KR950001973A - 반도체 웨이퍼의 전하 측정방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼의 전하 측정방법 Download PDF

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Abstract

반도체 웨이퍼의 전하량은 비접촉 측정장치를 사용해서 측정된다. 소정의 공정을 전후해서 제1 및 제 2 플랫밴드 전압은 비접촉 C-V측장장치로 측정된다. 또한, 측정용 전극과 반도체 웨이퍼 표면사이의 갭이 소정의 공정을 전후해서 측정된다. 반도체 웨이퍼 표면 부근에 축적된 전하는 소정의 공정을 전후해서 측정된 갭과 플랫밴드 전압에 의해 구해진다.

Description

반도체 웨이퍼의 전하 측정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명을 실현한 전하 측정방법을 나타내는 플로워챠트.

Claims (8)

  1. 반도체 웨이퍼의 기판 표면상에 형성된 절연막에서 전하를 측정하기 위한 방법에 있어서, (a) 제 1 플랫밴드 전압을 구하기 위해 상기 반도체 웨이퍼의 C-V특성을 측정하는 단계와 (b) 소정의 공정으로 상기 반도체 웨이퍼를 처리하는 단계와; (c) 상기 소정의 공정후 제2플랫밴드 전압을 구하기 위해 상기 반도체 웨이퍼의 C-V특성을 측정하는 단계와; (d) 상기 소정의 공정을 통해 상기 반도체 웨이퍼의 상기 절연막에 축적된 상기 전하를 상기 제1 및 제 2 플랫밴드 전압으로 구하는 단계를 구비하는 반도체 웨이퍼의 전하측정방법.
  2. 반도체 웨이퍼의 기판 표면상에 형성된 절연막에서 전하를 측정하기 위한 방법에 있어서, (a) 측정용 전극과 상기 반도체 웨이퍼로부터 떨어진 상기 측정용 전극을 보지하기 위한 보지수단을 가지는 비접촉 측정장치를 제공하는 단계와; (b) 제1 플랫밴드 전압(Vfb)을 구하기 위해 상기 비접촉 측정장치로 상기 반도체 웨이퍼의 C-V특성을 측정하는 단계와; (c) 소정의 공정으로 상기 반도체 웨이퍼를 처리하는 단계와; (d) 상기 소정의 공정 후 제2 플랫밴드 전압(V´fb)을 구하기 위해 상기 비접촉 측정장치로 상기 반도체 웨이퍼의 C-V특성을 측정하는 단계와, (e) 상기 소정의 공정을 통해 상기 반도체 웨이퍼의 상기 절연막에 축적된 상기 전하를 상기 제1 및 제2플랫밴드 전압으로 구하는 단계를 구비하는 반도체 웨이퍼의 전하 측정방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기(b)단계는 상기 반도체 웨이퍼로부터 갭(dair)만큼 떨어진 상기 측정용 전극을 보지하는 단계를 포함하며; 상기(d)단계는 상기 반도체 웨이퍼로부터 갭(dair)만큼 떨어진 상기 측정용 전극을 보지하는 단계를 포함하며; 상기 (e)단계는 여기서Vfd가 (v´fd-Vfd)이고, Rp가 소정의 공정을 통해 상기 절연막으로 주입된 대전입자의 투사범위, εO가 진공중의 유전율 그리고, εin가 상기 절연막의 유전상수를 나타낼 때,
    상기 수식에 의해 전하(qNi)를 구하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 전하 측정방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 (b)단계 및 (d)단계 각각은, 반사면이 상기 반도체 웨이퍼와 실제 평행하게 떨어져 있는 동안 기하학적인 광학 전반사 조건에서 반사경의 상기 반사면에 의해 반사되는 상기 보지수단의 투명반사경으로 광비임을 도입하는 단계와; 상기 반사면에 의해 반사된 상기 광비임의 반사율을 측정하는 단계와; 상기 반사율로서 상기 갭(dair)을 구하는 단계를 더 구비하는 