KR940022922A - 박막반도체소자 - Google Patents

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KR940022922A
KR940022922A KR1019940005079A KR19940005079A KR940022922A KR 940022922 A KR940022922 A KR 940022922A KR 1019940005079 A KR1019940005079 A KR 1019940005079A KR 19940005079 A KR19940005079 A KR 19940005079A KR 940022922 A KR940022922 A KR 940022922A
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semiconductor device
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스이치 우치코가
고우지 스즈키
노부키 이바라키
다쿠야 시마노
가이치 후쿠다
Original Assignee
사토 후미오
가부시키가이샤 도시바
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
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    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs

Abstract

본 발명은 제조 공정을 복잡하게 하는 일 없이, 광조사에 의한 리크전류를 작게할 수 있는 박막반도체 소자를 제공하기 위한 것이다.
이를 위해 본 발명은, 역스태거형 TFT에 있어서, 소오스 및 드레인이 각각 채널보호층상에 겹쳐지는 영역을 갖추고, 겹쳐지는 영역에 있어서, 채널보호층의 폭방향의 적어도 한쪽의 폭면보다도 소오스 및 드레인의 폭면이 겹치는 영역의 바깥쪽에 있으며, 또한 소오스 및 드레인과 채널보호층의 겹쳐지는 교점에 있어서 반도체층과 겹쳐지는 교점을 갖춘 것을 특징으로 하는 박막반도체소자를 제공한다.

Description

박막반도체소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 TFT를 나타낸 도면으로, 제1도(a)는 평면도를, 제1도(a)의 I-I단면도, 제1도(c)는 제1도(a)의 II-II단면도를, 제1도(d)는 제1도(a)의 Ⅳ-Ⅳ단면도를 각각 나타낸 것.

Claims (1)

  1. 기판과, 이 기판상에 배설된 게이트전극층, 절연층을 매개하여 상기 게이트 전극층상에 배설된 반도체층으로 이루어진 채널영역, 상기 채널영역상에 배설된 채널보호층, 사익 채널영역을 매개하여 전기적으로 접속된 소오스 및 드레인으로 이루어진 박막반도체소자로서, 상기 소오스 및 드레인이 각각 상기 채널보호층상에 겹쳐지는 영역을 갖추고, 상기 겹쳐지는 영역에 있어서 상기 채널보호층의 폭방향의 적어도 한 쪽의 폭면보다는상기 소오스 및 드레인의 폭면이 상기 겹쳐지는 영역의 바깥쪽에 있으며, 또한 상기 소오스 및 드레인과 사익 채널보호층의 겹치는 교점에 있어서 상기 반도체층과도 겹쳐지는 교점을 갖춘 것을 특징으로 하는 박막반도체소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940005079A 1993-03-15 1994-03-15 박막반도체소자 KR0168700B1 (ko)

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