KR940027069A - 멀티 패스 스퍼터링 공정에 의한 콘택 형성 방법 - Google Patents

멀티 패스 스퍼터링 공정에 의한 콘택 형성 방법 Download PDF

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KR940027069A
KR940027069A KR1019930008831A KR930008831A KR940027069A KR 940027069 A KR940027069 A KR 940027069A KR 1019930008831 A KR1019930008831 A KR 1019930008831A KR 930008831 A KR930008831 A KR 930008831A KR 940027069 A KR940027069 A KR 940027069A
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KR1019930008831A
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안희복
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 웨이퍼를 예열한 후에 하나의 챔버에서 금속층을 증착하고 연이어 하나 이상의 다른 공정 챔버에서 동일한 금속층을 증착하여 예정된 두께의 금속막을 형성을 하나의 사이클로 하여 이루어지는 멀티 패스 스퍼터링 공정에 의한 콘택 형성 방법에 있어서, 하나 이상의 사이클로 금속증착 공정을 수행하되 각 챔버에서 증착되는 금속막의 두께를 균일하게 하여 금속증착막의 균일도를 얻는 것을 특징으로 하는 멀티 패스 스퍼터링 공정에 의한 콘택 형성 방법에 관한 것으로, 단일 사이클에 의한 스퍼터링 방식에 의한 금속증착막의 경사면이 가지는 문제점들을 해결할 수 있어 반도체 소자의 신뢰도를 한층 더 높일 수 있는 효과가 있다.

Description

멀티 패스 스퍼터링 공정에 의한 콘택 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 금속 콘택의 공정 개념도.

Claims (1)

  1. 웨이퍼를 예열한 후에 하나의 챔버에서 금속층을 증착하고 연이어 하나 이상의 다른 공정 챔버에서 동일한 금속층을 증착하여 예정된 두께의 금속막을 형성을 하나의 사이클로 하여 이루어지는 멀티 패스 스퍼터링 공정에 의한 콘택 형성 방법에 있어서, 하나 이상의 사이클로 금속증착 공정을 수행하되 각 챔버에서 증착되는 금속막의 두께를 균일하게 하여 금속증착막의 균일도를 얻는 것을 특징으로 하는 멀티 패스 스퍼터링 공정에 의한 콘택 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930008831A 1993-05-21 1993-05-21 멀티 패스 스퍼터링 공정에 의한 콘택 형성 방법 KR940027069A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100501460B1 (ko) * 1996-07-12 2005-09-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 이온화된금속으로부터증착된접착층을사용한반도체구조물내의홀충전방법

Cited By (1)

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KR100501460B1 (ko) * 1996-07-12 2005-09-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 이온화된금속으로부터증착된접착층을사용한반도체구조물내의홀충전방법

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