KR950001167B1 - 화합물 반도체소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Description

화합물 반도체 소자 및 그 제조방법

제1도는 종래의 HEMT의 수직단면도.

제2도는 이 발명의 일 실시예에 의한 화합물 반도체소자의 수직단면도.

제3a~c도는 이 발명의 일 실시예에 의한 화합물 반도체소자의 제조공정 순서도.

이 발명은 화합물 반도체소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 2차원 전자가스(Two-Dimensional Electron Gas ; 이하 2DEG라 한다)의 고전자 이동도(High Electron Mobility)의 특성을 이용한 저잡음 증폭용 고전자 이동도 트랜지스터(High Electron Mobility Transistor ; 이하 HEMT라 한다)에 제1및 제2델타 도우핑(δ-doped)층을 일정간격으로 2층 첨가하여 2DEG의 캐리어 농도를 증가시켜 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 화합물 반도체소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

최근 정보통신 사회로 급속히 발전해감에 따라 초고속 컴퓨터, 초고주파 및 광통신에 대한 필요성이 더욱 증가되고 있다. 그러나 기존의 실리콘(Si)을 이용한 소자로는 이러한 필요성을 만족시키는데 한계가 있기 때문에 물질특성이 우수한 화합물 반도체에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 상기 화합물 반도체중 GaAs는 고전자 이동도, 고전자속도 및 반절연성등의 우수한 전자물성 특성을 갖고 있으므로 기존의 Si에 비해 고속동작, 고주파, 저잡음 및 저소비전력등의 특성을 갖는다. 따라서 이와같이 GaAs의 우수한 물질특성을 이용한 여러종류의 개별소자들이 개발되고 있다. 상기 개별소자에는 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(Metal Semiconductor Field Effect Transistor), 이종접합 바이폴라 트랜지스터(Hetero junction Bipolar Transistor), 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT) 및 델타도프 전계효과 트랜지스터(Delta Doped Field Effect Transistor) 등이 있다.

상기와 같은 개별소자들중 HEMT는 이종접합면에서 물질들의 전자친화력에 의해 계면에 형성되는 양자우물(Quantum Well)에 2DEG가 축적되어 전계를 인가할때 불순물 산란의 영향을 받지않고 고속으로 동작을 한다.

제1도는 종래의 HEMT의 수직단면도로서, 이 HEMT의 구조를 설명하면 반절연성 GaAs 기판(10)위에는 분자선 에피택시(Molecular Beam Epitaxy ; 이하 ; MBE라 한다)법에 의해 언(Undoped) GaAs 버퍼층(Buffer layer)(12), 2차원 전자의 이동도를 증가시키기 위해 사용되는 언도우프 AlGaAs 스페이서층(Spacer layer ; 14), 2차원 전자공급층 역할을 하는 도우너층(Donor layer)인 N⁺형 AlGaAs층(16)과 상기 N⁺형 AlGaAs층(16)의 양측에 소오스, 드레인의 접촉저항을 감소시키기 위한 접촉층인 N⁺형 GaAs 캡층(18)이 순차적으로 적층되어 있으며 상기 언도우프 AlGaAs층(14)과 언도우프 GaAs층(12)의 이종접합 계면에 2DEG층(20)이 형성되어진다. 그리고 양측에 형성된 상기 N⁺형 GaAs층(18)에서 언도우프 GaAs층(12)의 일부분에 걸쳐 N⁺형 이온주입영역(22)이 형성되어 있으며, 상기 N⁺형 이온주입영역(22)위에 AuGe/Ni/Au 등으로 이루어진 HEMT의 소오스(Source) 및 드레인(Drain) 전극(24), (25)이 오믹접촉(Ohmic contact)을 이루어 형성되어 있으며, 상기 소오스 및 드레인전극(24), (25)사이 소정부분을 리세스에칭(Recess etchimg) 고정에 의해 N⁺형 AlGaAs층(16)의 일부분이 제거되어 소정부분이 노출된 N⁺형 AlGaAs층(16)의 표면에 Pt/Pd/Au 등으로 이루어진 게이트전극(26)이 쇼트키 접촉(Schottky contact)을 이루며 형성되어 있다.

