RU2025656C1 - Устройство для неразрушающего измерения толщины диэлектрических и полупроводниковых пленок в фиксированной точке - Google Patents

Устройство для неразрушающего измерения толщины диэлектрических и полупроводниковых пленок в фиксированной точке Download PDF

Info

Publication number
RU2025656C1
RU2025656C1 SU4944490A RU2025656C1 RU 2025656 C1 RU2025656 C1 RU 2025656C1 SU 4944490 A SU4944490 A SU 4944490A RU 2025656 C1 RU2025656 C1 RU 2025656C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
radiation
mirror
thickness
focus
elliptical
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
А.С. Иванов
Д.Г. Летенко
И.А. Торчинский
А.Б. Федорцов
Ю.В. Чуркин
Original Assignee
Федорцов Александр Борисович
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федорцов Александр Борисович filed Critical Федорцов Александр Борисович
Priority to SU4944490 priority Critical patent/RU2025656C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2025656C1 publication Critical patent/RU2025656C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для определения толщины прозрачных пленок. Целью изобретения является расширение области применения за счет резкого сокращения времени измерения толщины пленок. Монохроматическое излучение направляется на образец при непрерывном изменении угла падения луча с помощью плоского вращающегося зеркала, двух эллиптических зеркал, через фокус одного из которых проходит ось вращения плоского зеркала, а в фокусе второго-приемник излучения, и наблюдается изменение интенсивности отраженного излучения путем построения интерференционной кривой, по числу максимумов которой определяется толщина пленки в облучаемой точке образца. 1 ил.

Description

Изобретение относится к измерительной технике, предназначено для быстрого измерения толщины твердых и жидких диэлектрических и полупроводниковых пленок и покрытий в диапазоне 10 мкм - 1 мм и может использоваться в научных исследованиях.
Известны устройства и приборы, позволяющие определять толщину диэлектрических и полупроводниковых пленок неразрушающими методами [1], [2].
Известно устройство для измерения однородных толщин прозрачных твердых и жидких пленок интерферометрическим методом, содержащее лазер, фотоприемник и пантограф [3].
Это устройство позволяет измерять толщину пленки путем получения информации из угловой зависимости интенсивности отраженного от пленки луча света лазера. В частности толщина пленки t определяется из соотношения
t =
Figure 00000001
где λ - длина волны лазера;
M - число периодов изменения интенсивности (число пиков угловой зависимости интенсивности); θ1 и θ2 - пределы изменения угла падения луча θ на пленку;
φ(θ) = 2
Figure 00000002

n - показатель преломления пленки.
Угол падения θ с помощью такого устройства измеряют поднимая и опуская верхний шарнирный узел пантографа, на соединительных звеньях (плечах) которого симметрично (относительно образца - пленки) расположены излучатель-лазер и приемник, сигнал с которого подается на самописец.
Недостатки этого устройства следующие:
существенные погрешности измерений, возникающие из-за большого числа движущихся деталей и сочленений, предопределенные выбором конструкции в виде пантографа для изменения угла падения луча;
большая длительность процесса измерений и вследствие этого низкая скорость, что не позволяет измерять надежно толщины жидких пленок, снижает производительность измерений, и резко сужает диапазон возможного применения;
установка лазера на подвижном пантографе влечет возможность отказов лазера в процессе измерений и нарушения в оптической схеме падающего и отраженного лучей, что неизбежно ухудшает точность измерений.
Целью изобретения является расширение области применения интерферометрического метода измерений за счет сокращения времени измерений и повышение производительности. Благодаря этому возможно измерение толщины не только твердых пленок, но и толщины жидких пленок, у которых она меняется со временем.
На чертеже изображено предложенное устройство.
Оно содержит неподвижный источник излучения - лазер 1, плоское вращающееся зеркало 2; неподвижные эллиптические зеркала 3 и 6; держатель образца (пленки) 4; приемник излучения 7 и осциллограф 8.
Ось вращения электродвигателя, на которой закреплено вращающееся зеркало 2, лежит в плоскости зеркала 2 и проходит через верхний фокус F1 эллиптического зеркала 3, а держатель 4 образца установлен так, чтобы облучаемая (фиксированная) точка образца 5 находилась в совмещенных нижних фокусах F2 и F3 зеркал 3 и 6. Приемник излучения находится в верхнем фокусе F4 зеркала 6.
Работает устройство следующим образом.
Луч лазера 1 падает в точку на плоском вращающемся зеркале 2, совмещенную с фокусом F1, отразившись от которого он последовательно (вследствие непрерывного вращения зеркала 2) "скользит" по поверхности эллиптического зеркала 3, все время отражаясь в одну и ту же точку (но под разными углами) образца, находящуюся в нижнем фокусе F2 зеркала 3. Отраженное от образца (пленки) 5 излучение попадает на эллиптическое зеркало 6, от которого отражается в одну и ту же точку (верхний фокус F4 зеркала 6), в которой находится фотоприемник 7, сигнал с которого попадает на вход осциллографа 8, на экране которого наблюдают угловую зависимость интенсивности отраженного от образца излучения. Из углового расстояния между пиками этой зависимости определяют толщину пленки.
Диапазон изменения угла θ падения в устройстве задан, он определяется положением концов первого эллиптического зеркала. Толщина пленки t определяется по указанной формуле по числу пиков M на полученной зависимости.
В предлагаемом устройстве имеется всего один подвижный элемент - плоское вращающееся зеркало, скорость вращения которого достаточно высока (в области > 50 об/с). Время изменения угла падения (время развертки) в пределах от 5 до 70о в фиксированной точке образца является очень малым ≈ 0,001 с. Это на четыре порядка меньше, чем аналогичный параметр в известном устройстве. Благодаря такой высокой скорости измерения толщины пленок предлагаемое устройство расширяет диапазон применения в сравнении с прототипом.

