중량 기준으로 성분 B가 5 내지 50%, 바람직하게는 10 내지 40%이다.

성분 B의 양이 지나치게 적으면 본 발명의 목적을 이를 수 없다. 즉 성분 B가 성형 수축성을 개선시키도록 작용하지 못한다. 한편 성분B의 양이 지나치게 많으면 폴리아세탈 수지에 고유한 성질이 소실되므로 망상 분산 구조체를 만들어내기가 힘들다.

성분 C는 용융 혼련 온도에서 성분 B의 표면장력보다 동일한 온도에서 표면장력이 더 커야하고 성분 C와 성분 B간에 표면장력의 차이는 2dyn/cm 또는 그 이상인 것이 바람직하다.

용융 혼련 온도에서 표면장력을 측정하는 것이 바람직하다. 열가고성 수지의 경우에 그 온도에서 이 분야에서 통상 채택되는 현수 낙하법(hanging drop-method)을 이용하여 표면장력을 측정할 수 있다. 현수 낙하법은 튜브를 수직으로 세우고 튜브 내부에 넣은 시료가 튜브벽에 매달려 액적을 형성한 상태에서 액적의 거동으로부터 액체의 표면장력을 측정하는 것이다. 수지가 용융되지 않았을 때 임계 표면장력은 지즈만 플로트법(Zisman Plot method)으로 계산한 접촉각을 이용하여 측정한다(표면장력 측정의 상세한 내용은 다음의 실시예를 참조).

190℃에서의 표면장력치(dyn/cm)는 폴리아세탈 수지(A)에서는 21이고 폴리스티렌 수지에 대해서는 25 내지 35(예컨대 폴리스티렌 자체에 대해서는 약 28이고 폴리스티렌-아크릴로니트릴 공중합체에 대해서는 31 내지 32)였다. 따라서 성분 C의 표면장력이 성분 B의 표면장력보다 클 때 190℃에서 혼련을 하면 충분할 것이다.

성분 C로서의 충전제는 평균 입자경이 0.05 내지 50㎛, 더 바람직하게는 0.1 내지 10㎛인 입상형인 것이 좋다. 입자경이 작을수록 미세 네트워크 구조의 형성 결과가 더 좋다. 성분 C의 배합량은 성분 B 및 C의 전체량을 기준으로 10 내지 70중량%가 적당하고 20 내지 60중량%가 바람직하다. 성분 C의 양이 지나치게 적으면 본 발명의 효과를 달성하기가 어렵고 너무 많으면 성질이 나빠진다.

네트워크 분산이 본 발명에 따라 나타나는데 그 이유는 용융혼련시 상기 요건을 만족시키는 성분 C의 존재로 인하여 상대적인 표면장력의 영향하에 입상의 성분 C가비교적 선택적으로 성분 B에 내포되고 많은 양의 성분 C를 내부에 내포하는 성분 B가 혼련에 의해 유발된 성분 C의 이동 및 분산을 수반하는 가지형으로 연장되며, 형성된 가지가 서로 결합되어 네트워크 구조를 형성하기 때문인 것으로 추정된다.

성분 C로서의 충전제는 상기 요건이 충족되는 한 무기 및 유기 충전제의 어느 것이라도 무방하다. 예컨대 성분 C는 다음의 충전제로부터 선택된다. 필요하다면 이들 충전제는 표면처리등으로 표면장력을 조절한 후에 이들 충전제를 사용할 수 있다.

무기 충전제(C)의 예에는 실리카, 석영 분말, 유리 비드, 분쇄된 유리 섬유, 유리 벌룬, 유리 분말, 그리고 규산칼슘, 규산알루미늄, 카올린, 활석, 점토, 규조토 및 윌라스토나이트와 같은 규산염, 산화철, 산화티타늄, 산화아연, 삼산화안티몬 및 알루미나와 같은 금속 산화물, 탄산칼슘 및 탄산마그네슘과 같은 금속 탄산염, 황산칼슘 및 황산바륨과 같은 금속 황산염, 그리고 페라이트, 탄화규소, 질화규소 및 질화붕소와 같은 다른 충전제가 있다.