상술한 구조의 HEMT의 제조방법을 간단히 설명하면, 반절연성 GaAs 기판(10)위에 MBE법을 사용하여 언도우프 GaAs 버퍼층(12)을 0.5㎛ 성장시킨다. 이어서, 언도우프 AlGaAs 스페이서층(14)을 100∼200Å 성장시켰다. 다음에 Si을 n형 불순물로서 2×10E18㎤ 포함하는 N⁺형 AlGaAs층(16)을 1000∼1500Å 성장시키고 2×10E19㎤ 정도의 고농도 불순물을 함유하는 N⁺형 GaAs 캡층(18)을 500Å 성장시켰다. 이어서 산화실리콘(SiO₂), 질화실리콘(Si₃N₄)등의 마스크막을 기상성장( CVD)법 또는 스퍼터링(Sputtering)법에 의해 형성시킨 후 포토에칭(Photo etching)법과 같은 리소그래프(Lithography) 기술에 의해 그 내에 2개의 창을 개방하도록 선택적으로 에칭한다. 상기 창을 통하여 실리콘(Si) 또는 셀레늄(Se)과 같은 N형 불순물로 이온주입(Ion-implantation)를 행한후 열처리하여 N⁺형 이온주입영역(22)을 형성시킨다. 이어서 마스크막은 적당한 부식제로 제거한다. 계속해서 상기 구조의 상부에 소오스, 드레인 금속전극으로 되는 AuGe/Ni/Au등으로 이루어진 다층막을 진공증착한 후 리프트오프법으로 소오스 드레인전극(24),(25)을 형성한 후 절연막을 형성하여 게이트 형성용의 포토레지스트를 도포한 후 통상적인 에칭공정을 실시하여 소오스·드레인전극 금속과 고농도의 N⁺형 GaAs층(18) 및 일부분의 N⁺형 AlGaAs(16)을 선택적으로 제거하여 게이트금속이 접촉하는 반도체층인 N⁺형 AlGaAs층(16)의 소정부분을 노출시킨다. 이어서 게이트 전극 금속으로써 Pt/Pd/Au등으로 이루어진 다층막을 진공증착하여 이것을 리프트 오프(Lift-off)법으로 게이트전극(26)을 형성한다.

따라서, 종래기술에 의한 HEMT는 N⁺형 AlGaAs 전자공급층의 전자들이 장벽을 넘어 언도우프 GaAs 버퍼층과 언도우프 AlGaAs 스페이서층 사이에서 밴드캡 불연속성에 의해 생기는 웰내에 구속될때 생기는 2DEG의 고전자 이동도를 이용한 전계효과 트랜지스터(Field Effect Transistor ; 이하 FET라 칭함)소자이다. 상기 2DEG가 불순문 산란을 일으키지 않도록 하며 전자의 이동도를 크게하는 특징을 갖기 때문에 벌크형에 비해 상온에서 약 1.5배, 저온에서 10배 이상의 고속동작이 가능하다. 그러나 종래기술에 사용하는 N형 AlGaAs층은 격자결함에 의한 깊은 준위(DX Center)가 형성되어 소자의 신뢰성을 저하시키는 문제점을 갖게된다. 그 이유는 AlGaAs에 n형 불순물을 첨가하면 n형 불순물을 깊은 준위의 역할을 하게 되며 상기 깊은 준위는 소자의 특성을 열화시키기 때문이다. 또한 AlGaAs안에 형성된 깊은 준위는 저온에서 자유캐리어 농도의 감소와 PP(Persistent Photo Conductivity)현상을 일으키는 문제점을 갖게된다[D. V. Land. R. A. Logan, and H. Jaros. Phy. Rev. B19, 1015(1979)].

상기한 문제점을 해결하기 위하여 이 발명의 목적은 N형 AlGaAs층 대신에 언도우프 AlGaAs층 내부에 실리콘(Si)이 도우프된 델타 도핑층을 2층 삽입하여 결정결함이 발생을 최소화시켜 고신뢰도의 화합물 반도체소자 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.