Claims (1)

  1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК В ФИКСИРОВАННОЙ ТОЧКЕ, содержащее источник монохроматического излучения и последовательно установленные по ходу излучения держатель образца и приемник излучения и электрически с ним связанный регистратор, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и расширения диапазона измеряемых толщин, оно снабжено электродвигателем с установленным на нем плоским зеркалом так, что ось вращения зеркала параллельна его поверхности, оптически связанной с источником излучения, двумя эллиптическими зеркалами, одно из которых установлено последовательно по ходу излучения между плоским зеркалом и держателем так, что ось вращения плоского зеркала проходит через один из фокусов эллиптического зеркала, второй фокус которого лежит в плоскости держателя, второе эллиптическое зеркало размещено последовательно по ходу излучения между держателем и приемником излучения так, что в одном из его фокусов установлен приемник, а второй совпадает с вторым фокусом первого эллиптического зеркала, и осциллографом, связанным входом с выходом приемника.
SU4944490 1991-07-10 1991-07-10 Устройство для неразрушающего измерения толщины диэлектрических и полупроводниковых пленок в фиксированной точке RU2025656C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4944490 RU2025656C1 (ru) 1991-07-10 1991-07-10 Устройство для неразрушающего измерения толщины диэлектрических и полупроводниковых пленок в фиксированной точке

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4944490 RU2025656C1 (ru) 1991-07-10 1991-07-10 Устройство для неразрушающего измерения толщины диэлектрических и полупроводниковых пленок в фиксированной точке

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2025656C1 true RU2025656C1 (ru) 1994-12-30

Family

ID=21578780

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4944490 RU2025656C1 (ru) 1991-07-10 1991-07-10 Устройство для неразрушающего измерения толщины диэлектрических и полупроводниковых пленок в фиксированной точке

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2025656C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111239498A (zh) * 2020-03-18 2020-06-05 山东国瓷功能材料股份有限公司 材料介电性能的测试装置和测试方法
CN111487470A (zh) * 2020-03-18 2020-08-04 山东国瓷功能材料股份有限公司 材料介电性能的测试装置和方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: 1987, с.239. *
2. Батавин В.В., Концевой Ю.А. и Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985, с.264. *
3. T. Ohyama и J.H.Mori. Оптический метод измерения однородных толщин прозрачных твердых и жидких пленок в диапазоне около 0,01...1 мм. Приборы для научных исследований. 1987. N 10, с.70. *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111239498A (zh) * 2020-03-18 2020-06-05 山东国瓷功能材料股份有限公司 材料介电性能的测试装置和测试方法
CN111487470A (zh) * 2020-03-18 2020-08-04 山东国瓷功能材料股份有限公司 材料介电性能的测试装置和方法
CN111487470B (zh) * 2020-03-18 2022-05-31 山东国瓷功能材料股份有限公司 材料介电性能的测试装置和方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4254337A (en) Infrared interference type film thickness measuring method and instrument therefor
US5337150A (en) Apparatus and method for performing thin film layer thickness metrology using a correlation reflectometer
GB2069130A (en) Thin film thickness monitor
CN101261116A (zh) 一种薄膜厚度和折射率的光学测量方法及其装置
US4969744A (en) Optical angle-measuring device
US4591272A (en) Photothermal deflection densitometer for thin layer chromatography
CN109115690A (zh) 实时偏振敏感的太赫兹时域椭偏仪及光学常数测量方法
US6215556B1 (en) Process and device for measuring the thickness of a transparent material using a modulated frequency light source
JPH07159319A (ja) センサ装置
RU2025656C1 (ru) Устройство для неразрушающего измерения толщины диэлектрических и полупроводниковых пленок в фиксированной точке
JP3131242B2 (ja) 光ビーム入射角の測定方法、測定装置及び該装置を距離測定に使用する方法
CN209624389U (zh) 一种表面等离子体谐振检测仪
US4586816A (en) Optical fibre spot size determination apparatus
Karabegov Metrological and technical characteristics of total internal reflection refractometers
RU2102702C1 (ru) Устройство для неразрушающего измерения толщины диэлектрических и полупроводниковых пленок
US5659393A (en) Method of and device for measuring the refractive index of wafers of vitreous material
RU2075727C1 (ru) Способ измерения углов поворота нескольких объектов и устройство для его осуществления
JPS61155902A (ja) 干渉計測装置
SU1601563A1 (ru) Устройство дл измерени угловой зависимости коэффициента отражени материала
RU2625641C1 (ru) Устройство для промера распределения поля инфракрасной поверхностной электромагнитной волны над её треком
JPS6352004A (ja) 測定装置
SU737817A1 (ru) Интерференционный способ измерени показател преломлени диэлектрических пленок переменной толщины
RU2411448C1 (ru) Устройство для неразрушающего измерения толщины диэлектрических и полупроводниковых пленок
RU131148U1 (ru) Устройство для неразрушающего измерения толщины диэлектрических и полупроводниковых пленок
SU1485077A1 (ru) Интерференционный рефрактометр многократно нарушенного полного внутреннего отражения