KR940016803A - 하이브리드 집적 소자의 캐패시터 형성방법 - Google Patents
하이브리드 집적 소자의 캐패시터 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 하이브리드 집적소자의 기판상에 캐패시터를 형성하는 방법으로서, (1) 기판상에 제1금속층을 도포하고, 이 제1금속층을 사진식각 공정으로 패터닝하여 캐패시터의 제1전극을 형성하는 단계와, (2) 제2탄탈륨을 전면에 증착하고 양극 산화공정으로 산화탄탈륨으로 변화시켜 캐패시터의 유전막을 형성하는 단계와, (3) 유전막 위에 도전층을 도포하여 캐패시터의 제2전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어 진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 하이브리드 집적 소자의 캐패시터 형성 공정도.
Claims (2)
- 하이브리드 집적소자의 기판상에 캐패시터를 형성하는 방법에 있어서, (1) 기판상에 제1금속층을 도포하고, 이 제1금속층을 사진식각공정으로 패터닝하여 캐패시터의 제1전극을 형성하는 단계와, (2) 제2탄탈륨을 전면에 증착하고 양극 산화공정으로 산화탄탈륨으로 변화시켜 캐패시터의 유전막을 형성하는 단계와, (3) 유전막 위에 도전층을 도포하여 캐패시터의 제2전극을 형성하는 단계를 포함하여서된 하이브리드 집적소자의 캐패시터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제(1)단계에서 제1금속층을 도포하고, 이 제1금속층을 사진식각 공정으로 패터닝하여 캐패시터의 제1전극을 형성할때 하이브리드 집적소자의 회로소자 및 배선을 함께 형성하는 것이 특징인 하이브리드 집적소자의 캐패시터 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920027101A KR940016803A (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 하이브리드 집적 소자의 캐패시터 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019920027101A KR940016803A (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 하이브리드 집적 소자의 캐패시터 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR940016803A true KR940016803A (ko) | 1994-07-25 |
Family
ID=67219972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019920027101A KR940016803A (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 하이브리드 집적 소자의 캐패시터 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940016803A (ko) |
-
1992
- 1992-12-31 KR KR1019920027101A patent/KR940016803A/ko not_active Application Discontinuation
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