상기한 목적을 달성하기 위하여 이 발명은 HEMT에 델타 도우프층을 삽입하여 구성한 화합물 반도체소자에 있어서, 발절연성 화합물 반도체 기판위에 형성되어 기판의 불순물이 에피층으로 확산되는 것을 방지하는 제1반도체층과, 델타 도우프층에서 발생된 전자의 이동도를 증가시키는 제2반도체층과 ; 제2반도체층 위에 형성된 제3반도체층의 제1층과 불순물이 한 원자두께로 형성되어 제2DEG를 발생하는 제1델타 도우프층과, 제3반도체층의 제2층과 2DEG를 발생하는 상기 제3반도체층의 제2델타 도우프층과, 제3반도체층의 제3층과 ; 상기 제3반도체층의 제3층의 소정부분이 제거되어 형성된 게이트전극과 ; 상기 게이트전극의 양측에 소오스·드레인의 접촉저항을 감소시키기 위한 접촉층인 제1도전형의 제4반도체층과 ; 제4반도체층 상부의 양측에 형성된 소오스 및 드레인전극과 ; 상기 소오스 및 드레인 전극 하부에 상기 제4반도체층에서 제2반도체층의 일부분에 걸쳐 형성된 제1도전형의 이온주입 영역으로 구성되어 이루어짐을 특징으로 한다.

또 상기 목적을 달성하기 위하여 이 발명은 HEMT에 델타 도우프층을 삽입시켜 형성한 화합물 반도체소자의 제조방법에 있어서, 반절연성 화합물 반도체 기판위에 제1 및 제2반도체층과 제3반도체층의 제1층, 제1델타 도우프층, 제3반도체층의 제2층, 제2델타 도우프층, 제3반도체층의 제3층 및 제4반도체층을 형성하는 공정과 ; 상기 제4반도체층의 양측에 제1및 제2델타 도우프층을 포함한 제3반도체층과 제2반도체층의 일부분에 포함된 제1도전형의 이온주입영역을 형성하는 공정과 ; 상기 이온주입영역 상부에 소오스 및 드레인전극을 형성하는 공정과, 리세스 에칭공정에 의해 소정부분이 노출된 제3반도체층의 표면에 게이트전극을 형성하는 공정으로 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.

이하, 이 발명의 일 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

제2도는 이 발명의 일 실시예에 의한 HEMT의 수직단면도로서, 반절연성 GaAs 기판(40)위에 MBE법에 의해 언도우프 GaAs층(42), 언도우프 AlGaAs층(44), 제1언도우프 AlGaAs층(46), 제1델타 도우프층(47), 제2언도우프 AlGaAs층(48), 제2델타 도우프층(49), U형의 홈이 형성된 제3언도우프 AlGaAs층(50)이 순차적으로 적층되어 있으며, 상기 홈에 의해 분리된 제3언도우프 AlGaAs층(50)의 양측 상부에 N⁺형 GaAs층(52)이 형성되어 있다. 그리고 사진식각 공정에 의해 소정부분의 N⁺형 GaAs층(52)과 일부분의 제3언도우프 AlGaAs층(50)이 제거되어 노출된 제3언도우프 AlGaAs층(50)위에 게이트전극(58)이 쇼트키접촉을 이루며 형성되어 있다. 또한 상기 게이트전극(58)의 양측에는 상기 N⁺형 GaAs층(52)으로부터 상기 언도우프 GaAs층(42)의 일부분이 포함되는 N⁺형 이온주입영역(54)이 형성되어 있으며, 또한 상기 N⁺형 이온주입영역(54)위에 HEMT의 소오스 및 드레인전극(56), (57)이 오믹접촉을 이루며 형성되어 있다.

제3a∼c도는 이 발명의 일 실시예에 의한 HEMT의 제조공정도이다.

제3a도를 참조하면, 반절연성 GaAs 기판(40)위에 MBE법을 사용하여 0.5㎛ 정도의 언도우프 GaAs버퍼층(42)과 100∼200Å 정도의 언도우프 AlyGa₁-yAs 스페이서층(44)을 성장시킨다. 이때, Al조성비는 통상 0.5∼0.7 정도의 범위에서 선택하고 있다. 다음에 제1언도우프 AlxGa₁-xAs 활성층(46)을 50Å 형성시킨다. 상기 활성층(46)의 Al조성비는 통상 0.2∼0.3 범위에서 선택하고 있다. 계속해서 활성층(60)인 제1언도우프 AlxGa₁-xAs(46)위에 실리콘(Si)이 도우프된 제1델타 도우프층(47)을 형성하고, 그 위에 제2언도우프 AlxGa₁-xAs 활성층(48)을 20Å정도 형성한 후 그 위에 제2델타 도우프층(49)을 형성시킨다. 계속해서 상기 제2델타 도우프층(49)위에 제3언도우프 AlxGa₁-xAs층(50)을 1000Å정도 형성한다. 그 다음에 소오스, 게이트간 기생저항을 저감하는 목적으로 N⁺형 GaAs 캡층(52)을 500Å소자 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.

