KR950001419A - 감광성 수지 조성물 및 이 조성물을 사용한 패턴 형성방법 - Google Patents

감광성 수지 조성물 및 이 조성물을 사용한 패턴 형성방법 Download PDF

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가부시기가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
단노 다께시
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Abstract

본 발명은 하기 일반식(Ⅰ):
(단, 상기식에서, A는 탄소수가 2이상인 유기기이고, n은 10 내지 200,000의 정수이며, R1은 탄소수가 1이상인 유기기, 수소, 할로겐 원자중 어느 하나이다.)
으로 표시되는 중합체의 전중량에 대하여 카르복실기의 비율이 20중량%이상이고, 수평균분자량이 10,000내지 1,000,000인 카르복시산 중합체(가)와 전자파 조사에 의하여 염기가 발생하는 광염기발생제(나)를 상기 카르복실기에 대하여 0.2 내지 2.0몰당량 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물과 이를 사용한 패턴 형성 방법을 제공한다.
본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물의 제공의 환경오염방지, 작업환경의 개선, 적용매품의 고밀도, 고신뢰도화가 달성된다.

Description

감광성 수지 조성물 및 이 조성물을 사용한 패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 배선되는 기판 부분을 선택적으로 금속화하여 배선을 형성하는 방법을 나타낸 도면이고, 제2도는 기판상에 모두 금속화한 다음, 이로부터 불필요한 부분을 제거하여 배선을 형성하는 방법을 나타낸 도면이며, 제3도는 대구모 집적회로(LSI)용 완충 도포막을 형성하는 방법을 나타낸 도면.

Claims (11)

  1. 하기 일반식(Ⅰ):
    (단, 상기식에서, A는 탄소수가 2 이상인 유기기이고, n은 10 내지 200,000의 정수이며, R1은 탄소수가 1이상인 유기기, 수소, 할로겐 원자중 어느 하나이다.)
    으로 표시되는 중합체의 전중량에 대하여 카르복실기의 비율이 20중량%이상이고, 수평균분자량이 10,000내지 1,000,000인 카르복시산 중합체(가)와 전자파 조사에 의하여 염기가 발생하는 광염기발생제(나)를 상기 카르복실기에 대하여 0.2 내지 2.0몰당량 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 일반식(Ⅰ)이, 하기 일반식(Ⅱ)인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
    (단, 상기 식에서, R1은 상기한 바와 같고, R2는 탄소수가 2이상인 유기기이며, R3는 탄소수가 4이상인 유기기이고, n은 상기한 바와 같다.)
  3. 제1항에 있어서, 상기 염기 발생제(나)가, 하기 일반식(Ⅲ)으로 표시되는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
    (단, 상기 식에서 R4는 탄소수가 1이상인 유기기, 수소, 할로겐 원자중 어느 하나이고, p는 0 내지 4의 정수이며, 또한, R5,R6는 탄소수가 12이하인 유기기이고, R7은 수소 또는 탄소수가 10 이하인 유기기이다.)
  4. 카르복실기를 포함하는 중합체와, 하기 일반식(Ⅲ)으로 표시되는 화합물을 포함하고, 수용가용성인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
    (단, 상기 식에서 R4는 탄소수가 1이상인 유기기, 수소, 할로겐 원자중 어느 하나이고, p는 0 내지 4의 정수이며, 또한, R5,R6는 탄소수가 12이하인 유기기이고, R7은 수소 또는 탄소수가 10 이하인 유기기이다.)
  5. 하기 일반식(Ⅰ):
    (단, 상기식에서, A는 탄소수가 2이상인 유기기이고, n은 10 내지 200,000의 정수이며, R1은 탄소수가 1이상인 유기기, 수소, 할로겐 원자중 어느 하나이다.)
    으로 표시되는 중합체의 전중량에 대하여 카르복실기의 비율이 20중량%이상이고, 수평균분자량이 10,000내지 1,000,000인 카르복시산 중합체(가)와 전자파 조사에 의하여 염기가 발생하는 광염기발생제(나)를 상기 카르복실기에 대하여 0.2 내지 2.0몰당량 함유하는 감광성 수지 조성물을 기판상에 도포하고 건조하는 공정과, 차광성 마스크를 개재하여 광 노광하는 공정과, 수성용매중에서 현상하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  6. 카르복실기를 함유하는 화합물과 염기 발생제를 함유하고, 전자파 조사에 의하여 패턴 형성이 가능한 것을 특징으로 하는 조성물.
  7. 제6항에 있어서, 염기 발생제가, 하기 일반식(Ⅲ)으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 조성물.
    (단, 상기 식에서 R4는 탄소수가 1이상인 유기기, 수소, 할로겐 원자중 어느 하나이고, p는 0 내지 4의 정수이며, 또한, R5,R6는 탄소수가 12이하인 유기기이고, R7은 수소 또는 탄소수가 10 이하인 유기기이다.)
  8. 제6항에 있어서, 염기 발생제가 코발트(Ⅲ)아민염, 코발트(Ⅲ) 알킬아민염, α-케토카르복시산 암모늄염, 페닐글리옥시산 암모늄염, 4-메틸페닐술폰아미드, N-시클로헥실-4-메틸페닐술폰아미드중의 1종 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 조성물.
  9. 제1항, 제2항, 제3항, 제5항 및 제6항중의 어느 한 항에 있어서, 전자파의 파장이 200 내지 900㎚인 것을 특징으로 하는 조성물.
  10. 하기 일반식(Ⅰ):
    (단, 상기식에서, A는 탄소수가 2이상인 유기기이고, n은 10 내지 200,000의 정수이며, R1은 탄소수가 1이상인 유기기, 수소, 할로겐 원자중 어느 하나이다.)
    으로 표시되는 카르복시산 중합체를 함유하는 수치 성분의 전중량에 대하여 카르복실기의 비율이 20중량%이상이고, 수평균분자량이 10,000내지 1,000,000인 카르복시산 중합체(가)와 전자파 조사에 의하여 염기가 발생하는 광염기발생제(나)를 상기 카르복실기에 대하여 0.2 내지 2.0몰당량 함유하는 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  11. 하기 일반식(Ⅰ):
    (단, 상기식에서, A는 탄소수가 2이상인 유기기이고, n은 10 내지 200,000의 정수이며, R1은 탄소수가 1이상인 유기기, 수소, 할로겐 원자중 어느 하나이다.)
    으로 표시되는 카르복시산 중합체를 함유하는 수지 성분의 전중량에 대하여 카르복실기의 비율이 20중량%이상이고, 수평균분자량이 10,000 내지 1,000,000인 카르복시산 중합체(가)와, 전자파 조사에 의하여 염기를 발생하는 광염기발생제(나)를 상기 카르복실기에 대하여 0.2 내지 2.0몰당량 함유하는 감광성 수지 조성물을 기판상에 도포하고 건조하는 공정과, 차광성 마스크를 개재하여 광노광하는 공정과, 수성용매중에서 현상하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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