반도체 웨이퍼의 전하 측정방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 반도체 웨이퍼로부터 제 1 갭(dair)만큼 떨어진 상기 테스트 전극을 보지하는 단계를 포함하며; 상기 (d)단계는 상기 반도체 웨이퍼로부터 제2갭(d´air)만큼 떨어진 상기 측정용 전극을 보지하는 단계를 포함하며; 상기 (e)단계는 Rp가 소정의 공정을 통해 상기 절연막에 주입된 대전입자의 투사범위, εO가 진공의 유전율, εin가 상기 절연막의 유전율, din가 상기 절연막의 두께, Φms가 상기 측정용 전극과 상기 기판 사이의 일함수차를 나타낼 때,
    상기 수식에 의해 전하(qNi)를 구하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 전하 측정방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 (b)단계는, 반사면이 상기 반도체 웨이퍼와 실제 평행하게 떨어져 있는 동안 기하학적인 광학 전반사 조건에서 반사경의 상기 반사면에 의해 반사되는 상기 보지수단의 투명반사경으로 제1광비임을 도입하는 단계와; 상기 반사면에 의해 반사된 상기 광비임의 반사율을 측정하는 단계와; 상기 반사율로서 상기 갭(dair)을 구하는 단계를 더 구비하며; 상기 (d)단계는, 반사면이 상기 반도체 웨이퍼와 실제 평행하게 떨어져 있는 동안 기하학적인 광학 전반사 조건에서 반사경의 상기 반사면에 의해 반사되는 상기 투명반사경으로 제2광비임을 도입하는 단계와; 상기 반사면에 의해 반사된 상기 제2광비임을 반사율을 측정하는 단계와; 상기 제2반사율로서 상기 제2갭(dair)을 구하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 전하 측정방법.
  7. 반도체 웨이퍼의 기판 표면상에 형성된 제1절연층에서 전하를 측정하기 위한 방법에 있어서, (a) 하부에 제2절연층을 가지는 측정용 전극을 가지는 측정장치를 제공하는 단계와; (b) 상기 제2절연층이 상기 제1절연층과 접촉하도록 상기 측정용 전극을 위치시켜 제1 플랫밴드 전압을 구하기 위해 상기 측정장치로 상기 반도체 웨이퍼의 C-V특성을 측정하는 단계와; (c) 소정의 공정으로 상기 반도체 웨이퍼를 처리하는 단계와; (d) 상기 제2절연층이 상기 제1절연층과 접촉하도록 상기 측정용 전극을 위치시켜 제1 플랫밴드 전압을 구하기 위해 상기 측정장치로 상기 반도체 웨이퍼의 C-V특성을 측정하는 단계와; (e) 상기 소정의 공정을 통해 축적된 상기 반도체 웨이퍼의 상기 절연막에서 상기 전하를 상기 제1 및 제2플랫밴드 전압으로 구하는 단계를 구비하는 반도체 웨이퍼의 전하 측정방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 (e)단계는
    여기서Vfb가 (V´fb-Vfb)이고, Rp가 소정의 공정을 통해 상기 제1절연측에 주입된 대전입자의 투사범위, εO가 진공중의 유전율, εin1가 상기 제1절연층의 유전상수, εin2가 상기 제2절연층의 유전상수, din2가 상기 제2절연층의 두께를 나타낼 때, 상기 수식에 의해 순수전하(qNi)를 구하는 단계를 포함함을 특징을 하는 반도체 웨이퍼의 전하 측정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010050749A (ko) * 1999-09-29 2001-06-15 이충중 탈취필터 및 그 제조방법
KR100683384B1 (ko) * 2005-12-30 2007-02-15 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 계면 전하포획 밀도 측정 방법