상기한 목적을 달성하기 위하여 이 발명은 HEMT에 델타 도우프층을 삽입하여 구성한 화합물 반도체소자에 있어서, 반절연성 화합물 반도체 기판위에 형성되어 기판의 불순물이 에피층으로 확산되는 것을 방지하는 제1반도체층과, 델타 도우프층에서 발생된 전자의 이동도를 증가시키는 제1반도체층과 ; 제2반도체층 위에 형성된 제3반도체층의 제1층과 불순물이 한 원자두께로 형성되어 2DEG를 발생하는 상기 제3반도체층의 제2델타 도우프층과, 제3반도체층의 제3층과 ; 상기 제3반도체층의 제3층의 소정부분이 제거되어 형성된 게이트전극과 ; 상기 게이트전극의 양측에 소오스·드레인전극과 ; 상기 소오스 및 드레인 전극 하부에 상기 제4반도체층에서 제2반도체층의 일부분에 걸쳐 형성된 제1도전형의 이온주입 영역으로 구성되어 이루어짐을 특징으로 한다.

또 상기 목적을 달성하기 위하여 이 발명은 HEMT에 델타 도우프층을 삽입시켜 형성한 화합물 반도체소자의 제조방법에 있어서, 반절연성 화합물 반도체 기판위에 제1및 제2반도체층과 제3반도체층의 제1층, 제1델타 도우프층, 제3반도체층의 제2층, 제2델타 도우프층, 제3반도체층의 제3층 및 제4반도체층을 형성하는 공정과 ; 상기 제4반도체층의 양측에 제1및 제2델타 도우프층을 포함한 제3반도체층과 제2반도체층의 일부분에 포함된 제1도전형의 이온주입영역을 형성하는 공정과 ; 상기 이온주입영역 상부에 소오스 및 드레인전극을 형성하는 공정으로 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.

이하, 이 발명의 일 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

제2도는 이 발명의 일 실시예에 의한 HEMT의 수직단면도로서, 반절연성 GaAs 기판(40)위에 MBE법에 의해 언도우프 GaAs층(42), 언도우프 AlGaAs층(44), 제1언도우프 AlGaAs층(46), 제1델타 도우프층(47), 제2언도우프 AlGaAs(48), 제2델타 도우프층(49), U형의 홈이 형성된 제3언도우프 AlGaAs층(50)의 양측 상부에 N⁺GaAs층(52)이 형성되어 있다. 그리고 사진식각 공정에 의해 소정부분의 N⁺GaAs층(52)과 일부분의 제3언도우프 AlGaAs층(50)이 제거되어 제3언도우프 AlGaAs층(50)위에 게이트전극(58)이 쇼트키접촉을 이루며 형성되어 있다. 또한 상기 게이트전극(58)의 양측에는 상기 N+형 GaSa층(52)로부터 상기 언도우프 GaAs층(42)의 일부분이 포함되는 N+형 GaAs층(52)으로부터 상기 언도우프 GaAs층(42)의 일부분이 포함되는 N+형 이온주입영역(54)이 형성되어 있으며, 또한 상기 N+형 이온주입영역(54)위에 HEMT의 소오스 및 드레인전극(56), (57)이 오믹접촉을 이루며 형성되어 있다.

제3a도∼b도는 이 발명의 일 실시예에 의한 HEMT의 제조공정도이다.

제3a도를 참조하면, 반절연성 GaAs 기판(40)위에 MBE법을 사용하여 0.5㎛ 정도의 언도우프 GaAs 버퍼층(42)과 100∼200Å 정도의 언도우프 AlyGa₁-yAs 스페이서층(44)을 성장시킨다. 이때, Al조성비는 통상 0.5∼0.7 정도의 범위에서 선택하고 있다. 다음에 제1언도우프 AlxGa₁-xAs 활성층(46)을 50Å 형성시킨다. 상기 활성층(46)의 Al 조성비는 통상 0.2∼0.3 범위에서 선택하고 있다. 계속해서 활성층(60)인 제1언도우프 AlxGa₁-xAs(46)위에 실리콘(Si)이 도우프된 제1델타 도우프층(47)을 형성하고, 그 위에 제2언도우프 AlxGa₁-xAs 활성층(48)을 20Å정도 형성한 후 그 위에 제2델타 도우프층(49)을 형성시킨다. 계속해서 상기 제2델타 도우프층(49)위에 제3언도우프 AlxGa₁-xAs층(50)을 1000Å정도 형성한다. 그 다음에 소오스, 게이트간 기생저항을 저감하는 목적으로 N⁺형 GaAs 캡층(52)을 500Å정도 형성한다. 상기 캡층(52)은 불순물인 Si 도우핑 레벨이 1×10E19㎤ 정도로 고농도이다.

