KR950004586A - 박막트랜지스터의 제조방법 - Google Patents

박막트랜지스터의 제조방법 Download PDF

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KR950004586A
KR950004586A KR1019930013208A KR930013208A KR950004586A KR 950004586 A KR950004586 A KR 950004586A KR 1019930013208 A KR1019930013208 A KR 1019930013208A KR 930013208 A KR930013208 A KR 930013208A KR 950004586 A KR950004586 A KR 950004586A
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KR
South Korea
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thin film
cdse
manufacturing
film transistor
doped
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KR1019930013208A
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Inventor
채기성
Original Assignee
이헌조
주식회사 금성사
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Abstract

본 발명은 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 특히 cdse 박막트랜지스터 구조를 self-alignment 구조로 제조하여 박막트랜지스터의 개생정전용량을 최소하시켜 화면크기를 증대시키고, 신호왜곡을 최소화시켜 화질을 향상시키고자 함을 목적으로 한 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 이러한 본 발명의 목적은 유리기판상에 게이트전극 및 게이트 절연막을 순차 형성하고, 상기 게이트 절연막상에 cdse 박막을 아일랜드(Island) 형태로 형성시키는 공정과, 상기 cdse 박막상에 감광수지를 도포한 후 광을 조사하여 감광막을 형성하고, 상기 cdse 박막 소정부위에 도핑될 물질을 주입하여 접합박막을 형성하는 공정과, 상기 도핑된 cdse 박막상에 절연층을 증착하여 상기 절연층상에 소스/드레인 전극을 위한 금속전극층을 형성하는 공정으로 박막트랜지스터를 제조함으로써 달성된다.

Description

박막트랜지스터의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3 도는 본 발명에 적용되는 박막트랜지스터의 제조공정도, 제 4 도의 (가),(나)는 본 발명의 타실시예도.

Claims (5)

  1. 유리기판상에 게이트전극 및 게이트 절연막을 순차 형성하고, 상기 게이트 절연막상에 cdse 박막을 아릴랜드(Island) 형태로 형성시키는 공정과, 상기 cdse 박막상에 감광수지를 도포하 후 광을 조사하여 감광막을 형성하고, 상기 cdse 박막 소정부위에 도핑될 물질을 주입하여 접합박막을 형성하는 공정과, 상기 도핑된 cdse 박막상에 절연층을 증착하고 상기 절연층상에 소스/드레인전극을 위한 금속전극층을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 한 박막트랜지스터의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 도핑될 물질은 이온주입기로 주입함을 특징으로 한 박막트랜지스터의 제조방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 도핑될 물질은 카드뮴(cd)을 사용함을 특징으로 한 박막트랜지스터의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 접합박막은 상기 cdse 박막의 양쪽가장자리 부분에 형성시킴을 특징으로 한 박막트랜지스터의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 감광막은 상기 접합박막 이외의 cdse 박막내로의 도핑물질 침투를 방지시킴을 특징으로 한 박막트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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