KR940020509A - 세라믹 및 차단 금속 층에 의해 환경으로부터 보호된 집적회로(Integrated circyits proted from the environment by ceramic and barrier metal layers) - Google Patents

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Abstract

본 발명은 환경으로부터 보호된 직접 회로에 관한 것이다. 이러한 회로는 결합 패드에는 확산 차단 금속 층을, 회로의 나머지 부분에는 파시베이션 층 하나 이상을 적용시켜 봉합된다.

Description

세라믹 및 차단 금속 층에 의해 환경으로부터 보호된 집적회로(lntegrated circyits proted from the environment by ceramic and barrier metal layers)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1파시베이션(passivation), 확산차단 금속 및 제2파시베이션을 갖는 반도체 장치의 횡단면도이다.
제2도는 본 발명의 제1파시베이션 층 2개, 확산 차단 그금속 및 제2파시베이션을 갖는 반도체 장치의 횡단면도이다.

Claims (14)

  1. 결합 패드 및 서브어셈블리(subassmbly)의 표면위에 제1파시베이션(passivation)층을 적용시키고; 제1파시베이션을 에칭시켜 결합 패드의 상단 표면의 적어도 한 부분을 노출시키고; 제1파시베이션을 통해 노출된 결합패드의 상단 표면의 적어도 한 부분에 확산 차단 금속 층을 적용시키고; 확산 차단금속 층 및 제1파시베이션위에 제2파시베이션을 적용시키고; 제1파시베이션을 에칭시켜 확산 차단 금속 층의 상단 표면의 적어도 한 부분을 노출시킴을 특징으로 하여, 결합 패드를 갖는 집적 회로 서브어셈블리를 봉합하는 방법.
  2. 결합 패드를 갖는 회로 서브어셈블리; 결합 패드의 상단 표면의 적어도 한 부분을 노출시키기 위한 개구부를 갖는, 서브어셈블리의 표면을 커버링하는 제1파시베이션 층; 결합 패드의 상단 표면의 적어도 한 부분을 커버링하는 확산 차단 금속 층; 및 적어도 제1파시베이션 및 확산 차단 금속 층의 모서리를 커버링하는 제2파시베이션을 포함함을 특징으로 하는 집적 회로.
  3. 제2항에 있어서, 제1파시베이션 층이 산화규소, 질화규소, 규소 옥시니트라이드, 규소 옥시카바이드, 규소 카보니트라이드, 규소 옥시카보니라이드 및 탄화규소로부터 선택되는 집적 회로.
  4. 제2항에 있어서, 제2파시베이션 층이 산화규소, 질환 규소, 규소 옥시니트라이드, 규소 옥시카바이드, 규소 카보니트라이드, 규소 옥시카보니트라이드 및 탄화규소로부터 선택되는 집적 회로.
  5. 제3항에 있어서, 제1파시베이션 층이 회로를 예비세라믹 규소 함유 물질을 포함하는 조성물로 피복한 다음 상기 물질을 세라믹으로 전환시키는 방법으로 침착시킨 규소 함유 세라믹 물질을 포함하는 집적 회로.
  6. 제4항에 있어서, 제2파시베이션 층이 회로를 예비세라믹 규소 함유 물질을 포함하는 조성물로 피복한 다음 상기 물질을 세라믹으로 전환시키는 방법으로 침착시킨 규소 함유 세라믹 물질을 포함하는 집적 회로.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 규소 함유 세라믹 물질이 산화알루미늄, 산화티탄, 산화지르코늄, 산화탄탈, 산화니오븀, 산화바나듐, 산화붕소 및 산화인으로부터 선택된 산화물을 또한 함유하는 집적 회로.
  8. 제2항에 있어서, 제1파시베이션층이 SiO2피복물, SiO2/세라믹 산화물 피복물, 규소 피복물, 규소 탄소 함유 피복물, 규소 질소 함유 피복물, 규소 산소 질소 함유 피복물, 규소 탄소 질소 함유 피복물 및 다이아몬드 유형의 탄소 피복물로부터 선택된 추가의 세라믹 층 하나 이상에 의해 커버링된 실리카 피복물을 포함하는 집적 회로.
  9. 제2항에 있어서, 제2파시베이션 층이 SiO2피복물, SiO2/세라믹 산화물 피복물, 규소 피복물, 규소 탄소 함유 피복물, 규소 질소 함유 피복물, 규소 산소 질소 함유 피복물, 규소 탄소 질소 함유 피복물 및 다이아몬드 유형의 탄소 피복물로부터 선택된 추가의 세라믹 층 하나 이상에 의해 커버링된 실리카 피복물을 포함하는 집적 회로.
  10. 제2항에 있어서, 확산 차단 금속 층이 제1파시베이션 부분을 중첩하는 집적 회로.
  11. 제2항에 있어서, 확산 차단 금속 층이 티탄, 티탄-텅스텐, 티탄-질화물, 니켈-바나듐, 크롬 및 니켈-크롬으로부터 선택되는 집적 회로.
  12. 제2항에 있어서, 유기 봉입체 및 실리콘 봉입제로부터 선택된 물질내에 서로 결합되어 있고 매립되어 있는 집적 회로.
  13. 제2항에 있어서, 제1또는 제2파시베이션 층이 자외선 또는 가시선을 흡수하는 집적 회로.
  14. 제2항에 있어서, 제2파시베이션을 에칭시켜 납 부착용 확산 차단 금속을 노출시키고 이때 에칭된 영역이 최초 결합패드의 바로 위가 아닌 위치인 집적 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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