상기에서 제1및 제2델타 도우프층(47), (49)은 성장시 MBE 공정을 통상의 성장온도보다 낮은 550℃ 이하로 유지하여 Si 이온의 확산을 방지하여 MBE 성장법에 의해 형성한다. 또한, 상기에서 AlxGa₁-xAs 활성층(60)의 바깥쪽에 붙인 AlyGa₁-yAs 스페이서층(44)의 Al조성비 y값은 활성층(60)의 조성, 즉 AlxGa₁-xAs에서 x값보다 크도록 한다. 또한, 언도우프 AlxGa₁-xAs층(60)내에 2층의 제1및 제2델타 도우프층(47), (49)을 성장시켜, 상기 층(47), (49)에서 생기는 2DEG내의 전자들이 AlGaAs층과 GaAs층의 전자친화력 차이에 의해 GaAs층 쪽으로 주입되어 언도우프 GaAs층(42)과 언도우프 AlGaAs 스페이서층(44) 사이의 웰내부에 구속된다. 이 전자들은 마찬가지로 2DEG의 특성을 가지게 되므로 고전자 이동도를 갖게되어 고속 및 저잡음의 FET로 동작할 수 있다.

제3b도를 참조하면, 산화실리콘(SiO₂), 질화실리콘(Si₃N₄)등의 마스크막을 기상성장법인 CVD과 스퍼터링법 또는 반응성 스퍼터링법에 의해 N+ GaAs층(52)위에 형성한다. 그 다음 상기 마스크막은 통상적인 에칭법과 같은 리소그래피 기술에 의해 그 내에 2개의 창을 개방하도록 선택적으로 에칭한다. 상기 창을 통하여 통상의 이온주입법에 의해 실리콘(Si) 또는 셀레늄(Se)과 같은 N형의 불순물 이온을 주입한 후 이 불순물에 활성화되도록 열처리하여 N⁺형 이온주입영역(54)을 형성한다. 그 다음 양측에 형성된 N⁺형 이온주입영역(54)의 상부에 소오스 및 드레인 금속전극을 진공증착한 후 리프트 오프법에 의해 소오스 및 드레인전극(56), (57)을 형성한다. 상기 소오스 및 드레인전극(56), (57)은 N⁺형 GaAs층(52)과 오믹접촉한다.

제3c도를 참조하면, 게이트영역을 한정하기 위해 N⁺형 GaAs층(52)의 상부에 SiO₂, 또는 Si₃N₄등의 절연막을 형성한 후 그 위에 포토레지스트를 도포한 후 통상의 리소그래피 기술에 의해 포토레지스트의 소정부분을 제거하여 게이트영역을 한정하는 개구를 형성한다. 그 다음 드라이에칭 또는 화학에칭을 사용하여 상기 절연막과 N⁺형 GaAs층(52) 및 일부분의 언도우프 AlGaAs층(60)을 선택적으로 제거하여 게이트금속이 접촉하는 언도우프 AlGaAs층(60)을 노출시킨다. 상기 노출된 언도우프 AlGaAs층(60)위에 게이트 금속을 증착하고 리프트 오프법에 의해서 자기 정합되는 게이트전극(58)을 형성한다. 상기 게이트전극(58)은 언도우프 AlGaAs층(60)과 쇼트키 접촉을 이루고 있다.

이와같이 구성되어 이루어진 화합물 반도체소자는 언도우프 AlGaAs층내에 제1및 제2델타 도우프층을 2층 삽입시켜 형성함으로써 높은 캐리어 밀도를 갖는 2DEG를 용이하게 형성시킬 수 있다.

따라서 이 발명은 실리콘(Si)이 도우프된 델타 도우프층을 2층으로 확장하여 2DEG에 구속되는 전자밀도를 증가시킬 수 있으며 AlGaAs층 내의 격자결함을 최소화시켜 고신뢰도의 소자를 구현할 수 있으므로 직접 위성방송시스템(DBS)에 적용되는 12∼18GHZ급 저잡음 증폭용 HEMT 소자를 제작할 수 있는 이점이 있다.