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5563508A (en) * 1995-03-31 1996-10-08 Panasonic Technologies Non-contact resistivity measurement apparatus and method using femtosecond laser pulses to create an electron flow
US5872456A (en) * 1997-05-23 1999-02-16 Applied Materials, Inc. Apparatus for directly measuring component values within an RF circuit
JP4207307B2 (ja) * 1999-04-26 2009-01-14 日新イオン機器株式会社 チャージアップ測定装置
JP3736740B2 (ja) * 2000-12-12 2006-01-18 シャープ株式会社 絶縁膜容量評価装置および絶縁膜容量評価方法
US6558964B2 (en) * 2000-12-27 2003-05-06 Lam Research Corporation Method and apparatus for monitoring a semiconductor wafer during a spin drying operation
US6703641B2 (en) 2001-11-16 2004-03-09 International Business Machines Corporation Structure for detecting charging effects in device processing
US6741445B1 (en) * 2002-01-16 2004-05-25 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system to monitor and control electro-static discharge
JP4658458B2 (ja) 2002-07-22 2011-03-23 大日本スクリーン製造株式会社 膜厚測定方法、比誘電率測定方法、膜厚測定装置、および比誘電率測定装置
US8829912B2 (en) * 2008-08-27 2014-09-09 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Tribocharge test fixture
TWI410639B (zh) 2011-01-28 2013-10-01 私立中原大學 薄膜淨電荷之量測方法及其裝置
CN107515367B (zh) * 2017-09-12 2024-02-09 青岛科技大学 半导电体电荷发射测试方法及装置
CN108445310B (zh) * 2018-06-05 2023-10-27 沈阳工业大学 一种聚合物表面电荷与陷阱能级特性测量装置及方法
US11073544B2 (en) * 2019-05-23 2021-07-27 Advanced Energy Industries, Inc. System and method to measure and adjust a charge of a workpiece

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3873209A (en) * 1973-12-10 1975-03-25 Bell Telephone Labor Inc Measurement of thin films by optical waveguiding technique
US3995216A (en) * 1975-04-28 1976-11-30 International Business Machines Corporation Technique for measuring surface states in metal-insulator-semiconductor structures
DE2937484A1 (de) * 1979-09-17 1981-05-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Optische vorrichtung zum messen von druckdifferenzen mittels lichtintensitaetsaenderung
DE3116611C2 (de) * 1980-05-01 1985-05-15 Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo Vorrichtung zur Messung von Halbleitereigenschaften
US4490618A (en) * 1982-04-12 1984-12-25 Canadian Patents & Development Limited Optical system for analyzing the surface of a fibrous web
US4681451A (en) * 1986-02-28 1987-07-21 Polaroid Corporation Optical proximity imaging method and apparatus
JPS63111403A (ja) * 1986-10-30 1988-05-16 Toshiba Corp 変位測定装置
FR2613826B1 (fr) * 1987-04-07 1990-10-26 Commissariat Energie Atomique Capteur de deplacement en optique integree
JPS63255606A (ja) * 1987-04-13 1988-10-21 Toshiba Corp 変位測定装置
JPS63263401A (ja) * 1987-04-22 1988-10-31 Toshiba Corp 変位測定方法
US4827212A (en) * 1988-01-20 1989-05-02 Semitest, Inc. Noninvasive method and apparatus for characterization of semiconductors
US5091691A (en) * 1988-03-21 1992-02-25 Semitest, Inc. Apparatus for making surface photovoltage measurements of a semiconductor
US5018865A (en) * 1988-10-21 1991-05-28 Ferrell Thomas L Photon scanning tunneling microscopy
JPH02244106A (ja) * 1989-03-17 1990-09-28 Hitachi Ltd 薄膜光学定数の測定方法及びそれを用いて作製した光集積回路もしくは半導体素子
DE3909143A1 (de) * 1989-03-21 1990-09-27 Basf Ag Verfahren zur untersuchung von oberflaechenstrukturen
JPH0432704A (ja) * 1990-05-29 1992-02-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ギャップ測定装置および表面形状測定装置
JP2802825B2 (ja) * 1990-09-22 1998-09-24 大日本スクリーン製造 株式会社 半導体ウエハの電気測定装置
US5239183A (en) * 1991-04-30 1993-08-24 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Optical gap measuring device using frustrated internal reflection
US5442302A (en) * 1992-12-24 1995-08-15 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method and apparatus for measuring high-frequency C-V characteristics of MIS device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010050749A (ko) * 1999-09-29 2001-06-15 이충중 탈취필터 및 그 제조방법
KR100683384B1 (ko) * 2005-12-30 2007-02-15 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 계면 전하포획 밀도 측정 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US5475319A (en) 1995-12-12
KR0150416B1 (ko) 1998-12-01
JPH06349920A (ja) 1994-12-22

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