KR950004264A - 전압 발생 회로 - Google Patents

전압 발생 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR950004264A
KR950004264A KR1019940017746A KR19940017746A KR950004264A KR 950004264 A KR950004264 A KR 950004264A KR 1019940017746 A KR1019940017746 A KR 1019940017746A KR 19940017746 A KR19940017746 A KR 19940017746A KR 950004264 A KR950004264 A KR 950004264A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
comparator
terminal
signal
output
Prior art date
Application number
KR1019940017746A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100299816B1 (ko
Inventor
도미니끄 사비냑
디터 글라이스
만프레트 멩케
Original Assignee
발도르프, 피켄셔
지멘스 악티엔게젤샤프트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 발도르프, 피켄셔, 지멘스 악티엔게젤샤프트 filed Critical 발도르프, 피켄셔
Publication of KR950004264A publication Critical patent/KR950004264A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100299816B1 publication Critical patent/KR100299816B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4074—Power supply or voltage generation circuits, e.g. bias voltage generators, substrate voltage generators, back-up power, power control circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/145—Applications of charge pumps; Boosted voltage circuits; Clamp circuits therefor
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Control Of Eletrric Generators (AREA)
  • Electrophonic Musical Instruments (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Abstract

전압 발생 회로는 충전 펌프 또는 전압 조정기의 접속 및 차단을 위해 보다 짧은 신호지연 및 보다 큰 전력 손실을 갖는 제1비교기, 및 보다 긴 신호지연 및 보다 작은 전력 손실을 갖는 제2비교기를 포함한다. 저장 캐패시터에 인가되는 출력전압은 비교기에서 각각 하나의 스위칭 드레쉬홀드와 비교되며, 이 경우 출력 전압과 관련한 제1비교기의 스위칭 드레쉬홀드는 제2비교기의 드레쉬홀드 보다 더 크다. 제1비교기에 의해 제2비교기가 접속 및 차단되며, 제2비교기에 의해 충전펌프 또는 전압조정기가 제어된다. 제1비교기가 필요시에만 접속되므로 회로의 전력손실이 적다. 본 발명에 따른 회로는 특히 DRAM에서 증가된 워드라인 전압 또는 감소된 동작전압을 발생시키기 위해 사용된다.

Description

전압 발생 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 증가된 전압을 발생시키기 위한 회로의 블록회로도.

Claims (9)