Claims (15)

1. HEMT 델타 도우프층을 삽입시켜 구성한 화합물 반도체소자에 있어서, 반절연성 화합물 반도체 기판과 ; 상기 기판위에 형성되어 기판의 불순물이 에피층으로 확산되는 것을 방지하는 제1반도체층과 ; 델타 도우프층중에서 발생된 전자의 이동도를 증가시키는 제2반도체층과, 제2반도체층 위에 형성된 제3반도체층의 제1층과 불순물이 한 원자두께로 형성되어 2DEG를 발생하는 제1델타 도우프층과, 제3반도체층의 제2층과 2DEG를 발생하는 제2델다 도우프층과 제3반도체층의 제3층과 ; 상기 제3반도체층의 제3층의 소정부분이 제거되어 형성된 게이트전극과 ; 상기 게이트전극의 양측에 소오스 드레인의 접촉저항을 감소시키기 위한 접촉층인 제1도전형의 제4반도체층과 ; 제4반도체층 상부의 양측에 형성된 소오스 및 드레인전극과 ; 상기 소오스 및 드레인전극 하부에 상기 제4반도체층에서 제2반도체층의 일부분에 걸쳐 형성된 제1도전형의 이온주입영역으로 구성되어 이루어짐을 특징으로 하는 화합물 반도체소자.
2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 이루어짐을 특징으로 하는 화합물 반도체소자.
3. 제2항에 있어서, Ⅲ-Ⅴ족 화합물은 GaAs 계열임을 특징으로 하는 화합물 반도체소자.
4. 제1항에 있어서, 제1및 제2델타 도우프층은 제3반도체층내에 2층을 삽입시켜 구성됨을 특징으로 하는 화합물 반도체소자.
5. 제1항에 있어서, 제1및 제2델타 도우프층은 실리콘이 도우프된 층임을 특징으로 하는 화합물 반도체소자.
6. 제1항에 있어서, 제1및 제2델타 도우프층의 간격은 20Å 정도 이격되어짐을 특징으로 하는 화합물 반도체소자.
7. HEMT에 델타 도우프층을 삽입시켜 구성한 화합물 반도체소자의 제조방법에 있어서, 반절연성 화합물 반도체 기판위에 제1및 제2반도체층과, 제3반도체층의 제1층, 제1델타 도우프층, 제3반도체층의 제2층, 제2델타 도우프층, 제3반도체층의 제3층 및 제4반도체층을 형성하는 공정과 ; 상기 제4반도체층의 양측에 제1및 제2델타 도우프층을 포함한 제3반도체층과 제2반도체층의 일부분이 포함된 제1도전형의 이온주입영역을 형성하는 공정과 ; 상기 이온주입영역 상부에 소오스 및 드레인전극을 형성하는 공정과 ; 리세스 에칭공정에 의해 소정부분이 노출된 제3반도체층의 표면에 게이트전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 화합물 반도체소자의 제조방법.
8. 제7항에 있어서, 상기 반도체 기판은 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 이루어짐을 특징으로 하는 화합물 반도체소자의 제조방법.
9. 제8항에 있어서, Ⅲ-Ⅴ족 화합물은 GaAs 계열임을 특징으로 하는 화합물 반도체소자의 제조방법.
10. 제7항에 있어서, 제1, 제2, 제3반도체층은 언도우프층이고, 제1도전형은 N형임을 특징으로 하는 화합물 반도체소자의 제조방법.
11. 제7항에 있어서, 제1, 제2, 제3, 제4반도체층은 MBE법으로 형성함을 특징으로 하는 화합물 반도체소자의 제조방법.
12. 제7항에 있어서, 제1및 제2델타 도우프층은 실리콘(Si)을 도우프시켜 형성함을 특징으로 하는 화합물 반도체소자의 제조방법.
13. 제12항에 있어서, 델타 도우프층은 성장온도를 500℃ 이하로 유지시켜 형성함을 특징으로 하는 화합물 반도체소자의 제조방법.
14. 제7항에 있어서, 제1및 제2델타 도우프층은 20Å 정도 이격시켜 형성함을 특징으로 하는 화합물 반도체소자의 제조방법.
15. 제14항에 있어서, 델타 도우프층 단원자층인 5Å 정도임을 특징으로 하는 화합물 반도체소자의 제조방법.