KR940016680A - 반도체 소자의 필드산화막 제조방법 - Google Patents

반도체 소자의 필드산화막 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR940016680A
KR940016680A KR1019920027043A KR920027043A KR940016680A KR 940016680 A KR940016680 A KR 940016680A KR 1019920027043 A KR1019920027043 A KR 1019920027043A KR 920027043 A KR920027043 A KR 920027043A KR 940016680 A KR940016680 A KR 940016680A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
oxide film
field oxide
semiconductor device
manufacturing
manufacturing field
Prior art date
Application number
KR1019920027043A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960009096B1 (ko
Inventor
엄금용
이경미
한충수
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019920027043A priority Critical patent/KR960009096B1/ko
Publication of KR940016680A publication Critical patent/KR940016680A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR960009096B1 publication Critical patent/KR960009096B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Local Oxidation Of Silicon (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 필드산화막 제조방법에 관한 것으로 소자분리를 위한 필드산화막 성장(oxidation)시 TCA(Tri-chloro-ethane) 가스를 첨가하여 HCl 효과에 의하여 산화막의 성장속도를 증가시켜 필드산화막의 두께 감소현상을 방지하여 버즈비크를 감소시켜 단위 셀(cell)간의 간격(space)을 충분히 확보하여 소자의 신뢰성을 증가시키는 반도체 소자의 필드산화막 제조방법이다.

Description

반도체 소자의 필드산화막 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 공정제조방법에 의하여 형성한 필드산화막의 단면도.

Claims (1)

  1. 웨이퍼를 소정의 튜브내에 장착하고 건식산화, 습식산화 및 O2와 N2퍼지공정으로 진행하는 온도하강을 거쳐 웨이퍼를 튜브내에서 꺼내는 공정으로 이루어지는 반도체 소자의 필드산화막 제조방법에 있어서, 상기 주산화공정중 건식산화를 1100℃의 온도와 O2/TCA의 비율이 8/0.8 SLPM인 분위기에서 5분정도 실시하고, 습식산화를 1100℃의 튜브온도와 O2/H2/TCA의 비율이 0/9/0.8 SLPM인 분위기에서 25분정도 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드산화막 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920027043A 1992-12-31 1992-12-31 반도체 소자의 필드 산화막 제조방법 KR960009096B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920027043A KR960009096B1 (ko) 1992-12-31 1992-12-31 반도체 소자의 필드 산화막 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920027043A KR960009096B1 (ko) 1992-12-31 1992-12-31 반도체 소자의 필드 산화막 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940016680A true KR940016680A (ko) 1994-07-23
KR960009096B1 KR960009096B1 (ko) 1996-07-10

Family

ID=19348189

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920027043A KR960009096B1 (ko) 1992-12-31 1992-12-31 반도체 소자의 필드 산화막 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR960009096B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR960009096B1 (ko) 1996-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950004449A (ko) 반도체 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법
JPS5559729A (en) Forming method of semiconductor surface insulating film
KR940016544A (ko) 반도체기판의 작성방법 및 고체촬상장치의 제조방법
JPS5355986A (en) Manufacture of semiconductor device
KR940022748A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR940016680A (ko) 반도체 소자의 필드산화막 제조방법
JPS55113335A (en) Manufacture of semiconductor device
KR840008210A (ko) 집적회로의 반도체기판 물질에 관한 게터링(Gettering) 공법
KR960005852A (ko) 반도체장치의 제조방법
JPS5458381A (en) Manufacture for semiconductor device
KR940016556A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR950027998A (ko) 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법
KR950021253A (ko) 반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법
KR960026432A (ko) 게이트 산화막 형성 방법
KR940012538A (ko) 게이트 산화막 형성방법
KR970052858A (ko) 반도체 소자의 산화막 형성방법
KR980006521A (ko) 반도체소자의 게이트 산화막 제조방법
KR970048923A (ko) 반도체 소자의 선택적 산화 마스크 제조 방법
JPS5513930A (en) Manufacturing method for semiconductor device
KR890008948A (ko) 비휘발성 반도체 소자의 제조방법
JPS5333580A (en) Production of semiconductor device
KR970052919A (ko) 웨이퍼의 불순물 제거방법
JPS5315775A (en) Production of mos type semiconductor device
KR970015797A (ko) 반도체 소자의 게이트 산화막 제조 방법
KR950027999A (ko) 반도체 소자의 산화막 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090624

Year of fee payment: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee