KR940027053A - 반도체 실리콘 웨이퍼내로 불순물을 드라이브인 확산하기 위한 방법 - Google Patents
반도체 실리콘 웨이퍼내로 불순물을 드라이브인 확산하기 위한 방법 Download PDFInfo
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Abstract
실리콘 반도체 웨이퍼의 표면층에 함유된 불순물을 드라이브인 확산 처리에 관하여 불순물의 디포지션 후의 웨이퍼를 1200℃ 이상의 온도와 최소한 24시간 동안 가열함으로써 개선책이 제안된다. 지금까지는 드라이브인 확산 처리를 위한 종래의 방법에서 "미립자"로 불리우는 미립자 물질의 형성과 성장이라는 피할 수 없는 불리한 현상이 가열 처리를 종래의 질소와 산소 대신에 특정비율의 희개스와 산소 개스의 개스 혼합체의 분위기에서 수행할 때 완전히 방지된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 사진 1a, 1b 및 1c는 각각 종래의 절차에 의한 불순물의 드라이브인 확산 처리 후의 실리콘 반도체 웨이퍼의 표면을 찍은 주사 전자 현미경 사진이다.
Claims (5)
- 실리콘 반도체 웨이퍼의 표면층에서 디포지션하는 단계와, 캐리어 개스의 분위기에서 최소한 24시간 동안 1200℃ 이상의 온도에서 가열하는 단계를 포함하는 불순물의 드라이브인 확산 방법에 있어서, 부피로 85%에서 99.7%의 희개스와 부피로 15%에서 0.3%의 산소 개스로 이루어지는 개스 혼합체의 분위기에서 최소한 24시간 동안 1200℃에서 1335℃까지의 범위인 온도에서 상기 웨이퍼를 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 희개스가 아르곤 또는 헬륨인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 개스의 혼합체가 부피로 90%에서 99.5%의 희개스와 부피로 10%에서 0.5%의 산소 개스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 드라이브인 확산 처리의 온도가 1250℃에서 1310℃까지의 범위인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 드라이브인 확산 처리의 시간이 50에서 450시간의 범위인 것을 특징으로 하는 방법.※ 참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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