유기 충전제(C)에는 입상의 충전제인 내열성 열가소성 수지, 열경화성 수지 또는 다른 수지가 있다. 그 예에는 페놀 수지, 고용용성 아크릴 수지, 폴리아미드 수지, 멜라민 수지 및 에폭시 수지가 있다. 이들은 단독으로 또는 그 이상의 조합으로 사용될 수 있다.

본 발명의 폴리아세탈 수지 조성물은 이 분야에서 널리 알려진 추가적인 첨가제, 예를 들면 광택제, 활제(slip agent), 핵형성제, 염료 및 안료 이형제, 산화방지제, 열안정제, 기후(광) 안정제, 가수분해 안정제, 무기 또는 유기 섬유상 강화제, 성분 C와는 다른 박편상 또는 입자 충전제 및 성분 A와 B와는 다른 열가소성 수지를 본 발명의 목적을 저해하지 않는 양으로 본 발명의 조성물에 필요로 하는 특성을 부여하기 위해 더 함유할 수 있다.

본 발명의 조성물은 각종 공지 방법으로 제조할 수 있다. 세 성분 즉 성분 A, B 및 C의 존재하에 가열용융하고 30초 또는 그 이상 혼련하는 것이 적어도 필요하다. 기타 성분은 동시에 또는 별도로 첨가할 수 있다. 구체적으로는 예를 들면 성분 A, B 및 C를 텀블러(tumbler) 또는 헨셀 믹서따위의 믹서로 서로 균일하게 혼합한 다음 이 혼합물을 단축 또는 2축 압출기에 공급하여 용융 혼련한 다음 펠릿화한 후 성형하거나 직접 성형한다.

40sec^-1또는 그 이상의 전단 속도하에서 융점에서 용융 혼련하는 것이 바람직하다. 전단속도는 특히 100 내지 500sec^-1이 바람직하다.

처리 온도는 수지 성분의 융점보다 5 내지 100℃ 높은 온도, 특히 바람직하게는 융점보다 10 내지 60℃ 높은 온도이다. 이 온도가 과도하게 높을 경우 분해 및 비정상적인 반응이 일어나 바람직스럽지 못하다.

용융 혼련시간은 적어도 30초에서 15분, 바람직하게는 1 내지 10분이다.

본 발명의 폴리아세탈 수지 조성물의 구조체는 폴리아세탈 수지와 그안에 분산된 폴리스티렌 수지로 이루어져 망상 구조를 이루고, 단순한 방법으로 형성될 수 있으며 폴리아세탈 수지의 결점 즉 성형수축성을 제거할 수 있고 폴리아세탈 수지의 특성에 유지할 수 있으며 종래의 수지 조성물 구조체에서 관찰되는 바람직하지 못한 현상들, 예컨대 성형품의 외관의 저하와 빈약한 분산성으로 인한 특성들을 제거할 수 있고 평활하고 양호한 표면 특성을 나타내며, 이것은 본 발명의 수지 조성물 구조체가 여러 용도로 사용될 수 있음을 보장한다.

[실시예]

본 발명은 하기 실시예를 참고로 하여 더욱 상세히 설명될 것이다. 그러나 이들 실시예에만 제한되는 것은 아니다.

[실시예 1]

각각의 표면장력과 MFR값이 표 1에 명시된 폴리아세탈 수지(A)(폴리 플라스틱사제의 듀라콘)와 폴리스티렌 수지(B)와 아크릴 고무 입자(C)(AR, 평균입경 : 0.3㎛)를 표 1에 명시된 비율로 서로 혼합하고 혼합물을 80rpm의 축의 회전수(전단속도 : 100sec^-1)에서 직경이 30mm인 이축 압출기로 190℃의 미리 결정된 온도로 혼련하고 펠릿화하였다. 펠릿을 사출 성형기에서 시편으로 성형하였다. 시편을 분산성과 물성 평가를 하였다. 그 결과는 표 1에 나타내었다. 특성치는 하기 방법으로 측정하였다.