  1. (a) 출력전압(A)을 인출하기 위한 단자(3)를 가진 저장 캐패시터(1), (b) 접속 및 차단 가능하며, 저장 캐패시터(1)의 단자(3)에 접속된 출력을 가진 전압 발생 장치(2,70), (c) 접속 및 차단 가능하며, 출력 전압(A)을 제1드레쉬 홀드 전압과 비교함으로써 전압 발생 장치(2)를 접속 및 차단하기 위한 신호(B)를 발생시키는 제1비교기(1), (d) 출력전압(A)을 제2드레쉬홀드 전압과 비교함으로써 제1비교기(6)를 접속 및 차단시키는 출력신호(C)를 발생시키는 제2비교기(7)를 포함하는 전압 발생 회로.
  2. 제1항에 있어서, 제2비교기(7)의 출력신호(C)가 논리 연산 소자(12)에 의해 제어신호(CTRL)와 연산되고, 논리 연산 소자(12)의 출력신호(D)에 의해 제1비교기 (6)가 접속 및 차단되는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 제1비교기(6)가 제2비교기(7)보다 짧은 지연시간을 가지며, 제1드레쉬 홀드 전압이 제2드레쉬홀드 전압보다 작고, 제1비교기의 출력신호(B)가 에지 검출기(13)에 공급되며, 상기 에지 검출기는 전압 발생 장치 (2,70)를 차단시키는 신호 에지에서 제2비교기(7)를 리세트시키는 펄스를 발생시키는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.
  4. 제3항에 있어서, 각각의 비교기가 (a) 기준 전위(VREF) 및 제1공급 전위 전위(VSS)로부터 전압을 공급하는 비교단(30), (b) 제1공급전위(VSS) 및 제2공급전위 (VDD)로부터 전압을 공급받으며 비교단(30)의 출력신호 레벨에 의해 공급전위(VDD, VSS)중 하나로 변환되는 레벨 변환 장치(31), 및 (c) 레벨변환 장치(31)의 출력 다음에 접속된 증폭기단(32)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.
  5. 제4항에 있어서, 비교단(30)이 (a) 기준전위(VREF)에 접속된 드레인 단자, 및 출력전압(A)에 의해 제어되는 게이트 단자를 가진 제1n채널 MOS 트랜지스터(33; 50), (b) 제1n채널 MOS 트랜지스트(33;50)의 소오스 단자와 제1공급전위(VSS) 사이에 접속된 드레인-소오스 구간, 및 기준전위(VREF)에 접속된 게이트 단자를 가진 제2n채널 MOS 트랜지스터(34;51), (c) 제1n채널 MOS 트랜지스터(33;50)의 소오스 단자에 접속된 입력을 가진 적어도 하나의 증폭기단(36)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.
  6. 제5항에 있어서, 증폭기단(36)의 입력은 p채널 MOS 트랜지스터(52)를 통해 기준전위(VREF)에 접속되고, 상기 트랜지스터의 게이트 단자는 리세트를 위한 한 신호(D:E)에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.
  7. 제6항에 있어서, 비교단(30)의 제2n채널 MOS트랜지스터(34)는 n채널 MOS트랜지스터(35)를 통해 제1공급전위(VSS)에 접속되고, 상기 트랜지스터(35)의 게이트 단자는 비교기를 접속 및 차단시키기 위한 신호(D)에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.
  8. 제1항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 전압 발생 장치(2)가 한 신호에 의해 접속 및 차단 가능한 발진기(14), 및 상기 발진기(14)에 의해 제어되는 펌프회로(15)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.
  9. 제1항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 전압 발생 장치(70)가 제2공급전위(VDD)와 저장 캐패시터의 단자(3) 사이에 접속된 드레인-소오스 구간, 및 제1비교기(6)의 출력신호에 의해 제어되는 게이트단자를 가진, MOS 트랜지스터(71)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940017746A 1993-07-23 1994-07-22 전압발생회로 KR100299816B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP4324853.5 1993-07-23
DE4324853A DE4324853C1 (de) 1993-07-23 1993-07-23 Spannungserzeugungsschaltung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950004264A true KR950004264A (ko) 1995-02-17
KR100299816B1 KR100299816B1 (ko) 2001-10-22

Family

ID=6493602

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940017746A KR100299816B1 (ko) 1993-07-23 1994-07-22 전압발생회로

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5592063A (ko)
EP (1) EP0635838B1 (ko)
JP (1) JP3755907B2 (ko)
KR (1) KR100299816B1 (ko)
AT (1) ATE179019T1 (ko)
DE (2) DE4324853C1 (ko)
HK (1) HK1003739A1 (ko)
TW (1) TW253056B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040035925A (ko) * 2002-10-12 2004-04-30 린나이코리아 주식회사 조리기기용 노브 결합구조
KR101404914B1 (ko) * 2008-02-12 2014-06-09 엘지전자 주식회사 모터, 이를 포함하는 세탁기 및 그 제어방법

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11213674A (ja) * 1998-01-20 1999-08-06 Sony Corp 電圧供給回路
KR100680441B1 (ko) * 2005-06-07 2007-02-08 주식회사 하이닉스반도체 안정적인 승압 전압을 발생하는 승압 전압 발생기
US7368948B2 (en) * 2005-07-15 2008-05-06 Infineon Technologies Ag Integrated receiver circuit
US8239190B2 (en) 2006-08-22 2012-08-07 Qualcomm Incorporated Time-warping frames of wideband vocoder
US8680650B2 (en) * 2009-02-03 2014-03-25 Micron Technology, Inc. Capacitor structures having improved area efficiency
US9926932B2 (en) 2012-09-14 2018-03-27 Emerson Climate Technologies (Suzhou) Co., Ltd. Discharge valve and compressor comprising same
US10090758B1 (en) * 2017-08-22 2018-10-02 Synaptics Incorporated Split reservoir capacitor architecture for a charge pump