표면장력의 측정방법

교오와 인터페이스 싸이언스사에서 제조한 자동 경계면 장력계(모델 PD-Z)를 폴리아세탈 수지와 폴리스티렌 수지의 표면장력측정에 사용하였고 현수 적하법(마루젠사 발행의 "카이멘 토 코로이드(Interface and Colloid)" 신지껜 가가꾸코자 vol 18, 1977, pp.78-79에 기재된 방법)으로 190℃의 분위기에서 행하였다. 폴리아세탈 수지와 폴리스티렌 수지의 표면장력은 각각 21dyn/cm와 28dyn/cm이었다. 아크릴 고무입자를 200℃에서 성형하여 압축기에서 필름으로 만들고 각 온도에서의 임계표면장력을 접촉각 방법(마루젠사 발행의 "카이멘토 코로이도"신지껜 가가꾸 코자, vol. 18, 1977, pp. 93-106에 기재된 방법)으로 교오와 인터페이스 싸이언스 CA-Z로 측정하여 온도 계수를 결정하였다. 측정 결과는 다음과 같다. 측정된 값을 190℃에서의 아크릴 고무 수지 입자의 표면장력으로 변화시켜 30dyn/cm임을 알았다.

25℃에서의 표면장력 : 42dyn/cm

60℃에서의 표면장력 : 39.5dyn/cm

80℃에서의 표면장력 : 38dyn/cm

온도 구배(-dr/dT) : 0.072dyn/cm

망상 구조 확인 방법

성형 조각을 크기 10×10×3mm로 절단하여 에탄올 염산 용액(32N 염산 : 에탄올=1 : 3(부피로))을 80℃에서 12시간동안 환류하여 매트릭스 수지로서의 폴리아세탈 수지(A)를 산으로 분해하고 용해하여 제거하였다. 그런다음 폴리스티렌 수지(B)의 분산 형태를 관찰하였다. 분산이 종래기술의 경우처럼 입자형태 또는 얇은 층으로 갈라진 형태로 폴리스티렌 수지(B)가 분산되어 있는 분산일 경우는 성형 조각의 형태는 알아볼 수 없을 정도로 부서지고 단지 폴리스티렌 수지(B)의 퇴적물만 관찰된다.

한편 폴리스티렌 수지(B)가 본 발명에 따라 상호 침투의 망상 구조를 가질 경우 성형조각의 형상은 매트릭스 수지로서의 폴리아세탈 수지(A)의 분해 및 제거후에도 변화되지 않은 채로 있어 육안으로 또는 광학현미경으로 확인할 수 있다. 또한 상침투하는 망상구조는 주사 전자 현미경하에서 확대, 관찰할 수 있다. 제3도는 실시예 1에서 형성된 조성물 구조체의 산 분해후 입자로 이루어진 구조(망상구조)를 나타내는 전자 현미경 사진이다.

정량적인 평가를 하기 위해 상기 방법으로 산처리한 성형 조각을 12메시 시이브로 여과하여 잔류물의 중량을 측정하였다. 분리 및 분산된 부분은 시이브를 통과하여 시이브상에 머무르지 않고 망상 구조 부분은 시이브상에 머무른다. 따라서 잔류물의 중량은 망상구조부분(B 및 C)의 총중량에 해당한다.

인장강도와 신도 : ASTM D-638에 따라 측정

표면 외관 : 표면 거칠기, 광택 및 플로우 마크(flow mark)등을 육안으로 평가하였다.

수축 : 성형된 ASTM 인장 시편의 주어진 방향에서의 치수를 정확히 측정하여 시편과 몰드간의 치수 차이를 결정하고 수축율 %로 표시하였다.

[실시예 2]

아크릴 고무 입자의 평균입경을 표 1에 명시된 것처럼 변경한 것을 제외하고는 실시예 1에 기재된 것과 동일한 방법으로 성형 조각을 제조하였다. 평가 결과는 표 1에 나타내었다. 아크릴 고무 입자를 240℃로 가열하여 응집, 분쇄 및 시이브로 분류하여 아크릴 고무 입자의 입경을 조절하였다.

[비교예 1 내지 4]

폴리아세탈 수지 단독, 폴리스티렌 수지 단독, 성분 C가 없는 2원 시스템 및 본 발명 범위밖의 조합물 각각을 실시예 1 내지 2에서와 동일한 방법으로 펠릿화하고 이 펠릿을 성형하여 평가하였다. 결과는 마찬가지로 표 1에 나타내었다.

[표 1]

[실시예 3 내지 6 및 비교예 5 내지 8]

성분 A,B 및 C의 처방을 표 2에 규정한대로 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 같은 방법으로 성형체를 제조하고 평가하였다. 평가의 결과는 역시 표 2에 주어져 있다.

[표 2]

[실시예 7 내지 9 및 비교예 9 내지 11]

폴리아미드 입자(PA)(평균입경 : 5㎛), 탄산칼슘(평균입경 : 1㎛), 2종의 탈크(일종은 평균입경이 10㎛이고 평균두께 2이며, 다른 것은 평균입경이 60㎛, 평균두께는 5㎛임), 실리콘 중합체(PDM : 평균입경 : 1㎛) 및 테트라 플루오로에틸렌(PTFE, 평균입경 : 0.3㎛)을 충전제로 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 같은 방법으로 조성물을 제조, 성형 및 평가했다. 결과도 표 3에 주어져 있다.

[표 3]

[실시예 10 및 비교예 12]

폴리스티렌 대신에 폴리스티렌-아크릴로니트릴 공중합체(AS)(32dyn/cm)(MFR=15)를 사용한 것으로 제외하고는 실시예 7에서와 같은 방식으로 시험을 행했다. 결과는 표 4에 주어져 있다.

[표 4]

[실시예 11 및 12]

각 MFR치가 4 및 2인 폴리스티렌을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 같은 방식으로 시험을 했다. 결과는 표 5에 주어져 있다.

[표 5]

Claims (5)

1. 폴리아세탈 수지 (A)와 폴리스티렌 수지(B)가 상호침투하는 망분산조직을 형성하는 폴리아세탈 수지조성물 구조체를 형성하는 방법에 있어서, 성분 B를 매트릭스인 성분 A로 용융 혼련할 때에 적어도 B보다 용융혼련온도에서 더 큰 표면장력을 갖고 평균입경 0.05 내지 50㎛를 가진 충전제(C)를 다음식(1) 및 (2)로 표시된 관계를 만족하는 양 배합시키는 것으로 되어 있는, 폴리아세탈 수지 조성물 구조체를 형성하는 방법.

   B/(A+B)=0.05 내지 0.5(중량으로) (1)

   C/(B+C)=0.1 내지 0.7(중량으로) (2)
2. 제1항에 있어서, 용융혼련온도에서 성분 C의 표면장력은 성분 B보다 적어도 12dyn/cm 또는 그 이상인 것을 특징으로 하는 폴리아세탈 수지 조성물 구조체를 형성하는 방법.
3. 제1항에 있어서, MFR(A)는 ASTM D-1238에 따라 2160g의 하중하 190℃에서의 폴리아세탈 수지의 멜트 유속이고 MFR(B)는 ASTM-1238에 따라 5000g의 하중하 200℃에서의 폴리스티렌 수지의 멜트유속일 때, 성분 B가 다음식(3)으로 표시되는 관계를 만족하는 멜트 유속(MFR(B))을 갖도록 성분 A와 성분 B를 채택하는 것을 특징으로 하는 폴리아세탈 수지 조성물 구조체를 형성하는 방법.

   MFR(B)/MFR(A)=1/3 내지 50 (3)
4. 제1항에 있어서, 열가소성 폴리스티렌(B)는 폴리스티렌 또는 폴리스티렌을 주성분으로 하고 아크릴로니트릴 및/또는 아크릴산 또는 그의 에스테르를 공단량체 성분으로 하는 공중합체 수지인 것을 특징으로 하는 폴리아세탈 수지 조성물 구조체를 형성하는 방법.
5. 제1항 내지 4항중의 어느 한항에 의한 방법에 의해 형성된 폴리아세탈 수지 조성물로 구성된 것을 특징으로 하는 성형부품.