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8200235A (nl) * 1982-01-22 1983-08-16 Philips Nv Pulsgenerator uitgevoerd met ten minste twee spanningsvergelijkschakelingen.
JPH01106622A (ja) * 1987-10-20 1989-04-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 充電比較回路
US4794278A (en) * 1987-12-30 1988-12-27 Intel Corporation Stable substrate bias generator for MOS circuits
JP2999781B2 (ja) * 1989-10-04 2000-01-17 三洋電機株式会社 発振回路
US5267201A (en) * 1990-04-06 1993-11-30 Mosaid, Inc. High voltage boosted word line supply charge pump regulator for DRAM
JP2805973B2 (ja) * 1990-05-11 1998-09-30 日本電気株式会社 ブートストラップ回路
JP2607733B2 (ja) * 1990-05-31 1997-05-07 シャープ株式会社 半導体記憶装置の昇圧回路
KR940002859B1 (ko) * 1991-03-14 1994-04-04 삼성전자 주식회사 반도체 메모리장치에서의 워드라인 구동회로
JPH04318393A (ja) * 1991-04-17 1992-11-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置の基板電位発生回路
US5168174A (en) * 1991-07-12 1992-12-01 Texas Instruments Incorporated Negative-voltage charge pump with feedback control
KR940008286B1 (ko) * 1991-08-19 1994-09-09 삼성전자 주식회사 내부전원발생회로
US5268871A (en) * 1991-10-03 1993-12-07 International Business Machines Corporation Power supply tracking regulator for a memory array
JP3186034B2 (ja) * 1991-10-21 2001-07-11 日本電気株式会社 基準電圧発生回路
KR960000837B1 (ko) * 1992-12-02 1996-01-13 삼성전자주식회사 반도체 메모리장치
US5418751A (en) * 1993-09-29 1995-05-23 Texas Instruments Incorporated Variable frequency oscillator controlled EEPROM charge pump

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040035925A (ko) * 2002-10-12 2004-04-30 린나이코리아 주식회사 조리기기용 노브 결합구조
KR101404914B1 (ko) * 2008-02-12 2014-06-09 엘지전자 주식회사 모터, 이를 포함하는 세탁기 및 그 제어방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP0635838B1 (de) 1999-04-14
EP0635838A3 (de) 1996-11-06
ATE179019T1 (de) 1999-04-15
EP0635838A2 (de) 1995-01-25
HK1003739A1 (en) 1998-11-06
TW253056B (ko) 1995-08-01
JPH07130169A (ja) 1995-05-19
JP3755907B2 (ja) 2006-03-15
KR100299816B1 (ko) 2001-10-22
US5592063A (en) 1997-01-07
DE4324853C1 (de) 1994-09-22
DE59408104D1 (de) 1999-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960009394B1 (ko) 동적 임의 접근 메모리용 전원 회로
US5267201A (en) High voltage boosted word line supply charge pump regulator for DRAM
US7368969B2 (en) Level shift circuit and semiconductor device
US6522193B2 (en) Internal voltage generator for semiconductor memory device
US5565811A (en) Reference voltage generating circuit having a power conserving start-up circuit
US20050093614A1 (en) Multi stage voltage pump circuit
US20020075706A1 (en) Boosted voltage supply
KR970051173A (ko) 승압펄스 발생회로
KR940017214A (ko) 기준전압 발생회로
KR970008162A (ko) 저소비전력의 내부전원회로
US6066975A (en) Level converter circuit
US5686824A (en) Voltage regulator with virtually zero power dissipation
US5532640A (en) Voltage generator circuit generating stable negative potential
KR20010060104A (ko) 전압 변환 회로
US5278798A (en) Semiconductor memory device
KR950004264A (ko) 전압 발생 회로
KR100197998B1 (ko) 반도체 장치의 저소비 전력 입력 버퍼
KR960039569A (ko) 승압 회로
USH497H (en) Ratioed power on reset circuit
KR930023734A (ko) 반도체장치의 내부전원 발생회로
US6191624B1 (en) Voltage comparator
KR100281281B1 (ko) 고전압 발생기
KR100746616B1 (ko) 스윙폭조절회로 및 이를 이용한 고전압 펌핑회로
US6850110B2 (en) Voltage generating circuit and method
KR970003257A (ko) 반도체 메모리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110602

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee